药液、抗蚀剂图案的形成方法、半导体芯片的制造方法、药液收容体及药液的制造方法技术

本发明专利技术提供一种作为预湿液使用时缺陷抑制性优异的药液。本发明专利技术还提供抗蚀剂图案的形成方法、半导体芯片的制造方法、药液收容体及药液的制造方法。本发明专利技术的药液含有环己酮及选自包括通式(1)所表示的化合物、通式(2)所表示的化合物及通式(3)所表示的化合物的组中的1种以上的第1化合物，所述药液中，环己酮的含量相对于药液总质量为98.000～99.999质量％，第1化合物合计含量相对于所述药液总质量为0.001～100质量ppm，所述药液可作为预湿液使用。用。用。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】药液、抗蚀剂图案的形成方法、半导体芯片的制造方法、药液收容体及药液的制造方法


[0001]本专利技术涉及药液、抗蚀剂图案的形成方法、半导体芯片的制造方法、药液收容体及药液的制造方法。

技术介绍

[0002]在制造半导体器件时，作为预湿液，使用含有有机溶剂药液。
[0003]近年来，随着半导体产品的高度化，对半导体制造中使用的上述药液要求更高的缺陷抑制性。
[0004]作为用作预湿液的药液，专利文献1中举出了“溶解向被处理基板供给的涂布液的溶剂，且其粘性率为2.0cP(厘泊)以上的预湿剂(权利要求1)”，作为其具体例，可以举出环己酮(权利要求5)。
[0005]以往技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2004
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039828号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的技术课题
[0009]本专利技术人等发现了将上述预湿剂应用于半导体器件的制造工艺时，对缺陷发生的抑制性有改善的余地。
[0010]因此，本专利技术的课题是提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种药液，其含有：环己酮；及选自由通式(1)所表示的化合物、通式(2)所表示的化合物及通式(3)所表示的化合物组成的组中的1种以上的第1化合物，所述环己酮的含量相对于所述药液总质量为98.000质量％～99.999质量％，所述第1化合物的合计含量相对于所述药液总质量为0.001质量ppm～100质量ppm，所述药液作为预湿液使用，2.根据权利要求1所述的药液，其中，所述药液中，所述通式(1)所表示的化合物的含量相对于所述药液总质量为0.01质量ppm～70质量ppm。3.根据权利要求1或2所述的药液，其中，所述药液中，所述第1化合物的合计含量相对于所述药液总质量为0.005质量ppm～95质量ppm。4.根据权利要求1至3中任一项所述的药液，其中，所述药液中，所述通式(1)所表示的化合物的含量相对于所述通式(2)所表示的化合物的含量的质量比为1～500。5.根据权利要求1至4中任一项所述的药液，其中，所述药液中，所述通式(1)所表示的化合物的含量相对于所述通式(3)所表示的化合物的含量的质量比为1～3000。6.根据权利要求1至5中任一项所述的药液，其中，所述药液中，所述通式(2)所表示的化合物的含量相对于所述通式(3)所表示的化合物的含量的质量比为1～150。7.根据权利要求1至6中任一项所述的药液，其中，还含有选自由2
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羟基环己酮、3
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羟基环己酮及4
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羟基环己酮组成的组中的1种以上的羟基环己酮，所述羟基环己酮的合计含量相对于所述药液总质量为0.001质量ppm～1000质量ppm。8.根据权利要求7所述的药液，其中，所述药液中，所述2
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羟基环己酮的含量相对于所述3
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羟基环己酮的含量的质量比为0.005～300。9.根据权利要求7或8所述的药液，其中，所述药液中，所述2
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羟基环己酮的含量相对于所述4
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羟基环己酮的含量的质量比为0.01～15。10.根据权利要求7至9中任一项所述的药液，其中，
所述药液中，所述3
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羟基环己酮的含量相对于所述4
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羟基环己酮的含量的质量比为0.003～100。11.根据权利要求1至10中任一项所述的药液，其中，还含有1，2
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环己烷二酮，所述1，2
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环己烷二酮的含量相对于所述药液总质量为0.0005质量ppm～40质量ppm。12.根据权利要求1至11中任一项所述的药液，其中，还含有环己醇，所述环己醇的含量相对于所述药液总质量为0.0003质量ppm～30质量ppm。13.根据权利要求1至12中任一项所述的药液，其中，还含有1
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己酸，所述1
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己酸的含量相对于所述药液总质量为5质量ppm～600质量ppm。14.根据权利要求1至13中任一项所述的药液，其中，含有1，2
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环己烷二酮及环己醇，所述药液中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：上村哲也，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：