一种光催化剂及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及光催化技术领域，尤其涉及一种光催化剂及其制备方法和应用。所述光催化剂为Li2Sn

【技术实现步骤摘要】
一种光催化剂及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及光催化
，尤其涉及一种光催化剂及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]近年来，水污染问题日益严重，尤其是水体中残存的抗生素浓度过量超标，这对人们的生活构成了严重的危害。为了克服这些挑战，基于半导体光催化的光催化技术用于降解水体中的抗生素物质受到了广泛的关注。当能量大于或等于半体导禁带宽度的光子照射在光催化剂表面上时就会产生电子
‑
空穴对，利用光生电子和空穴的还原和氧化进行光催化反应，实现环境修复等问题。寻找及制备高效和稳定的光催化材料是目前研究的热点。
[0003]锂族化合物半导体由于其良好的半导体性能和广阔的应用前景而受到研究者的广泛关注，是目前半导体材料研究的热点和重点。其中，Li2SnO3作为一种二维氧化物材料，其空间群为C2/c。Sn
‑
O组成二维层，Li原子处在层间和Sn
‑
O层中的孔道中。专利技术专利CN202011164226.7公开了一种可见光下高效降解四环素的光催化剂及其制备方法和应用，制备得到的石本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光催化剂，其特征在于，所述光催化剂为Li2Sn
0.90
Si
0.10
O3。2.权利要求1所述的光催化剂的制备方法，其特征在于，所述光催化剂Li2Sn
0.90
Si
0.10
O3的制备方法为以下步骤：S1，将Li2CO3,SnO2和SiO2混合、研磨均匀后，在高温马弗炉中烧结，冷却至室温后得到白色粉末状Li2Sn
0.90
Si
0.10
O3前驱体；所述Li2CO3,SnO2和SiO2的摩尔比为1.1:(0.85
‑
1.05):(0.05
‑
0.15)；S2，将Li2Sn
0.90
Si
0.10
O3前驱体研磨均匀后放入高温马弗炉，烧结，然后自然冷却至室温，制得掺杂光催化剂Li2Sn
0.90
Si
0.10
O3。3.根据权利要求2所述的光催化剂的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李园园，曾寒露，蒲红争，任彦荣，
申请(专利权)人：重庆第二师范学院，
类型：发明
国别省市：