一种具有量子阱结构的N型TOPCon电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种具有量子阱结构的N型TOPCon电池，自上而下包括正极接触电极、前表面减反层、钝化膜、P

【技术实现步骤摘要】
一种具有量子阱结构的N型TOPCon电池及其制作方法


[0001]本专利技术涉及光伏电池
，尤其涉及一种具有量子阱结构的N型TOPCon电池及其制作方法。

技术介绍

[0002]基于N型硅衬底的隧穿氧化钝化接触(Tunnel Oxide Passivated Contact，TOPCon)电池技术，由于背表面采用了超薄氧化硅和掺杂多晶硅(Poly
‑
Si)的叠层结构进行钝化，该隧穿氧化层钝化接触结构能够使得多数载流子穿透氧化层，对少数载流子起阻挡作用，有效地实现了载流子的选择通过性，从而极大地降低了少数载流子的复合速率。因此该表面钝化技术目前被应用于许多高效晶硅太阳能电池的表面钝化，已成为高效晶硅太阳能电池结构中不可缺少的表面钝化技术。
[0003]但是，采用超薄氧化硅层与掺杂多晶硅的叠层结构钝化硅基体的背表面时，多数载流子的聚集是由于基体的背表面(n
+
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Si)与基体内部掺杂浓度不同，从而在隧穿氧化层与n
+
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Si基体表面接触处产生能带弯曲而形成的，这种方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有量子阱结构的N型TOPCon电池，其特征在于，自上而下包括正极接触电极(1)、前表面减反层(2)、钝化膜(3)、P
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掺杂层(4)、N型硅衬底(5)、量子阱层(6)、隧穿氧化层(7)、N
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多晶硅掺杂层(8)、背表面减反层(9)以及负极接触电极(10)，所述量子阱层(6)的禁带宽度小于晶硅材料。2.根据权利要求1所述的具有量子阱结构的N型TOPCon电池，其特征在于，所述量子阱层(6)为Si1‑
x
Ge
x
薄膜，0＜x＜1。3.根据权利要求1或2所述的具有量子阱结构的N型TOPCon电池，其特征在于，所述前表面减反层(2)和/或所述背表面减反层(9)为SiN
y
:H薄膜，y＞0。4.一种具有量子阱结构的N型TOPCon电池的制作方法，其特征在于，包括：提供一N型硅片，对N型硅片进行清洗和制绒，形成前表面具有绒面结构的N型硅衬底(5)；将N型硅衬底(5)载入到管式低压硼扩散炉管中，完成前表面硼扩散掺杂工艺，形成P
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掺杂层(4)；通过湿化学方法对N型硅衬底(5)的背表面进行抛光处理；通过分子外延束在N型硅衬底(5)的抛光面上生长一层禁带宽度小于晶硅材料的材料，作为量子阱层(6)；在量子阱层(6)的表面依次形成隧穿氧化层(7)、N
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多晶硅掺杂层(8)、背表面减反层(9)；在P
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掺杂层(4)的表面依次形成钝化膜(3)、前表面减反层(2)；在前表面减反层(2)、背表面减反层(9)的表面分别印刷出正极接触电极(1)、负极接触电极(10)。5.根据权利要求4所述的具有量子阱结构的N型TOPCon电池的制作方法，其特征在于，所述量子阱层(6)为Si1‑
x
Ge
...

【专利技术属性】
技术研发人员：张天杰，刘大伟，倪玉凤，宋志成，
申请(专利权)人：青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司青海黄河上游水电开发有限责任公司，
类型：发明
国别省市：