二氧化硅粒子及其制造方法、硅溶胶、研磨组合物、研磨方法、半导体晶片的制造方法和半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种研磨特性、保存稳定性优异的二氧化硅粒子。本发明专利技术涉及一种二氧化硅粒子，当将利用广角X射线散射测定的d值设为时，满足式(1)：y≥4.2。y≥4.2。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】二氧化硅粒子及其制造方法、硅溶胶、研磨组合物、研磨方法、半导体晶片的制造方法和半导体器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及二氧化硅粒子及其制造方法、硅溶胶、研磨组合物、研磨方法、半导体晶片的制造方法和半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]作为对金属、无机化合物等材料的表面进行研磨的方法，已知使用研磨液的研磨方法。其中，在半导体用的原始硅晶片、它们的再生硅晶片的最终加工研磨以及半导体器件制造时的层间绝缘膜的平坦化、金属塞的形成、埋入配线形成等化学机械研磨(CMP)中，其表面状态对半导体特性影响较大，因此这些部件的表面、端面要求极高精度地进行研磨。
[0003]在这样的精确研磨中，采用含有二氧化硅粒子的研磨组合物，并且广泛使用胶体二氧化硅作为其主成分即研磨颗粒。关于胶体二氧化硅，根据其制造方法的不同，已知有通过四氯化硅的热分解而获得的胶体二氧化硅(气相二氧化硅等)、通过水玻璃等碱金属硅酸盐的去离子而获得的胶体二氧化硅、通过烷氧基硅烷的水解反应和缩合反应(通常称为“溶胶凝胶法”)而获得的胶体二氧化硅等。
>[0004]关于胶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种二氧化硅粒子，当将利用广角X射线散射测定的d值设为时，满足下述式(1)，y≥4.2
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(1)。2.根据权利要求1所述的二氧化硅粒子，当将利用西尔斯法测定的表面硅烷醇基密度设为x个/nm2时，所述d值和所述表面硅烷醇基密度满足下述式(2)，y≥
‑
0.2x+5.4
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(2)。3.根据权利要求1或2所述的二氧化硅粒子，所述d值和当将利用西尔斯法测定的表面硅烷醇基密度设为x个/nm2时的表面硅烷醇基密度进一步满足下述式(3)和下述式(4)，y≤6.0
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(3)y≤
‑
0.2x+7.0
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(4)。4.根据权利要求1～3中任一项所述的二氧化硅粒子，利用BET法测定的平均一次粒径为10nm～60nm。5.根据权利要求1～4中任一项所述的二氧化硅粒子，利用DLS法测定的平均...

【专利技术属性】
技术研发人员：京谷智裕，出岛荣治，住谷直子，加藤友宽，泽井毅，
申请(专利权)人：三菱化学株式会社，
类型：发明
国别省市：