太阳能电池及太阳能电池模组制造技术

一种太阳能电池，其具备P型硅基板，该P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在该背面上具备部分地形成的多个背面电极，前述P型硅基板在前述受光面的至少一部分具有N型层，前述P型硅基板具有与前述背面电极接触的接触区域，前述P型硅基板是掺有镓的硅基板，前述P型硅基板的电阻率为2.5Ω

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及太阳能电池模组
[0001]本申请是申请日为2015年10月14日、申请号为201580061522.5、专利技术名称为“太阳能电池及太阳能电池模组”的申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种太阳能电池及太阳能电池模组。

技术介绍

[0003]太阳能电池用半导体基板通常利用提拉法(Czochraski method，CZ法)制造，所述CZ法能够用相对低的成本来制造大直径的单晶。例如，通过利用CZ法制作掺有硼的单晶硅，并将此单晶切成薄片，能够获得P型半导体基板。
[0004]单晶硅太阳能电池(使用单晶硅基板的太阳能电池)的以往的结构是一种整个背面(与受光面相对的表面)隔着背面场(Back Surface Field，BSF)结构而与电极接触的结构。
[0005]上述BSF结构利用丝网印刷法能够很容易地制造，因此，广泛普及，并成为当前的单晶硅太阳能电池的主流结构。
[0006]为了进一步提高效率，对上述BSF结构导入钝化发射极背面接触太阳能电池(Passivated Emitter and Rea本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池具备：P型硅基板，所述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面；N型层，所述N型层形成于所述P型硅基板的所述受光面；受光面电极，所述受光面电极与所述N型层电接触；以及背面电极，所述背面电极在设置于所述P型硅基板的背面的多个接触区域与所述P型硅基板电接触，所述P型硅基板掺有镓且由通过CZ法得到的晶棒制作而成，所述P型硅基板的电阻率R
sub
[Ω
·
cm]为0.2～2.5Ω
·
cm，设置于所述背面的所述多个接触区域的面积的总和为整个所述背面的20％以下，所述多个接触区域形成有规则的图案，所述多个接触区域的间距P
rm
[mm]为0.1～10mm，规定所述间距P
rm
与所述P型硅基板的电阻率R
sub
满足下述式，log
10
(R
sub
)≤
‑
log
10
(P
rm
)+1.0，将所述间距P
rm
设为横轴、将所述电阻率R
sub
设为纵轴时，短路电流密度的平均值为37mA/cm2以上，相对于所述电阻率R
sub
的变化，所述短路电流密度的平均值的变化小。2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，当所述间距P
rm
为1mm且所述电阻率R
sub
为0.2Ω
·
cm时，所述短路电流密度的平均值约为38mA/cm2；当所...

【专利技术属性】
技术研发人员：大塚宽之，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：