高灵敏度剩余电流动作断路器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高灵敏度剩余电流动作断路器，包括电源输入端、高灵敏度零序互感器、剩余电流试验电路、脱扣电源电路、高放控制电路，所述电源输入端依序与脱扣电源电路、高放控制电路、剩余电路检测电路电性连接，所述高灵敏度零序互感器由微晶铁芯与外层精密绕组构成,所述高放控制电路包括供电电阻R2、IC芯片、可控硅电路，所述可控硅电路与脱扣电源电路的正输出端连接，所述IC芯片通过供电电阻R2与脱扣电源电路的正输出端连接。其动作电流为1mA，灵敏度高，对漏电隐患起到报警或保护作用，可广泛应用于家庭、工厂、学校、航空业、船业、游乐设施、通信、电力、公共设施等等的用电提供安全保护。提供安全保护。提供安全保护。

【技术实现步骤摘要】
高灵敏度剩余电流动作断路器


[0001]本技术涉及低压断路器领域，特别涉及一种高灵敏度剩余电流动作断路器。

技术介绍

[0002]剩余电流动作断路器是一种主要用于检测剩余电流，将剩余电流值与基准值相比较，当剩余电流值超过基准值时，使主电路触头断开的机械开关电器。剩余电流动作断路器为保护人身和电器等财产安全提供了保障。但目前国内外所使用的剩余电流动作断路器灵敏度较低，一般微型剩余电流动作断路器动作电流为6至30mA。对漏电隐患起不到报警或保护作用。

技术实现思路

[0003]针对上述问题，本技术提供一种高灵敏度剩余电流动作断路器。
[0004]一种高灵敏度剩余电流动作断路器，包括电源输入端、高灵敏度零序互感器、脱扣电源电路、高放控制电路、剩余电路检测电路，所述电源输入端依序与脱扣电源电路、高放控制电路、剩余电路检测电路电性连接，所述高灵敏度零序互感器由微晶铁芯与外层精密绕组构成,所述高放控制电路包括供电电阻R2、IC芯片、可控硅电路，所述可控硅电路与脱扣电源电路的正输出端连接，所述IC芯片通过供电电阻R2与脱扣电源电路的正输出端连接。
[0005]所述高放控制电路设有稳压电路，所述稳压电路包括并联连接的电解电容C3、稳压二极管D6和电容C4，电解电容C3的正极接供电电阻R2，电解电容C3的负极接地。
[0006]所述脱扣电源电路包括二极管D1、D2、D3、D4、脱扣器、线圈，二极管D1、D2的正极接在一起作为电源正输出端，二极管D3、D4的负极接在一起作为电源负输出端，二极管D1的正极和二极管D3的负极，二极管D2的正极和二极管D4的负极分别连接，连接后再分别与电源输入端连接。
[0007]所述脱扣电源电路与电源输入端并联压敏电阻RV 。
[0008]所述高灵敏度剩余电流动作断路器设有剩余电流试验电路，所述剩余电流试验电路包括测试按钮、限流电阻R1，所述测试按钮、限流电阻R1与电源输入端相线和零线电性连接。
[0009]所述剩余电路检测电路包括两个剩余电流检测端，两个剩余电流检测端分别通过电阻R8和R9后与IC芯片的VR引脚与IN引脚连接，两个剩余电流检测端之间依次并联电阻R7和电容C10，VR引脚与IN引脚输入端之间并联电容C9，VR引脚与IN引脚输入端分别通过电容C5和电容C8接地。
[0010]所述可控硅电路包括可控硅，所述可控硅的控制端与IC芯片的OS引脚连接，可控硅的阴极接地，可控硅的阳极与脱扣电源电路连接，可控硅的控制端与阴极端依次并联电阻R6和电容C1。
[0011]本技术的有益效果：本技术采用由微晶铁芯与外层精密绕组构成的高灵
敏度零序互感器与高放控制电路配合使剩余电流动作断路器动作电流为1mA，灵敏度高，对漏电隐患起到报警或保护作用，可广泛应用于家庭、工厂、学校、航空业、船业、游乐设施、通信、电力、公共设施等等的用电提供安全保护。可用于屏蔽泄漏电流保护，可防止因潮湿、浸水引发的电流泄漏；防起火，防电路老化引起的火灾。
附图说明
[0012]图1为本技术的电路原理图。
具体实施方式
[0013]下面结合附图对本技术的实施例作进一步说明。
[0014]如图1所示，一种高灵敏度剩余电流动作断路器，包括电源输入端、脱扣器、高灵敏度零序互感器、动触点、静触点、剩余电流试验电路、脱扣电源电路、高放控制电路、剩余电路检测电路，所述电源输入端与脱扣电源电路、高放控制电路、剩余电路检测电路，所述脱扣器并联于电源输入端与动、静触点相连，所述剩余电流试验电路并联电源输入端，所述高灵敏度零序互感器由微晶铁芯与外层精密绕组构成, 微晶铁芯是由铁元素为主，加入少量的Nb、Cu、Si、B元素所构成的合金经快速凝固工艺所形成的一种非晶态材料，这种非晶态材料经热处理后可获得直径为纳米级别的，弥散分布在非晶态的基体上，被称为微晶、纳米晶材料，纳米晶材料具有优异的综合磁性能，可大大增强零序互感器的灵敏度。
[0015]所述高放控制电路包括供电电阻R2、IC芯片、可控硅电路和稳压电路，所述可控硅电路与稳压电路间通过供电电阻R2与脱扣电源电路的正输出端连接。所述稳压电路包括并联连接的电解电容C3、稳压二极管D6和电容C4，电解电容C3的正极接供电电阻R2，电解电容C3的负极接地。所述可控硅电路包括可控硅，所述可控硅的控制端与IC芯片的OS引脚连接，可控硅的阴极接地，可控硅的阳极与脱扣电源电路连接，可控硅的控制端与阴极端依次并联电阻R6和电容C1。电源电压经供电电阻R2、稳压电路后给IC芯片供电确保剩余电流动作断路器能正常工作。
[0016]所述脱扣电源电路包括二极管D1、D2、D3、D4，二极管D1、D2的正极接在一起作为电源正输出端，二极管D3、D4的负极接在一起作为电源负输出端，二极管D1的正极和二极管D3的负极，二极管D2的正极和二极管D4的负极分别连接，连接后再分别与电源输入端连接。
[0017]所述脱扣电源电路与电源输入端并联压敏电阻RV保护线路免遭过电压损害。
[0018]所述剩余电流试验电路包括测试按钮、限流电阻R1，所述测试按钮、限流电阻R1与电源输入端相线和零线电性连接。当按下测试按钮，电源输入端的相线和零线通过限流电阻R1连通，模拟一个漏电电流，测试断路器是否分断。
[0019]所述剩余电路检测电路包括两个剩余电流检测端，两个剩余电流检测端分别由零序互感器引出通过电阻R8和R9后与IC芯片的VR引脚与IN引脚连接，两个剩余电流检测端之间依次并联电阻R7和电容C10，VR引脚与IN引脚输入端之间并联电容C9，VR引脚与IN引脚输入端分别通过电容C5和电容C8接地。当电路中有剩余电流时，零序互感器检测到后产生电压，当漏电电流达一定值时，IC芯片的OS引脚输出脉冲，触发可控硅，使线圈接入大电流触发脱扣器从而分断电路。
[0020]实施例不应视为对本技术的限制，但任何基于本技术的精神所作的改
进，都应在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高灵敏度剩余电流动作断路器，其特征在于：包括电源输入端、高灵敏度零序互感器、脱扣电源电路、高放控制电路、剩余电路检测电路，所述电源输入端依序与脱扣电源电路、高放控制电路、剩余电路检测电路电性连接，所述高灵敏度零序互感器由微晶铁芯与外层精密绕组构成,所述高放控制电路包括供电电阻R2、IC芯片、可控硅电路，所述可控硅电路与脱扣电源电路的正输出端连接，所述IC芯片通过供电电阻R2与脱扣电源电路的正输出端连接。2.根据权利要求1所述的一种高灵敏度剩余电流动作断路器，其特征在于：所述高放控制电路设有稳压电路，所述稳压电路包括并联连接的电解电容C3、稳压二极管D6和电容C4，电解电容C3的正极接供电电阻R2，电解电容C3的负极接地。3.根据权利要求1所述的一种高灵敏度剩余电流动作断路器，其特征在于：所述脱扣电源电路包括二极管D1、D2、D3、D4，二极管D1、D2的正极接在一起作为电源正输出端，二极管D3、D4的负极接在一起作为电源负输出端，二极管D1的正极和二极管D3的负极，二极管D2的正极和二极管D4的负极分别连接，连接后再分别与...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑元昌，叶珠诚，叶献东，
申请(专利权)人：华通机电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：