【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】生成液滴图案的方法、用于利用液滴图案使膜成形的系统、以及利用液滴图案制造物品的方法
[0001]本公开涉及生成液滴图案的方法、用于利用液滴图案使膜成形的系统、以及利用液滴图案制造物品的方法。
技术介绍
[0002]纳米制造包括具有大约100纳米或更小的量级的特征的非常小的结构的制造。纳米制造已具有相当大的影响的一个应用是在集成电路的制造中。半导体处理产业继续为更大的产量而努力，同时增加在基板上形成的每单位面积的电路。纳米制造的改进包括提供更大的过程控制和/或改进生产量，同时还允许形成的结构的最小特征尺寸的继续减小。
[0003]如今使用的一种纳米制造技术通常被称为纳米压印光刻。纳米压印光刻在包括例如通过在基板上使膜成形来制造一个或多个层的集成设备的各种各样的应用中是有用的。集成设备的示例包括但不限于CMOS逻辑、微处理器、NAND闪存、NOR闪存、DRAM存储器、MRAM、3D交叉点存储器、Re
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RAM、Fe
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RAM、STT
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RAM、MEMS等。示例性的纳米...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种生成液滴图案信息的方法，包括：接收图案信息，所述图案信息包括以下中的一个或两个：代表性基板的基板图案；以及代表性模板的模板图案；接收关于特定基板的偏移信息，所述偏移信息代表所述特定基板相对于参考状态的测量状态；其中，所述液滴图案信息表示在所述特定基板上要放置可成型材料的微滴的多个位置；输出代表填充模板和处于所述测量状态的所述特定基板之间的体积的可成型材料的所述液滴图案信息，并且所述可成型材料不扩散到所述特定基板的边缘处的边界区域中。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述测量状态包括代表所述特定基板上的基板图案相对于所述代表性基板上的基板图案的参考位置的测量偏移的信息。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述测量偏移包括沿着第一轴的距离、沿着第二轴的距离、以及旋转角度中的一个或多个，所述沿着第一轴的距离、沿着第二轴的距离、以及旋转角度代表基板图案相对所述参考位置的测量偏移。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述测量状态包括代表所述特定基板的非屈从的外围部分的尺寸的信息。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述测量状态包括沿着第一轴的距离、沿着第二轴的距离、半径、偏心率、不圆度、边界区域的宽度、内边界区域轮廓中的一个或多个。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案信息包括图案布局信息，所述图案布局信息代表：将所述代表性基板划分成多个全场和多个局部场，所述多个局部场围绕所述多个全场，并且每个局部场由所述边界区域和由所述全场中的一个或多个界定；其中，所述多个全场当中的每个全场表示所述特定基板的要被所述模板压印的特定部分；并且其中，所述多个局部场当中的每个局部场表示所述特定基板的要被所述模板的与所述边界区域相交的部分压印的特定部分。7.根据权利要求6所述的方法，其中，生成所述液滴图案信息包括：生成全场液滴图案，所述全场液滴图案表示在代表性全场上要放置所述可成型材料的微滴的多个位置，其填充所述模板和所述代表性全场之间的体积，并且所述可成型材料在压印期间不扩散到所述代表性全场之外；以及生成多个局部场液滴图案，其中，每个局部场液滴图案通过基于所述偏移信息修改所述全场液滴图案以确定所述特定基板的边界区域与每个局部场液滴图案的相交来生成。8.根据权利要求7所述的方法，其中，修改所述全场液滴图案以生成每个局部液滴图案包括在所述特定基板上所述边界区域与每个局部场的相交处裁切所述全场液滴图案。9.根据权利要求8所述的方法，其中，修改所述全场液滴图案以生成每个局部液滴图案进一步包括在与所述边界区域相邻的局部场的区域中，进行以下中的一个或多个：添加微滴；去除微滴；以及移动微滴。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案信息包括图案布局信息，所述图案布局
信息代表：将代表性基板划分成多个全场和多个局部场，所述多个局部场围绕所述多个全场并且一侧由所述边界区域的相交和由所述全场中的一个或多个界定；其中，所述多个全场当中的每个全场具有相似的全图案；并且其中，所述多个局部场当中的每个局部场表示所述特定基板的具有所述全图案的与所述边界区域相交的部分的特定部分。11.根据权利要求10所述的方法，其中，生成所述液滴图案信息包括：生成全场液滴图案，所述全场液滴图案表示在代表性...
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