低温固体介电常数测量方法技术

本发明专利技术提供一种低温固体介电常数测量方法，通过测试装置对具有待测固体介质的平板电容器进行降温，通过电容测量仪测量电容值，以及通过热应力仿真获得形变量，从而结合电容值及形变量，进行数据处理，可获得固体介质层在测试温度下的介电常数。本发明专利技术通过原位电容测量与低温形变仿真相结合的方式，可精确测试固体介质层在低温环境下的介电常数，测试方法简便，在低温环境下可行；采用开尔文四探针法测量电容值减小测试误差；通过热应力分析软件进行实体建模仿真分析，可使低温固体介电常数的计算更加准确；通过设计多组不同尺寸规格的平板电容器可得到多组电容值，经过数据处理，可进一步的减小测量误差。进一步的减小测量误差。进一步的减小测量误差。

【技术实现步骤摘要】
低温固体介电常数测量方法


[0001]本专利技术涉及低温微电子
，特别是涉及一种低温固体介电常数测量方法。

技术介绍

[0002]介电常数作为描述材料电磁特性的重要特征参数，在材料科学、微波工程、电磁学等领域有着重要作用，对于介电常数的精确测量一直是基础且重要的课题。其中，常温低频率下的固体介电常数的测量方法有电容法、电桥法、谐振回路法和矢量阻抗法等，但是在一些特殊的低温领域(如超导领域)，往往需要获知材料在低温环境下的介电常数。而由于低温环境的特殊性，对上述介电常数的测量方法提出了新的挑战，如怎样在低温环境下测量所需要的参数，怎样解决低温环境带来的材料形变问题等等。
[0003]因此，提供一种低温固体介电常数测量方法，实属必要。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种低温固体介电常数测量方法，用于解决现有技术中难以在低温下测量获得固体介电常数的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种低温固体介电常数测量方法，采用原位电容测试与低温形变本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温固体介电常数测量方法，采用原位电容测试与低温形变仿真相结合的方式测试固体介电常数，其特征在于，包括以下步骤：提供平板电容器，所述平板电容器包括依次叠置的第一极板、固体介质层及第二极板；提供测试装置，所述测试装置包括测试腔，将所述平板电容器置于所述测试腔内，并降温至测试温度；提供电容测量仪，所述电容测量仪分别与所述第一极板及第二极板电连接，以测量所述平板电容器在所述测试温度下的电容值；对所述平板电容器进行热应力仿真，通过实体建模，仿真所述平板电容器在降温过程中由温度变化所引起的形变量；结合所述电容值及形变量，进行数据处理，获得所述固体介质层在所述测试温度下的介电常数。2.根据权利要求1所述的低温固体介电常数测量方法，其特征在于：所述测试温度为77K以下。3.根据权利要求1所述的低温固体介电常数测量方法，其特征在于：所述测试装置进行降温的方式包括液氦降温或压缩机降温。4.根据权利要求1所述的低温固体介电常数测量方法，其特征在于：所述测试装置包括低温探针台。5.根据权利要求1所述的低温固体介电常数测量方法，其特征在于：对所述平板电容器进行所述电容值的...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐高卫，周全，任洁，谢晓明，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：