一种化合物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种化合物及其应用，所述化合物具有式I所示的结构。本发明专利技术提供的化合物是以苯并咔唑基团为主体结构，引入芳胺结构和特定的吸电基团，这种固定的组合能够有利于空穴和电子的传输的平衡，应用于OLED器件时，能够有效的提高器件效率，降低驱动电压。降低驱动电压。降低驱动电压。

【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其应用


[0001]本专利技术涉及有机电致发光
，特别涉及一种化合物及其应用。

技术介绍

[0002]近几年来，有机发光二极管(OLED)发展十分迅猛，在信息显示领域占有一席之地，这主要得益于OLED器件可以利用高饱和度红绿蓝三原色制备全色显示装置，且无需额外的背光源，就能够实现色彩绚丽、轻薄柔软的性能。
[0003]OLED器件中起到重要作用的是含有多种有机功能材料的薄层结构，常见的有机功能材料包括发光层材料、电子阻挡层材料、电子传输层材料、空穴阻挡层材料、空穴传输层材料等。接通电源后，电子和空穴分别被注入、传输至发光层并在此复合产生激子，实现发光。因此，对于OLED器件中的有机功能材料的研究是本领域技术人员的重点研究课题。
[0004]目前，研究人员已开发出多种多样的有机功能材料以用于各种特定的器件结构，起到提升载流子迁移率、调控载流子平衡、突破电致发光效率、延缓器件衰减的作用。
[0005]常见的荧光发光体主要是利用空穴和电子复合时产生的单线态激子发光，这种发光体仍用于各种OLED器件中。此外，还包括磷光发光体，即一种可以同时利用三线态激子和单线态激子发光的材料，例如铱络合物等。热激发延迟荧光(TADF)技术通过促进三线态激子朝单线态激子的转变，在不采用金属配合物的情况下，仍然可以有效地利用三线态激子而实现较高的发光效率。热激发敏化荧光(TASF)技术就是采用TADF材料，通过能量转移的方式来敏化发光体，实现较高的发光效率，TADF材料在OLED领域有着广阔的应用前景。
[0006]虽然多种多样的有机功能层材料已经被开发，但是当今人们对于OLED器件性能的要求越来越高，现有的有机功能材料已经无法适用于更高性能的新型OLED器件。
[0007]因此，本领域亟待开发更多种类的有机功能材料，使其应用于OLED器件时能够提高发光效率，降低驱动电压，延长使用寿命。

技术实现思路

[0008]本专利技术的目的之一在于提供一种化合物，所述化合物应用于OLED器件时能够提高发光效率，降低驱动电压。
[0009]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0010]一种化合物，具有式I所示的结构；
[0011][0012]式Ⅰ中：L1和L2分别独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的一种；
[0013]Ar2和Ar3各自独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
[0014]R1和R2各自独立地表示单取代基到最大允许取代基，并且各自独立地选自氢、取代或者未取代的C1～C10链状烷基、取代或者未取代的C3～C10环烷基、取代或者未取代的C1～C10烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、取代或者未取代的C1～C10硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
[0015]Ar1为如下式a1的结构：
[0016][0017]式a1中：X
1-X8选自CR3或者N，R3独立地选自氢、取代或者未取代的C1～C10链状烷基、取代或者未取代的C3～C10环烷基、取代或者未取代的C1～C10烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、取代或者未取代的C1～C10硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种，两个相邻的R3之间可以稠合成环。
[0018]当上述基团存在取代基团时，所述取代基团选自卤素、氰基、羰基、C1～C10的烷基、C3～C10的环烷基、C2～C10烯基、C1～C10的烷氧基或硫代烷氧基、C6～C30的单环芳基或稠环芳基、C3～C30的单环杂芳基或稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。
[0019]上述“取代或未取代”的基团，可以取代有一个取代基，也可以取代有多个取代基，当取代基为多个时，可以选自不同的取代基，本专利技术中涉及到相同的表达方式时，均具有同样的意义，且取代基的选择范围均如上所示不再一一赘述。
[0020]上述取代基中，所述C1～C10链状烷基的碳数可以为C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、
C10等；所述C3～C10环烷基的碳数可以为C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等；所述C1～C10烷氧基的碳数可以为C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等；所述C1～C10硫代烷氧基的碳数可以为C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等；所述C6～C30单环芳基的碳数可以为C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等；所述C10～C30稠环芳基的碳数可以为C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等；所述C3～C30单环杂芳基的碳数可以为C3、C4、C6、C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等；所述C6～C30稠环杂芳基的碳数可以为C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等。上述碳个数仅为举例，并不限于上述。
[0021]本专利技术中，杂芳基的杂原子，通常指选自N、O、S。
[0022]本专利技术中所述的原子名称，包括其对应的各种同位素，例如，氢(H)则包括1H(氕或作H)、2H(氘或作D)等；碳(C)则包括
12
C、
13
C等。
[0023]本专利技术中，“—”划过的环结构的表达方式，表示连接位点于该环结构上任意能够成键的位置。
[0024]进一步优选的，Ar1选自下式a1-1或a1-2的结构：
[0025][0026]式a1-1或a1-2中，所述X
3-X8的定义与在式a1中的定义相同；
[0027]进一步优选的，所述X
3-X8均为CH。
[0028]再进一步优选的，Ar1选自如下式a1-3或a1-4的结构：
[0029][0030]式a1-3或a1-4中，所述R3和X
3-X6的定义与在式a1中的定义相同；优选的，R3选自取代或未取代的下述结构式：
[0031][0032]进一步优选的，所述X
3-X6均为CH。
[0033]本专利技术式Ⅰ所示的化合物优选为下述式
Ⅰ-
1、
Ⅰ-
2或
Ⅰ-
3所示的结构：
[0034][0035]Ⅰ-
1、
Ⅰ-
2和
Ⅰ-
3中，所述L1、L2、Ar1、Ar2、Ar3、R1和R2的定义均与在式Ⅰ中的定义相同。
[0036]进一步优选的，所述式Ⅰ、
Ⅰ-
1、
Ⅰ-
2和
Ⅰ-
3中：
[0037]L1选自单键或者取代或者未取代的下述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通式化合物，如下式Ⅰ所示：式Ⅰ中：L1和L2分别独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的一种；Ar2和Ar3各自独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；R1和R2各自独立地表示单取代基到最大允许取代基，并且各自独立地选自氢、取代或者未取代的C1～C10链状烷基、取代或者未取代的C3～C10环烷基、取代或者未取代的C1～C10烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、取代或者未取代的C1～C10硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；Ar1为下式a1的结构：式a1中：X
1-X8选自CR3或者N，R3独立地选自氢、取代或者未取代的C1～C10链状烷基、取代或者未取代的C3～C10环烷基、取代或者未取代的C1～C10烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、取代或者未取代的C1～C10硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种，两个相邻的R3之间可以稠合成环；当上述基团存在取代基团时，所述取代基团选自卤素、氰基、羰基、C1～C10的烷基、C3～C10的环烷基、C2～C10烯基、C1～C10的烷氧基或硫代烷氧基、C6～C30的单环芳基或稠环芳基、C3～C30的单环杂芳基或稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。2.根据权利要求1所述的化合物，为下述式
Ⅰ-
1、
Ⅰ-
2或
Ⅰ-
3所示的结构：
式
Ⅰ-
1、
Ⅰ-
2和
Ⅰ-
3中，所述L1、L2、Ar1、Ar2、Ar3、R1和R2的定义均与在式Ⅰ中的定义相同。3.根据权利要求1或2所述的化合物，所述Ar1选自如下式a1-1或a1-2的结构：式a1-1和a1-2中，所述X
3-X8的定义与在式a1中的定义相同；优选的，所述X
3-X8均为CH。4.根据权利要求1或2所述的化合物，所述Ar1选自如下式a1-3或a1-4的结构：式a1-3和a1-4中，所述R3和X
3-X6的定义与在式a1中的定义相同；优选的，所述X
3-X6均为CH。5.根据权利要求4中任一所述的化合物，所述R3选自取代或未取代的下述结构式：6.根据权利要求1或2所述的化合物，所述式Ⅰ、
Ⅰ-
1、
Ⅰ-
2或
Ⅰ-
3中：L1选自单键或者取代或者未取代的下述基团中的一种：亚苯基、亚萘基、亚吡啶基、亚联苯基；
L2选自单键或者取代或者未取代的下述基团中...

【专利技术属性】
技术研发人员：李之洋，张辉，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：