位线预充电技术制造技术

本发明专利技术题为“位线预充电技术”。本文所述的各种具体实施涉及一种具有位单元阵列的设备，该位单元阵列能够经由字线以及包括未选择位线和选定位线的位线访问。该位单元阵列中的每个位单元能够经由该字线的选定字线和该位线的该选定位线来选择。该设备可包括预充电电路，该预充电电路被配置为在该选定字线上的字线信号到达之前选择性地对该未选择位线和该选定位线预充电。选定位线预充电。选定位线预充电。

【技术实现步骤摘要】
位线预充电技术

技术介绍

[0001]本节旨在提供与理解本文所述的各种技术相关的信息。如本节的标题所暗示的，这是对相关技术的讨论，绝不应当暗示其是现有技术。一般来讲，相关技术可被认为是或可不被认为是现有技术。因此，应当理解，本节中的任何陈述均应按此意义来理解，并且不作为对现有技术的任何认可。
[0002]在常规计算架构中，一些双端口存储器设计利用可用8
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晶体管(8T)位单元(例如，在RF2设计中)或用6
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晶体管(6T)位单元(例如，在伪2P设计中)实现的1读取和1写入(1R1W)。RF2(8T)设计通常以显著较差的密度提供较快的性能，而伪2P设计通常以较低频率为代价提供高密度。另外，在一些情况下，RF2设计可允许读取操作和写入操作同时发生，而伪2P设计(RA2P)可利用顺序周期(例如，内部读取周期后接写入周期)进行操作。对于RA2P设计，可在两个GTP时钟脉冲(即，2个全局时序脉冲)之间保持分离时间以满足内部设置和一些关键裕度。因此，最终周期时间是影响性能的“读取+分离+写入”时间，并且遗憾的是，对于联网架构中的积极时序要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，包括：位单元阵列，所述位单元阵列能够经由字线以及包括未选择位线和选定位线的位线访问，其中所述位单元阵列中的每个位单元能够经由所述字线的选定字线和所述位线的所述选定位线来选择；和预充电电路，所述预充电电路被配置为在所述选定字线上的字线信号到达之前选择性地对所述未选择位线和所述选定位线预充电。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述位单元阵列以列和行布置，并且其中所述列包括具有所述选定位线的选定列，并且其中所述列包括具有所述未选择位线的未选择列。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述预充电电路被配置为在所述选定字线上的所述字线信号到达之前，在所述相同时钟周期期间的不同时间选择性地对所述未选择位线和所述选定位线预充电。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述选定位线对应于写入位线，所述写入位线在所述未选择位线由所述预充电电路预充电时放电。5.根据权利要求4所述的设备，其中在对所述未选择位线预充电时使所述选定位线放电通过增加对于所述位单元阵列中的选定位单元的写入操作的速度来改善写入时间。6.根据权利要求4所述的设备，其中使所述选定位线放电和对所述未选择位线预充电在所述相同时钟周期期间并行实现。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述预充电电路被配置为用第一预充电信号对所述选定位线进行预充电，并且其中所述预充电电路被配置为用第二预充电信号对所述未选择位线进行预充电。8.一种存储器电路，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列以列和行布置，其中所述列包括选定列和未选择列，其中所述选定列包括能够经由选定字线和选定位线来选择的选定存储器单元，并且其中所述未选择列包括耦接到未选择位线的未选择存储器单元；和预充电电路，所述预充电电路在所述选定字线上的字线信号到达之前选择性地对所述选定位线和所述未选择位线预充电，其中：所述预充电电路被配置为用第一预充电信号对所述选定列中的所述选定位线进行预充电，并且所述预充电电路被配置为用第二预充电信号对所述未选择列中的所述未选择位线进行预充电。9.根据权利要求8所述的电路，其中所述预充电电路被配置为在...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：Arm有限公司，
类型：发明
国别省市：