半导体器件的测试结构及其制作方法以及存储器技术

技术编号:30159437 阅读:24 留言:0更新日期:2021-09-25 15:12
本公开实施例公开了一种半导体器件的测试结构及其制作方法以及存储器。所述测试结构包括:第一半导体结构,包括:控制电路;第二半导体结构,位于所述第一半导体结构之上,包括:位于衬底和所述第一半导体结构之间的导电结构;其中,所述导电结构与所述衬底电连接;焊盘,位于所述第二半导体结构之上,通过所述导电结构与所述衬底电连接,且与所述控制电路电连接。连接。连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的测试结构及其制作方法以及存储器


[0001]本公开实施例涉及半导体器件领域,尤其涉及一种半导体器件的测试结构及其制作方法以及存储器。

技术介绍

[0002]半导体器件的制作工艺评估与监控需要各种测试结构作为载体。测试结构连接至焊盘(PAD),测试时将探针扎入焊盘,从而可以通过焊盘对测试结构进行检测电信号的输入与输出。在制作焊盘的过程中,等离子体产生的游离电荷会聚集在焊盘处。当焊盘聚集的游离电荷达到一定数量或浓度时,会将电势施加在测试结构上并产生等离子体诱生损伤(Plasma Induced Damage,PID),导致测试结构退化甚至失效,从而无法作为载体。
[0003]因此,如何减少对于测试结构的损坏,以保证通过测试结构进行测试分析的可靠性,成为亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此,本公开实施例提供一种半导体器件的测试结构及其制作方法以及存储器。
[0005]根据本公开实施例的第一方面,提供一种半导体器件的测试结构,包括:
[0006]第一半导体结构,包括:控制电路;
[0007]第二半导体结构,位于所述第一半导体结构之上,包括:位于衬底和所述第一半导体结构之间的导电结构;其中,所述导电结构与所述衬底电连接;
[0008]焊盘,位于所述第二半导体结构之上,通过所述导电结构与所述衬底电连接,且与所述控制电路电连接。
[0009]在一些实施例中,所述衬底包括:相对设置的第一表面和第二表面;其中,所述第一表面相对靠近所述第一半导体结构;
[0010]所述导电结构包括:第一子导电结构,包括:
[0011]第一接触,位于覆盖所述第一表面的第一介质层中,且与所述衬底电绝缘;
[0012]第二接触,沿平行于所述衬底方向与所述第一接触并列设置在所述第一介质层中,且与所述衬底电连接;
[0013]第一导电层,沿平行于所述衬底所在的平面设置在所述第一介质层中,所述第一导电层的一端与所述第一接触电连接,所述第一导电层的另一端与所述第二接触电连接;
[0014]所述第二半导体结构还包括:
[0015]第一导电柱,贯穿所述衬底,用于电连接所述第一接触与所述焊盘;其中,所述第一导电柱与所述衬底电绝缘;
[0016]第一互连结构,位于所述第一导电层与所述第一半导体结构之间,用于电连接所述第一导电层与所述控制电路。
[0017]在一些实施例中,所述第二半导体结构,还包括:二极管,位于所述衬底内,用于电
连接所述衬底和所述第二接触。
[0018]在一些实施例中,所述第一半导体结构还包括:
[0019]第二互连结构,位于所述第一互连结构与所述控制电路之间,用于电连接所述第一互连结构与所述控制电路。
[0020]在一些实施例中,所述导电结构,还包括:
[0021]第二子导电结构,位于所述衬底内,所述第二子导电结构的一端与所述衬底电连接,所述第二子导电结构的另一端与所述焊盘电连接;
[0022]其中,沿垂直于所述衬底所在平面的方向,所述第二子导电结构的厚度小于所述衬底的厚度。
[0023]根据本公开实施例的第二方面,提供一种半导体器件的测试结构的制作方法,所述方法包括:
[0024]形成第一半导体结构;其中,所述第一半导体结构包括控制电路;
[0025]在所述第一半导体结构之上形成第二半导体结构;其中,所述第二半导体结构包括位于衬底和所述第一半导体结构之间的导电结构,所述导电结构与所述衬底电连接;
[0026]在所述第二半导体结构之上形成焊盘;其中,所述焊盘通过所述导电结构与所述衬底电连接,且与所述控制电路电连接。
[0027]在一些实施例中,所述导电结构包括:第一子导电结构,包括第一接触、第二接触和第一导电层;所述第二半导体结构还包括:第一导电柱和第一互连结构;
[0028]所述在所述第一半导体结构之上形成第二半导体结构,包括:
[0029]提供所述衬底;其中,所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面;
[0030]形成覆盖所述第一表面的第一介质层;
[0031]沿平行于所述衬底方向,在所述第一介质层中形成并列设置的第一接触和第二接触;其中,所述第一接触与所述衬底电绝缘,所述第二接触与所述衬底电连接;
[0032]沿平行于所述衬底所在的平面,在所述第一介质层中形成第一导电层;其中,所述第一导电层的一端与所述第一接触电连接,所述第一导电层的另一端与所述第二接触电连接;
[0033]在所述第一导电层上形成所述第一互连结构;其中,所述第一互连结构电连接所述第一导电层;
[0034]对准并键合所述第一半导体结构和所述第二半导体结构,以使得所述第一互连结构与所述控制电路电连接;
[0035]形成贯穿所述衬底的所述第一导电柱;其中,所述第一导电柱电连接所述第一接触与所述焊盘,所述第一导电柱与所述衬底电绝缘。
[0036]在一些实施例中,所述第二半导体结构,还包括:二极管;
[0037]所述在所述第一半导体结构之上形成第二半导体结构,还包括:
[0038]在所述衬底内形成所述二极管;其中,所述二极管用于电连接所述衬底和所述第二接触。
[0039]在一些实施例中,所述第一半导体结构还包括第二互连结构;
[0040]所述形成第一半导体结构,包括:
[0041]在所述控制电路之上形成所述第二互连结构;
[0042]所述对准并键合所述第一半导体结构和所述第二半导体结构,包括:
[0043]对准并键合所述第一互连结构和所述第二互连结构;其中,所述第二互连结构电连接所述第一互连结构与所述控制电路。
[0044]在一些实施例中,所述导电结构还包括:第二子导电结构;
[0045]所述在所述第一半导体结构之上形成第二半导体结构,还包括:
[0046]在所述衬底内形成第二子导电结构;其中,所述第二子导电结构的一端与所述衬底电连接,所述第二子导电结构的另一端与所述焊盘电连接;沿垂直于所述衬底所在平面的方向,所述第二子导电结构的厚度小于所述衬底的厚度。
[0047]根据本公开实施例的第三方面,提供一种存储器,包括上述任一实施例所述的测试结构以及与所述测试结构并列设置的存储结构;所述存储结构包括:
[0048]交替堆叠设置的绝缘层和导电层以及垂直贯穿所述绝缘层和所述导电层的存储串。
[0049]本公开实施例中,通过设置与衬底电连接的导电结构,焊盘可通过该导电结构与衬底电连接,在利用等离子体相关工艺制作焊盘的过程中,利用该导电结构可将焊盘收集的游离电荷传导至衬底,有利于减小焊盘施加至控制电路的电势,进而减小测试结构的等离子体诱生损伤,以对测试结构进行保护。
[0050]此外,由于衬底的两侧暴露在焊盘制备装置的腔室中,导至衬底的游离电荷(例如,正电荷)可与腔室中的等离子体电离产生的电荷(例如,负电荷)中本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的测试结构,其特征在于,包括:第一半导体结构,包括:控制电路;第二半导体结构,位于所述第一半导体结构之上,包括:位于衬底和所述第一半导体结构之间的导电结构;其中,所述导电结构与所述衬底电连接;焊盘,位于所述第二半导体结构之上,通过所述导电结构与所述衬底电连接,且与所述控制电路电连接。2.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述衬底包括:相对设置的第一表面和第二表面;其中,所述第一表面相对靠近所述第一半导体结构;所述导电结构包括:第一子导电结构,包括:第一接触,位于覆盖所述第一表面的第一介质层中,且与所述衬底电绝缘;第二接触,沿平行于所述衬底方向与所述第一接触并列设置在所述第一介质层中,且与所述衬底电连接;第一导电层,沿平行于所述衬底所在的平面设置在所述第一介质层中,所述第一导电层的一端与所述第一接触电连接,所述第一导电层的另一端与所述第二接触电连接;所述第二半导体结构还包括:第一导电柱,贯穿所述衬底,用于电连接所述第一接触与所述焊盘;其中,所述第一导电柱与所述衬底电绝缘;第一互连结构,位于所述第一导电层与所述第一半导体结构之间,用于电连接所述第一导电层与所述控制电路。3.根据权利要求2所述的测试结构,其特征在于,所述第二半导体结构,还包括:二极管,位于所述衬底内,用于电连接所述衬底和所述第二接触。4.根据权利要求2所述的测试结构,其特征在于,所述第一半导体结构还包括:第二互连结构,位于所述第一互连结构与所述控制电路之间,用于电连接所述第一互连结构与所述控制电路。5.根据权利要求1或2所述的测试结构,其特征在于,所述导电结构,还包括:第二子导电结构,位于所述衬底内,所述第二子导电结构的一端与所述衬底电连接,所述第二子导电结构的另一端与所述焊盘电连接;其中,沿垂直于所述衬底所在平面的方向,所述第二子导电结构的厚度小于所述衬底的厚度。6.一种半导体器件的测试结构的制作方法,其特征在于,所述方法包括:形成第一半导体结构;其中,所述第一半导体结构包括控制电路;在所述第一半导体结构之上形成第二半导体结构;其中,所述第二半导体结构包括位于衬底和所述第一半导体结构之间的导电结构,所述导电结构与所述衬底电连接;在所述第二半导体结构之上形成焊盘;其中,所述焊盘通过所述导电结构与所述衬底电连接,且与所述控制电路电连接。7.根据权利要求6所...

【专利技术属性】
技术研发人员:张泽华杨盛玮
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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