用于有机电子器件的组合物制造技术

技术编号:30134935 阅读:18 留言:0更新日期:2021-09-23 14:18
本发明专利技术涉及一种包含电子传输主体和空穴传输主体的组合物,其在电子器件中的用途以及包含所述组合物的电子器件。所述电子传输主体更优选选自三嗪

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于有机电子器件的组合物


[0001]本专利技术涉及一种包含电子传输主体和空穴传输主体的组合物,其在电子器件中的用途以及包含所述组合物的电子器件。所述电子传输主体更优选选自三嗪

二苯并呋喃

咔唑体系的类别或三嗪

二苯并噻吩

咔唑体系的类别。所述空穴传输主体优选选自双咔唑的类别。

技术介绍

[0002]长久以来已知其中将有机半导体用作功能材料的有机电致发光器件(例如,OLED

有机发光二极管,或OLEC

有机发光电化学电池)的结构。除荧光发光体以外,在此使用的发光材料通常越来越多地是有机金属络合物,其展示磷光而不是荧光。出于量子力学的原因,使用有机金属化合物作为磷光发光体,能量效率和功率效率可以达到四倍增加。然而,一般而言,仍然需要改进OLED,尤其是展示出三重态发光(磷光)的OLED,例如在效率、工作电压和寿命方面需要改进。
[0003]有机电致发光器件的性质不仅由所使用的发光体决定。在此同样特别重要的尤其是所使用的其它材料,例如主体/基质材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、空穴传输材料以及电子或激子阻挡材料,并且其中特别重要的是主体或基质材料。这些材料的改进可引起电致发光器件的显著改进。
[0004]用于有机电子器件中的主体材料是本领域技术人员众所周知的。术语“基质材料”在现有技术中经常也用于指用于磷光发光体的主体材料。所述术语的这种使用也适用于本专利技术。同时,已经开发出用于荧光电子器件和磷光电子器件两者的多种主体材料。
[0005]改进电子器件,尤其是有机电致发光器件的性能数据的另一手段是使用两种或更多种材料,尤其是主体材料或基质材料的组合。
[0006]US 6,392,250 B1公开了由电子传输材料、空穴传输材料和荧光发光体组成的混合物在OLED的发光层中的用途。与现有技术相比,借助于这种混合物,可以改进OLED的寿命。
[0007]US 6,803,720 B1公开了包含磷光发光体和空穴传输材料以及电子传输材料的混合物在OLED的发光层中的用途。空穴传输材料和电子传输材料两者都是小有机分子。
[0008]根据WO 2015/169412,例如,三嗪

二苯并呋喃

咔唑衍生物和三嗪

二苯并噻吩

咔唑衍生物同样可以以混合物使用。根据描述,咔唑衍生物不经由咔唑的氮原子与二苯并呋喃或二苯并噻吩基本骨架键合。例如,描述了命名为E34的OLED的制造,其在发光层中含有主体材料EG1、IC6和磷光发光体TEG1。所用化合物的结构如下所示:
[0009][0010]根据WO 2015/165563,例如,三嗪

二苯并呋喃

咔唑衍生物和三嗪

二苯并噻吩

咔唑衍生物同样可以以混合物使用。咔唑衍生物也应理解为是指例如茚并咔唑和吲哚并咔唑的化合物。根据描述,咔唑衍生物在二苯并呋喃/二苯并噻吩的8位不经由咔唑的氮原子与二苯并呋喃或二苯并噻吩基本骨架键合。三嗪取代基直接或经由连接基团键合在二苯并呋喃/二苯并噻吩的4位。例如,描述了命名为E9的OLED的制造,其在发光层中含有主体材料EG9、IC3和磷光发光体TEG1。所用化合物EG9和IC3的结构如下所示:
[0011][0012]根据WO 2015/014435,可以例如在发光层中使用三嗪

二苯并呋喃

咔唑衍生物和三嗪

二苯并噻吩

咔唑衍生物作为主体材料。
[0013]CN107973786同样描述了三嗪

二苯并呋喃

咔唑和三嗪

二苯并噻吩

咔唑化合物。三嗪取代基直接或经由连接基团键合在二苯并呋喃/二苯并噻吩的1位。咔唑衍生物直接或经由连接基团键合在二苯并呋喃/二苯并噻吩的6位。进一步报道了这些材料可以与双咔唑H2以10:90至90:10的比率混合。
[0014]KR20160046077描述了在发光层中的特定三嗪

二苯并呋喃

咔唑和三嗪

二苯并噻吩

咔唑衍生物以及另外的主体材料。
[0015]US20160293853描述了可以与另外的主体材料组合使用的特定二苯并呋喃衍生物。
[0016]US9771373描述了一种有机发光器件,其具有含有两种主体材料的发光层,其中主体材料各自选自特定化合物组。
[0017]WO 2016/015810描述了三嗪

二苯并呋喃

咔唑和三嗪

二苯并噻吩

咔唑化合物,其中三嗪取代基直接或经由连接基团键合在二苯并呋喃/二苯并噻吩的1位,并且其中咔唑取代基经由其氮原子键合在二苯并呋喃/二苯并噻吩的8位。根据描述,所提及的化合物可以与另外的基质材料混合使用。
[0018]KR2018010149描述了与WO 2016/015810中描述的那些类似的化合物。
[0019]公开WO 2018/174678和WO 2018/174679公开了在有机层中含有咔唑

二苯并呋喃衍生物与双咔唑的混合物的器件,其中咔唑单元与二苯并呋喃骨架的连接在二苯并呋喃中的任何位置都是可能的,但优选在6或7位。
[0020]公开EP3415512特别描述了式1

1的二苯并呋喃衍生物,其中苯基、吡啶、嘧啶或三嗪取代基可以直接或经由连接基团连接在二苯并呋喃的1位,并且其中至少两个相同的L2‑
Ar3取代基可以连接在二苯并呋喃的6和8位上。这里Ar3可以是经由N键合的咔唑。在实施例中,这样的化合物与特定的双咔唑组合使用。
[0021]然而,在使用这些材料的情况下或在使用这些材料的混合物的情况下仍然需要改进,尤其是在有机电子器件的效率、工作电压和/或寿命方面仍然需要改进。

技术实现思路

[0022]因此,本专利技术解决的问题是提供如下材料:其适用于有机电子器件,尤其是有机电致发光器件,且尤其是磷光OLED,并且导致良好的器件性质,尤其是在改进的功率效率、改进的工作电压和/或改进的寿命方面导致良好的器件性质,以及提供相应的电子器件。
[0023]此时已经发现,通过含有式(1)的化合物且包含式(2)的空穴传输主体的组合物,以及通过含有所述组合物的有机电子器件,解决了所述问题并消除了现有技术的缺点。这种组合物导致有机电子器件,尤其是有机电致发光器件的非常好的性质,尤其是在功率效率、工作电压和/或寿命方面实现非常好的性质,并且尤其还在发光层中存在发光组分的情况下,尤其是与浓度为2重量%至25重量%的式(3)的发光体组合的情况下实现非常好的性质。本专利技术的器件本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种组合物,所述组合物包含至少一种式(1)的化合物和至少一种式(2)的化合物,其中使用的符号和标记如下:X1在每种情况下相同或不同并且为CR0或N,条件是至少一个X1基团为N;X在每种情况下相同或不同并且为C或N,其中两个相邻的X可与式A的环系键合,其中*在每种情况下为与X的键合位点,Y1选自NAr1、C(R*)2、O和S;Y选自O或S;L在每种情况下相同或不同且为单键或具有6至30个芳族环原子且可被一个或多个R5基团取代的芳族环系;n和m在每种情况下独立地为0、1、2或3,o、p和q在每种情况下独立地为0、1、2、3或4;Ar1在每种情况下独立地为具有5至40个芳族环原子且可被一个或多个R3基团取代的芳基或杂芳基基团;R
A
为H、

L3‑
Ar4或

L1‑
N(Ar)2;R
B
为Ar3或

L2‑
N(Ar)2;
L1、L2在每种情况下相同或不同且为单键或具有5至30个芳族环原子且可被一个或多个R3基团取代的芳族或杂芳族环系;L3为单键或具有5至30个芳族环原子且可被一个或多个R3基团取代的芳族或杂芳族环系,其中一个取代基R3可与咔唑上的取代基R2形成环;Ar3为具有6至40个芳族环原子的芳族环系或具有10至40个芳族环原子的杂芳族环系,所述芳族环系或杂芳族环系可被一个或多个R3基团取代;Ar4在每种情况下相同或不同且为未取代或取代的9

芳基咔唑基或者未取代或取代的咔唑
‑9‑
基,所述9

芳基咔唑基或咔唑
‑9‑
基可被一个或多个R4基团取代,并且其中在一种或多种情况下两个R4基团中的每一个或一个R4基团连同一个R2基团一起可独立地形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环,其中芳基为具有5至30个芳族环原子且可被R3取代的芳族或杂芳族环系;R
*
在每种情况下相同或不同且为具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有6至12个碳原子的芳基基团,其中两个取代基R
*
一起可形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系,所述脂族、芳族或杂芳族环系可被一个或多个取代基R5取代;R0、R、R1、R2在每种情况下相同或不同并且选自H,D,F,Cl,Br,I,CN,NO2,N(Ar)2,N(R3)2,C(=O)Ar,C(=O)R3,P(=O)(Ar)2,P(Ar)2,B(Ar)2,Si(Ar)3,Si(R3)3,具有1至20个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷基基团,或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团,或具有2至20个碳原子的烯基基团,所述基团各自可被一个或多个R3基团取代,其中一个或多个不相邻的CH2基团可被R3C=CR3、Si(R3)2、C=O、C=S、C=NR3、P(=O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3替代,并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2替代,具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R3基团取代的芳族或杂芳族环系,具有5至40个芳族环原子且可被一个或多个R3基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团,或具有5至40个芳族环原子且可被一个或多个R3基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团;同时,键合到同一碳原子或相邻碳原子的两个取代基R0和/或R和/或R1和/或R2任选地可形成可被一个或多个R3基团取代的单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系;R3在每种情况下相同或不同,并且选自H,D,F,CN,N(Ar)2,具有1至20个碳原子的脂族烃基基团,或具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系,其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I或CN替代且所述芳族或杂芳族环系可被一个或多个各自具有1至4个碳原子的烷基基团取代;同时,两个或更多个相邻的R3取代基可一起形成单环或多环的脂族环系;R4...

【专利技术属性】
技术研发人员:阿米尔
申请(专利权)人:默克专利有限公司
类型:发明
国别省市:

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