一种基于古斯-汉森位移的高灵敏度光波长传感器制造技术

本发明专利技术提供了一种基于古斯

【技术实现步骤摘要】
一种基于古斯
‑
汉森位移的高灵敏度光波长传感器


[0001]本专利技术属于光学
，涉及一种基于古斯
‑
汉森位移的高灵敏度光波长传感器。

技术介绍

[0002]当光照射到两种折射率分别为n1和n2的电介质上时，在电介质的分界面上，如果发生全反射，会有部分光场渗入下层介质内部，这就相当于在实际的分界面后面放置了一个虚拟的反射界面，那么，相对于原来几何光学预测的位置，反射光就会存在一个横向移动，该位移叫古斯
‑
汉森位移，该现象叫古斯
‑
汉森现象，最早由古斯(Goos)和汉森在实验上观测到。古斯
‑
汉森位移的形成示意图如图1所示，其中符号Δ表示反射光束的横向位移，箭头线表示光束的中心轴线。
[0003]古斯
‑
汉森位移可广泛应用于高灵敏度传感器和光开关。特别地，古斯
‑
汉森位移对入射的光波长、入射角等特别敏感，故可应用高亮度波长和角度传感器。但是，在通常情况下，古斯
‑
汉森位移比较弱，一般就几个波本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于古斯
‑
汉森位移的高灵敏度光波长传感器，其特征在于，高灵敏度光波长传感器的光子晶体包括石墨烯单层(G)，所述石墨烯单层(G)的入射侧设置有第一周期性晶体，所述石墨烯单层(G)的出射侧设置有第二周期性晶体，所述石墨烯单层(G)与第一周期性晶体之间、石墨烯单层(G)与第二周期性晶体之间分别嵌入有一缺陷层(E)；所述第一周期性晶体包括交替分布的若干第一电介质层(A)和若干第二电介质层(B)，所述第二周期性晶体包括交替分布的若干第三电介质层(C)和若干第四电介质层(D)；整个结构为(AB)
N
EGE(CD)
N
，N为布拉格周期数。2.根据权利要求1所述一种基于古斯
...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘芳梅，
申请(专利权)人：湖北科技学院，
类型：发明
国别省市：