基于Bi2Te3可饱和吸收体的1071nmYb:LaCOB被动锁模激光器制造技术

技术编号:30157768 阅读:28 留言:0更新日期:2021-09-25 15:09
本实用新型专利技术公开了一种基于Bi2Te3可饱和吸收体的1071nm Yb:LaCOB被动锁模激光器,包括沿光路方向依次设置的光源、耦合透镜组、Yb:LaCOB晶体、平凹镜组、可饱和吸收体、平面输出镜,所述可饱和吸收体为Bi2Te3可饱和吸收体。本实用新型专利技术利用新型可饱和吸收体Bi2Te3在1071nm的脉冲激光下具有良好的非线性可饱和吸收特性,获得高峰值功率、窄脉冲宽度的脉冲激光输出,输出的脉冲激光光束质量好、稳定性高;相较于SESAMs较高的生产成本,Bi2Te3成本低廉。低廉。低廉。

【技术实现步骤摘要】
基于Bi2Te3可饱和吸收体的1071nm Yb:LaCOB被动锁模激光器


[0001]本技术涉及全固态被动锁模激光器,特别涉及一种基于Bi2Te3可饱和吸收体的1071nm Yb:LaCOB被动锁模激光器。

技术介绍

[0002]可饱和吸收体应用到激光器中可以实现超短脉冲输出,传统的可饱和吸收体主要有半导体可饱和吸收镜(SESAMs)、碳纳米管(CNTs)和石墨烯(Graphene)等:SESAMs的制作工艺较为复杂,生产成本比较高,可饱和吸收光谱范围较窄,极大限制了其在激光器领域的应用;虽然CNTs和Graphene的制备成本相对较为低廉,且可饱和吸收光谱范围宽,但在制备过程中参数具有一些不可控性,比如:Graphene的层数均匀性、CNTs的直径等;此外,由于石墨烯的零带隙效应特性,无法实现半导体逻辑开关,从而大大限制了其在半导体领域和光电领域的应用。

技术实现思路

[0003]技术目的:针对以上问题,本技术目的是提供一种基于Bi2Te3可饱和吸收体的1071nm Yb:LaCOB被动锁模激光器,利用Bi2Te3作为锁模器件,本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于Bi2Te3可饱和吸收体的1071nm Yb:LaCOB被动锁模激光器,其特征在于,包括沿光路方向依次设置的光源(1)、耦合透镜组(2)、Yb:LaCOB晶体(3)、平凹镜组、可饱和吸收体(7)、平面输出镜(8),所述可饱和吸收体(7)为Bi2Te3可饱和吸收体。2.根据权利要求1所述的基于Bi2Te3可饱和吸收体的1071nm Yb:LaCOB被动锁模激光器,其特征在于,所述平凹镜组包括沿光路方向依次设置的第一平凹镜(4)、第二平凹镜(5)、第三平凹镜(6)。3.根据权利要求1所述的基于Bi2Te3可饱和吸收体的1071nm Yb:LaCOB被动锁模激光器,其特征在于,所述光源(1)为带尾纤输出半导体激光器。4.根据权利要求2所述的基于Bi2Te3可饱和吸收体的1071nm Yb:LaCOB被动锁模激光器,其特征在于,所述平凹镜组中每个镜子都镀有与信号光同波...

【专利技术属性】
技术研发人员:常建华陈超然刘海洋顾浚哲张棋
申请(专利权)人:南京信息工程大学
类型:新型
国别省市:

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