一种近红外波段超材料折射率传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种近红外波段超材料折射率传感器，该结构包括两层，上层包括周期性排布的硅闭口环谐振器，下层是基底，材料为二氧化硅。当入射光以横电模式垂直入射时，准连续域束缚态由于不满足共振态正交条件因而可以被入射波所激发，而共振态的品质因数同连续域束缚态一样可以得到极大的提高，高达104，本实用新型专利技术折射率传感器工作在近红外区域，具有结构简单、易于集成的优点。所述背景折射率传感器具有较高的折射率传感灵敏度，使之在生化检测领域显现出潜在应用价值。化检测领域显现出潜在应用价值。化检测领域显现出潜在应用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种近红外波段超材料折射率传感器


[0001]本技术属于光学传感器领域，具体涉及一种近红外波段超材料折射率传感器。

技术介绍

[0002]超材料由亚波长人工结构单元作为基本单元构成，单元间隔为微米量级，将人工原子和人工分子单元通过不同的结合和排列，可设计制造出各种物理特性的超材料。超材料的特征可归纳为以下三个方面。一是超材料是人工合成材料；二是超材料具有自然界材料所不具备的超常物理性质；三是超材料的性质不是由其基本构成材料决定，而是取决于人工结构，可人为设计、任意控制。
[0003]人工微结构可以分为两类：利用等离激元响应的金属性纳米结构(如贵金属、石墨烯等)和利用近场散射效应的全电介质纳米结构。金属性纳米结构利用局域表面等离激元共振，可以在结构表面或间隙实现极大的电场或磁场增强，相同结构下其有效模式体积可以比全电介质材料小一个量级以上，模式体积压缩因子可达到5
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。但是由于本征欧姆损耗，金属纳米结构的品质因数一般不高。全电介质纳米结构利用近场耦合(如Mie谐振、Fabry
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种近红外波段超材料折射率传感器，其特征在于，该结构包括两层，上层为周期性排布的两个对称的硅闭口环谐振器，下层是基底，材料为二氧化硅，当太赫兹波正入射时，准连续域束缚态(quasi
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BICs)表现出一种法诺(Fano)型共振被激发，同时当待测物质加在该芯片上，外界折射率变化时共振峰会产生频移，通过返波管测量出共振峰的频移量，从而实现折射率的测量。2.根据权利要求1所述的近红外波段超材料折射率传感器，其特征在于，所述近红外波段超材料的折射率传感器是一个周期性的超材料结构，它在x与y方向的周期是Px＝Py＝900nm，硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：岑文洋，郎婷婷，张锦晖，王钢棋，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：新型
国别省市：