【技术实现步骤摘要】
拜耳法中减少垢的方法
本申请是以下申请的分案申请:申请日2014年12月22日,申请号201480076311.4,专利技术名称“拜耳法中减少垢的方法”。专利技术背景
[0001]专利
本专利技术涉及防止或减少氧化铝回收处理流中含铝硅酸盐垢的方法。
[0002]相关技术说明 存在两种用于从原矾土矿或矾土中回收氧化铝的方法,即,拜耳法和烧结法。这包括这两种方法的混合,以及对每种方法的修改。
[0003]拜耳法是用来由原矾土矿或矾土制造氧化铝的工业方法。矾土主要由铝氧化物(aluminum oxide)(Al2O3)(通常被称为氧化铝(alumina)),以及氧化铁和其他杂质(通常由于氧化铁造成的红色而被称为“红泥”)组成。在原矾土矿中少量存在的额外杂质包括二氧化硅、铝硅酸盐矿物以及有机物。
[0004]在拜耳法中,首先加热或用称作消解液的高苛性溶液消解磨碎的原矾土矿。消解液通常包括氢氧化钠(NaOH)连同由氧化铝沉淀法再循环利用的废液的苛性溶液。此溶解过程在高温下进行从而完全溶解所有含铝矿物,尤其是三水合氧化铝(三水铝矿)和一水合氧化铝(勃姆石和/或水铝石),从而产生过饱和的铝酸钠(Al(OH)4‑
+Na
+
)溶液或“母液”。红泥铁氧化物在此消解液中仍未被溶解,并且必须在分离纯化的氧化铝之前被去除。
[0005]如上所述,拜耳法中所使用的矾土矿还含有杂质矿物,这些杂质矿物取决于该矾土矿的来源包含不同形式和含量的二氧化硅。用来溶解铝矿物的苛性溶液还溶解该矾土矿中二氧化硅(尤其是以 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种减少拜耳法中含铝硅酸盐垢的方法,包括:鉴定在拜耳法的过程中经受垢形成的拜耳法设备表面;使该鉴定的拜耳法设备表面与有效形成经处理的表面的量的抑垢组合物接触,该经处理的表面比其他可比较的未经处理的表面在随后与拜耳法流接触时更能抵抗垢的形成;其中,该抑垢组合物包括含一种或多种水溶性盐的、具有至少约0.004wt/wt%或更大的总溶解盐的水溶液的液,或具有约11.0或更大的pH的液,该抑垢组合物进一步包含具有
‑
Si(OR)
n
基的含硅化合物;其中:n是从1至3的整数;并且R是H、任选取代的C1‑
C
20
烷基、任选取代的C6‑
C
12
芳基、任选取代的C7‑
C
20
芳烷基、任选取代的C2‑
C
20
烯基、第I族金属离子、第II族金属离子、或NR
14
;其中每个R1独立地选自H、任选取代的C1‑
C
20
烷基、任选取代的C6‑
C
12
芳基、任选取代的C7‑
C
20
芳烷基、以及任选取代的C2‑
C
20
烯基;并且使该经处理的表面与该拜耳法流接触;其中在暴露于拜耳法流之前,先以该液中的含硅化合物的溶液预处理拜耳法设备表面;其中含硅化合物是聚合物或聚合物型反应产物。2.如权利要求1所述的方法,其中n为3。3.如权利要求1所述的方法,其中该一种或多种水溶性盐的水溶液是拜耳法液。4.如权利要求1所述的方法,其中该一种或多种水溶性盐的水溶液包含至少1.0%的总溶解盐,优选包含至少5%的总溶解盐。5.如权利要求1所述的方法,其中该含硅化合物是聚合物或聚合物型反应产物,该聚合物或聚合物型反应产物具有悬挂到该聚合物或聚合物型反应产物上的根据式IV
–
的基团或端基
‑
Si(OR”)3ꢀꢀꢀꢀ
(IV)其中R”=H、C1‑
10
烷基、芳基、芳基烷基、Na、K或NH
4+
。6.如权利要求5所述的方法,其中该含硅化合物为包含具有式(I)的单元和具有式(II)
–
的单元的聚合物或聚合物型反应产物其中T1和E1各自独立地是第一任选取代的烃基,该第一任选取代的烃基包含从约2至约40个碳;Q1为H或第二任选取代的烃基,该第二任选取代的烃基包含从约1至约20个碳;A
1a
和A
2a
各自独立地是直接键或包含从约1至约20个碳的有机连接基团;
R
1a
是H、任选取代的C1‑
C
20
烷基、任选取代的C6‑
C
12
芳基、任选取代的C7‑
C
20
芳烷基、任选取代的C2‑
C
20
烯基、第I族金属离子、第II族金属离子、或NR
2a4
,其中每个R
2a
独立地选自H、任选取代的C1‑
C
20
烷基、任选取代的C6‑
C
12
芳基、任选取代的C7‑
C
20
芳烷基、以及任选取代的C2‑
C
20
烯基。7.如权利要求1所述的方法,其中该含硅化合物是至少一种多胺、第一氮反应性化合物、和第二氮反应性化合物的反应产物,其中:该第一氮反应性化合物包含
‑
Si(OR
1b
)3基和氮反应性基团,其中R
1b
是H、任选取代的C1‑
C
20
烷基、任选取代的C6‑
C
12
芳基、任选取代的C7‑
C
20
芳烷基、任选取代的C2‑
C
20
烯基、第I族金属离子、第II族金属离子、或NR
2b4
,每个R
3b
独立地选自H、任选取代的C1‑
C
20
烷基、任选取代的C6‑
C
12
芳基、任选取代的C7‑
C
20
芳烷基、以及任选取代的C2‑
C
20
烯基;该第二氮反应性化合物包含氮反应性基团并且不含Si(OR
1b
)3基。8.如权利要求1所述的方法,其中该含硅化合物为根据式(III)
–
的聚合物其中,w=1
‑
99.9%,x=0.1
‑
50%,y=0
‑
50%,z=0
‑
50%;Q3=C1‑
C
10
烷基、芳基、酰胺、丙烯酸脂、醚、或COX1R
1c
,其中X1是O、NH、或NP1,其中P1=C1‑
C3烷基、芳基、或O;R
1c
是H、Na、K、NH4、C1‑
C
10
烷基或芳基;R
2c
是C1‑
10
烷基或芳基;V1和V2独立地是H、C1‑
C3烷基、芳基、Na、K或NH4,或形成酸酐环;R
3c
是H、C1‑
C3烷基、芳基、Na、K或NH4;并且D1是N...
【专利技术属性】
技术研发人员:DA塞沃,CJ卡尔比克,F库拉,D史泰格,M泰勒,
申请(专利权)人:塞特工业公司,
类型:发明
国别省市:
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