功率半导体封装器件及功率变换器制造技术

本申请提供一种功率半导体封装器件。该功率半导体封装器件包括依次层叠的功率半导体晶圆、导热层和散热器，以及包裹和密封功率半导体晶圆和至少部分导热层的密封件。功率半导体封装器件还包括管脚，管脚包括包裹于密封件内的连接段，以及位于密封件之外的延伸段。连接段与功率半导体晶圆电连接，延伸段与散热器的第一外表面之间的最近距离，大于功率半导体晶圆的最高工作电压所对应的爬电距离。通过管脚裸露于密封件外部的延伸段与第一外表面之间的距离限制，可以避免管脚出现爬电的现象。本申请还提供一种功率变换器。本申请还提供一种功率变换器。本申请还提供一种功率变换器。

【技术实现步骤摘要】
功率半导体封装器件及功率变换器


[0001]本申请涉及电路领域，尤其涉及一种功率半导体封装器件，以及一种包括该功率半导体封装器件的功率变换器。

技术介绍

[0002]功率半导体封装器件多应用于半导体电路中，作为功率变换器使用，以实现交直流转换、直流升压/降压等功能。含有功率变换器的半导体电路也多应用于太阳能逆变器、电动机驱动器、以及不间断供电电源等设备中，作为升压电路或逆变电路使用。
[0003]为了实现功率半导体封装器件的小型化，需要提高其内部各组件的集成度。但功率半导体封装器件多工作于高电压环境下，其外部裸露有管脚，小型化后的功率半导体封装器件容易出现管脚爬电的现象。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种功率半导体封装器件和功率变换器。在实现功率半导体封装器件小型化的同时，可以有效杜绝其裸露的管脚出现爬电现象。本申请具体包括如下技术方案：
[0005]第一方面，本申请提供一种功率半导体封装器件，包括功率半导体晶圆；导热层，包括层叠的上导热层、绝缘层和下导热层；绝缘层位于上导热层和下导热层之间；上导热层与功本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体封装器件，其特征在于，包括：功率半导体晶圆；导热层，包括层叠的上导热层、绝缘层和下导热层；所述绝缘层位于所述上导热层和所述下导热层之间；所述上导热层与所述功率半导体晶圆贴合；散热器，包括第一外表面，所述第一外表面与所述下导热层贴合；密封件，用于包裹和密封所述功率半导体晶圆、以及至少部分所述导热层；管脚，包括连接段和延伸段，所述连接段与所述功率半导体晶圆电连接，并同样包裹于所述密封件内；所述延伸段位于所述密封件之外，且所述延伸段与所述第一外表面之间的最近距离，大于所述功率半导体晶圆的最高工作电压所对应的爬电距离。2.根据权利要求1所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述连接段沿自身长度方向具有相对的第一端和第二端，所述第一端与所述功率半导体晶圆电连接，所述第二端与所述延伸段连接，且所述第一端与所述第一外表面之间的距离，小于所述第二端与所述第一外表面之间的距离。3.根据权利要求1或2所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述管脚与所述上导热层固定连接，以实现所述管脚与所述功率半导体晶圆之间的电连接。4.根据权利要求3所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述功率半导体晶圆包括第一功能端口，所述第一功能端口位于所述功率半导体晶圆靠近所述上导热层一侧，所述第一功能端口通过所述上导热层与所述管脚电连接。5.根据权利要求4所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述功率半导体晶圆还包括第二功能端口，所述上导热层包括相互隔离的第一导热区和第二导热区，所述管脚的数量为两个，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈东，石磊，刘云峰，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：