LPDDR的bank地址映射方法技术

本发明专利技术公开了一种LPDDR的bank地址映射方法，包括以下步骤：通过SOC芯片的DRAM控制器，采用测试算法对LPDDR芯片的每个bank分别写入测试数据并读取；分别比较每个bank写入的测试数据与读取的数据是否一致，若一致，则判定相应的bank合格；若合格的bank的数量不少于LPDDR芯片的总的bank的数量的一半，则按照预设的映射关系，对LPDDR芯片的全部bank的地址重新进行映射，将合格的若干个bank的地址映射至靠前的连续若干个bank地址空间。根据本发明专利技术的LPDDR的bank地址映射方法，能够对LPDDR芯片的bank的地址重新进行映射，只使用正常的bank而屏蔽掉不良的bank，从而提升LPDDR芯片的利用率。用率。用率。

【技术实现步骤摘要】
LPDDR的bank地址映射方法


[0001]本专利技术涉及存储器芯片
，尤其是涉及一种LPDDR的bank地址映射方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路的发展，集成电路的密度越来越高、速度越来越快，与此同时，集成电路的故障率也随着提高。对于LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM，低功耗双倍数据速率内存)而言，一般都是采用8个bank(物理存储体)的架构，只要其中一个bank出现问题，整个芯片便会判定为不合格，无法正常使用。为了提升LPDDR的利用率，可以考虑只使用其中功能正常的bank。但由于LPDDR没有独立的bank地址线，bank地址线是跟控制线复用的，因此需要找到不良的bank地址，并且屏蔽掉不良的bank的地址空间，只访问正常的bank的地址空间。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出了一种LPDDR的bank地址映射方法，能够对LPDDR芯片的bank的地址重新进行映射，只使用正常的bank而屏蔽掉不良的bank。
[0004]根据本专利技术实施例的LPDDR的bank地址映射方法，包括以下步骤：通过SOC芯片的DRAM控制器，采用测试算法对LPDDR芯片的每个bank分别写入测试数据并读取；分别比较每个所述bank写入的所述测试数据与读取的数据是否一致，若一致，则判定相应的所述bank合格；若合格的所述bank的数量不少于所述LPDDR芯片的总的所述bank的数量的一半，则按照预设的映射关系，对所述LPDDR芯片的全部所述bank的地址重新进行映射，将合格的若干个所述bank的地址映射至靠前的连续若干个bank地址空间。
[0005]根据本专利技术实施例的LPDDR的bank地址映射方法，至少具有如下有益效果：根据测试算法对LPDDR芯片的所有bank进行测试，若合格的bank的数量不少于LPDDR芯片的总的bank的数量的一半，则对LPDDR芯片的全部bank的地址重新进行映射，将合格的若干个bank的地址映射至靠前的连续若干个bank地址空间，使得DRAM控制器能够只访问前面的几个合格的bank的地址空间，而屏蔽掉不良的bank的地址空间，进而提升LPDDR芯片的利用率。
[0006]根据本专利技术的一些实施例，所述LPDDR芯片的所述bank的总的数量为8个。
[0007]根据本专利技术的一些实施例，所述按照预设的映射关系，对所述LPDDR芯片的全部所述bank的地址重新进行映射，将合格的若干个所述bank的地址映射至靠前的连续若干个bank地址空间，具体为：通过冒泡排序法生成映射关系表，通过所述映射关系表，对所述LPDDR芯片的全部所述bank的地址重新映射，将合格的若干个所述bank的地址映射至靠前的连续若干个bank地址空间。
[0008]根据本专利技术的一些实施例，还包括：将所述映射关系写入所述DRAM控制器的配置寄存器，所述DRAM控制器根据映射后的bank地址进行访问。
[0009]根据本专利技术的一些实施例，所述测试算法采用March C或Checkerboard。
[0010]根据本专利技术的一些实施例，若合格的所述bank的数量少于所述LPDDR芯片的总的所述bank的数量的一半，则判定所述LPDDR芯片为不良品。
[0011]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0012]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0013]图1为本专利技术实施例的LPDDR的bank地址映射方法的流程示意图；
[0014]图2为本专利技术实施例的LPDDR芯片的8个bank的架构示意图；
[0015]图3为本专利技术实施例的bank地址映射关系示意图。
具体实施方式
[0016]本部分将详细描述本专利技术的具体实施例，本专利技术之较佳实施例在附图中示出，附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述，使人能够直观地、形象地理解本专利技术的每个技术特征和整体技术方案，但其不能理解为对本专利技术保护范围的限制。
[0017]在本专利技术的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0018]本专利技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本专利技术中的具体含义。
[0019]SOC：System on Chip，片上系统。
[0020]DRAM：Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器。
[0021]参照图1至图3，根据本专利技术实施例的LPDDR的bank地址映射方法，包括以下步骤：
[0022]S100：通过SOC芯片的DRAM控制器，采用测试算法对LPDDR芯片的每个bank分别写入测试数据并读取。
[0023]具体地，通过SOC芯片的DRAM控制器，采用相应的测试算法，如March C、Checkerboard(棋盘算法)和蝶形算法等，对LPDDR芯片的每个bank分别写入测试数据(如0x55555555或是其它自定义数据)，再通过SOC芯片的DRAM控制器对每个bank进行读取。
[0024]S200：分别比较每个bank写入的测试数据与读取的数据是否一致，若一致，则判定相应的bank合格。
[0025]由SOC芯片的CPU比较每个bank读取出来的数据是否与写入的测试数据一致，若一致，则说明该bank合格；若不一致，则说明该bank损坏；同时，记录所有bank的物理地址。
[0026]S300：若合格的bank的数量不少于LPDDR芯片的总的bank的数量的一半，则按照预设的映射关系，对LPDDR芯片的全部bank的地址重新进行映射，将合格的若干个bank的地址映射至靠前的连续若干个bank地址空间。
[0027]参照图1至图3，下面以一个具体的实施例详细描述本专利技术实施例的LPDDR的bank
地址映射方法，值得理解的是，以下描述仅是示例性说明，而不是对本专利技术的具体限制。
[0028]如图2所示，假设LPDDR芯片总共有8个bank，分别为bank0
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bank7，8个bank在die(晶粒)上是独立的存储阵列的方式；通过SOC芯片的DRAM控制器，采用March C算法对8个bank分别写入测试数据；再通过SOC芯片的DRAM控制器和CPU，确定每个bank读出来的数据是否跟写入的一致，如果一致，说明该bank合格；如果不一致，说明该bank是损本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LPDDR的bank地址映射方法，其特征在于，包括以下步骤：通过SOC芯片的DRAM控制器，采用测试算法对LPDDR芯片的每个bank分别写入测试数据并读取；分别比较每个所述bank写入的所述测试数据与读取的数据是否一致，若一致，则判定相应的所述bank合格；若合格的所述bank的数量不少于所述LPDDR芯片的总的所述bank的数量的一半，则按照预设的映射关系，对所述LPDDR芯片的全部所述bank的地址重新进行映射，将合格的若干个所述bank的地址映射至靠前的连续若干个bank地址空间。2.根据权利要求1所述的LPDDR的bank地址映射方法，其特征在于，所述LPDDR芯片的所述bank的总的数量为8个。3.根据权利要求1或2所述的LPDDR的bank地址映射方法，其特征在于，所述按照预设的映射关系，对所述LPDDR芯片的全部所述bank的地址重新进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢登煌，宋文杰，刘孜，
申请(专利权)人：深圳市晶存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：