【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】配备具有多个宽带输出的辐射源的量测设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2019年2月15日递交的欧洲申请19157342.7的优先权,该欧洲申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
[0003]本专利技术涉及一种用于执行作为光刻制造工艺的一部分的测量的量测装置。
技术介绍
[0004]光刻设备是构造为将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如,掩模)处的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影至提供于衬底(例如,晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了将图案投影在衬底上,光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定可以形成于衬底上的特征的最小尺寸。当前在使用中的典型波长为365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。相比于使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备,使用具有在4nm至20nm的范围内的波长(例如,6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于光刻制造工艺中的量测设备,包括:辐射源,所述辐射源包括驱动激光器,该驱动激光器具有分裂成多个光学路径的输出,所述多个光学路径中的每个都包括各自的宽带光产生器,该宽带光产生器包括用于产生宽带辐射的充气式中空芯部光子晶体光纤;照射光学器件,所述照射光学器件用于使用来自所述辐射源的辐射照射位于衬底上的结构;至少一个检测系统,所述至少一个检测系统用于检测已经由所述结构散射的散射辐射;以及处理器,所述处理器用于根据所述散射辐射确定所述结构的感兴趣的参数。2.如权利要求1所述的量测设备,其中,所述宽带光产生器中的每一个都包括超连续谱产生器。3.如前述权利要求中任一项所述的量测设备,其中,所述宽带光产生器中的至少两个宽带光产生器中的每个都包括不同的输出特性,使得所产生的辐射的输出光谱是不同的,并且其中,可选地,所有所述宽带光产生器中的每个都包括不同的输出特性,使得所产生的辐射的输出光谱是不同的。4.如权利要求1或2中任一项所述的量测设备,其中,所述宽带光产生器中的至少两个是相似的,使得所产生的辐射的输出光谱是相似的,并且其中,可选地,所述宽带光产生器都是相似的,使得由每一个宽带光产生器所产生的辐射的输出光谱是相似的。5.如前述权利要求中任一项所述的量测设备,所述量测设备能够操作以提供串行输出,其中,使用光学开关装置串行地分裂所述驱动激光器的输出。6.如权利要求5所述的量测设备,其中,所述光学开关装置包括声光调制器、电光调制器、MEMS装置、翻转镜像装置或滤波器开关装置中的一个。7.如权利要求5或6所述的量测设备,其中,所述光学开关装置将所述驱动激光器分裂成少于五个的光学路径,所述少于五个的光学路径中的每个都包括各自的宽带光产生器,并且其中,可选地,...
【专利技术属性】
技术研发人员:保罗,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:
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