用于操作具有多个细束的带电粒子装置的装置和方法制造方法及图纸

公开了一种操作带电粒子束装置的方法，所述方法包括使多个细束中的每个细束依序通过偏转器(6)和扫描仪(12)。用物镜将细束中的每个细束聚焦在样本上以形成多个焦斑，从而形成阵列。第一细束(4A)聚焦在第一光斑(40A)上，并且第二细束(4D)聚焦在第二光斑(40D)上。在装置的居中配置中，多个细束中的每个细束由偏转器引导朝向无彗差点(100)。在装置的细束移位的配置中，扫描仪被扫描，使得第一细束通过可接受的像差点(105)，第一细束扫描经移位的第一视场；并且第一光斑从规则的第一焦斑移位到经移位的第一焦斑(45A)。经移位的第一焦斑(45A)。经移位的第一焦斑(45A)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于操作具有多个细束的带电粒子装置的装置和方法


[0001]本文所述的实施例涉及用于检查、缺陷检测、和/或关键尺寸应用中的带电粒子束装置。实施例还涉及操作带电粒子束装置的方法，所述带电粒子束装置诸如包括多于一个带电粒子的细束(beamlet)的装置。多束系统可用于诸如成像之类的一般目的，以及用于高通量电子束检查(EBI)。实施例还可涉及扫描带电粒子束装置以及使用诸如扫描电子显微镜(SEM)之类的扫描带电粒子束装置的检查方法。

技术介绍

[0002]带电粒子束装置有许多用途，诸如检查具有纳米级特征的半导体装置。现代半导体技术高度依赖于对在集成电路生产期间使用的各种工艺的精确控制。因此，检查半导体晶片以便检测问题。此外，可以对掩模或光罩(reticle)进行检查，以便确保掩模或光罩准确地界定期望的图案。
[0003]对晶片或掩模缺陷的检查可以包括对整个晶片或掩模区域的检查。因此，以高分辨率检查大面积是具有挑战性的。此外，尽可能地，期望要快速地执行检查，使得如果可能的话，生产产量不受检查过程的限制。
[0004]扫描电子显微镜(SEM本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种操作带电粒子束装置的方法，包括：使多个细束中的每个细束通过偏转器和扫描仪，其中所述细束在通过所述偏转器之后通过所述扫描仪；用物镜将所述多个细束中的每个细束聚焦在样本上以形成构成阵列的多个焦斑，所述聚焦包括将第一细束聚焦在第一光斑上以及将第二细束聚焦在第二光斑上；在所述装置的居中配置中，用所述偏转器将所述多个细束中的每个细束引导朝向垂直于光轴的虚拟平面上的无彗差点，其中所述第一光斑是由所述第一细束形成的规则的(regular)第一焦斑，并且扫描所述扫描仪，使得所述细束的每个细束扫描规则的视场，包括所述第一细束扫描规则的第一视场和所述第二细束扫描规则的第二视场；以及在所述装置的细束移位的配置中，扫描所述扫描仪，使得所述第一细束通过所述虚拟平面上的可接受的像差点，所述第一细束扫描经移位的第一视场，其中所述第一光斑从所述规则的第一焦斑移位到经移位的第一焦斑。2.如权利要求1所述的操作所述带电粒子束装置的方法，其中，在所述细束移位的配置中，所述经移位的第一视场在基本上垂直于所述光轴的方向上从所述规则的第一视场移位，并且所述扫描仪被扫描，使得所述第二细束扫描所述规则的第二视场。3.如任一前述权利要求所述的操作所述带电粒子束装置的方法，其中，在所述居中配置中，所述规则的第一焦斑在所述第一细束的规则的第一视场中居中；并且在所述细束移位的配置中，所述经移位的第一光斑在所述第一细束的经移位的视场中居中。4.如任一前述权利要求所述的操作所述带电粒子束装置的方法，其中在所述居中配置和所述细束移位的配置中，所述第二光斑在所述第二细束的规则的第二视场中居中。5.如任一前述权利要求所述的操作所述带电粒子束装置的方法，其中在所述居中配置中，所述阵列是规则地间隔开的。6.如任一前述权利要求所述的操作所述带电粒子束装置的方法，其中所述居中配置使得所述阵列的每个焦斑布置在虚拟环上；以及在所述细束移位的配置中，所述第一光斑从所述虚拟环移位。7.如任一前述权利要求所述的操作所述带电粒子束装置的方法，其中所述偏转器包括MEM，所述MEM被配置成在所述偏转器的每个偏转器元件处至少产生电偶极(dipole)和电四极(quadrupole)；并且每个偏转器元件被配置成使所述细束中的一个细束通过。8.如任一前述权利要求所述的操作所述带电粒子束装置的方法，其中所述可接受的像差点从所述虚拟平面上的所述无彗差点移位；其中
所述无彗差点位于所述物镜的场中。9.如任一前述权利要求所述的操作所述带电粒子束装置的方法，其中在所述居中配置中和在所述细束移位的配置中，所述细束中的每个细束由所述扫描仪扫描；以及在所述细束移位的配置中，所述第一细束由所述偏转器扫描，并且所述第二细束由所述偏转器朝向所述无彗差点静态地偏转。10.如任一前述权利要求所述的操作所述带电粒子束装置的方法，进一步包括：使所述第一细束通过小透镜，所述小透镜校正所述第一细束的像场弯曲(field curvature)。11.如权利要求10所述的操作所述带电粒子束装置的方法，其中校正所述第一细束的像场弯曲与所述扫描仪和/或所述偏转器的所述扫描同步；并且所述小透镜与所述扫描仪和/或偏转器同步地扫描。12.如任...

【专利技术属性】
技术研发人员：B，
申请(专利权)人：ICT半导体集成电路测试有限公司，
类型：发明
国别省市：