电光装置的制造方法、电光装置、电子设备制造方法及图纸

一种电光装置的制造方法及通过这种方法制造的电光装置和电子设备。电光装置具有在基板（２０）上将第１电极（２３）、电光层（６０）、第２电极（５０）依次叠层而成的电光元件，其制造方法包括由气相成长法、在上述基板（２０）上以覆盖上述电光元件的方式形成紫外线吸收层（３０）的工序，和用等离子环境中的气相成长法、以覆盖上述紫外线吸收层（３０）的方式形成气相阻断层（４０）的工序。由此能防止由氧气、水分等气体或者紫外线引起的电光层等的恶化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电光装置及其制造方法和具有这种电光装置的电子设备。
技术介绍
在电光装置的领域，提高对氧气或者水分的耐久性，成为一个课题。例如，构成有机EL(电致发光)显示器的有机EL元件，由无机阳极/(有机空穴注入层)/有机发光层/(电子注入层)/无机阴极构成的，其中特别是有容易放出电子的材料特性的电子注入层，容易与大气中存在的水分产生反应。一旦与水产生反应，就会丧失电子注入效果，形成被称为黑斑的非发光区域。因此，要有遮断水分的密封结构，但过去一般采用遮断水分的玻璃或者金属制的密封基板，用粘结剂粘合，作成中空结构，从粘结剂断面侵入的水分，被干燥剂捕捉，到达不了元件。(例如参考专利文献1、2)。专利文献1特开平7-169567号公报专利文献2特开平10-12376号公报但是，随着显示器的大型化及薄型化/轻量化，为了保持能耐外部应力的面板强度，需要从中空结构改为实心结构。另外，随着大型化，为确保足够的TFT(薄膜半导体)或者布线电路面积，需要采用从电路基板的相反一侧发光的顶端发射结构。这里，密封结构要作成透明、轻量、耐强度性优良的薄型结构，而且要做到即使除去干燥剂也能有防湿性能的结构。近年，研究了被称作薄膜密封的、透明且气体阻断性良好的SiOx、SiNx、AlOx薄膜，采用高密度等离子源的高密度等离子成膜法(离子镀、ECR等离子溅射、ECR等离子CVD、表面波等离子CVD、ICP-CVD等)，能够形成完全遮断水分的薄膜。然而利用这些方法时，产生一个问题，那就是成膜时产生的紫外线或者等离子体离子的影响下，底部发光层等发生恶化。而且不仅在制造工序中，而且在室外使用这种电光装置时，包含在室外光线中的紫外线，会缩短元件寿命，所以有必要保护发光元件不受这种紫外线损害。
技术实现思路
本专利技术是结合上述课题而进行的，目的在于提供一种电光装置及其制造方法、电子设备，通过形成气相阻断层，防止电光层的恶化。为实现上述目的，本专利技术电光装置的制造方法，是具有在基板上，至少把第一电极、电光层、第二电极依次叠层而构成的电光元件的的电光装置的制造方法，其特征在于包括由气相成长法，在上述基板上以覆盖上述电光元件的方式，形成紫外线吸收层的工序和由等离子环境中的气相成长法，以覆盖上述紫外线吸收层的方式，形成气相阻断层的工序。在本制造方法中，形成气相阻断层之前，先形成紫外线吸收层，所以用例如等离子CVD形成气相阻断层时产生的紫外线，在底部紫外线吸收层被吸收，由此可以防止布置在其下层侧电光层的光恶化。由于吸收紫外线，紫外线吸收层变为被激励状态，得到表面活性，气相阻断层变为更致密高质量的阻断层。并且，紫外线吸收层例如采用不是等离子环境的气相成长法形成，或者即使用等离子源，也可以不采用获得气体阻断性能所必需的高密度等离子源，因而电光层或者电极等不会受到损伤。而且，在室外等地使用电光装置时，紫外线吸收层吸收室外光线中包含的紫外线，在一般使用状态下，电光装置的耐光性也增强。上述电光层上，可以适用液晶或者电致发光(EL)材料等各种电光材料。另外，电光层不仅是单层而且可以由多个功能层的叠层膜构成。例如，通过在第1电极和第2电极之间，叠层空穴注入层、空穴输送层、EL发光层、电子输送层、电子注入层等组成的多个功能层，形成作为电光元件的EL发光元件。特别是像EL发光元件那样，通过由第1电极或者第2电极供给的载流子通过所述电光层，来发现功能的元件的情况下，至少在一部分区域，产生电子与空穴的存在几率不同的部分，那个部分的电荷平衡会受到破坏。该部分通常反应性高，例如与氧气或者水等反应后，形成结构缺陷(也就是载流子的捕捉点)，成为电光层功能下降的要因。因此与通过其他方法发现功能的结构相比较，设置气相阻断层的效果要大。本专利技术电光装置的制造方法，其特征在于具有在基板上形成多个第1电极的工序，在上述基板上形成具有与上述第1电极的形成位置对应的多个开口部的围堰结构体的工序，在上述围堰结构体的各开口部，分别形成电光层的工序，以覆盖上述围堰结构以及上述各电光层的方式，形成第2电极的工序，用气相成长法，以覆盖上述第2电极的方式形成紫外线吸收层的工序，用等离子环境中的气相成长法，以覆盖上述紫外线吸收层的方式，形成气相阻断层的工序。本制造方法是电光元件以被围堰结构体互相隔开的状态，在基板上形成多个的电光装置的制造方法。用本制造方法，在形成气相阻断层的工序中以及通常使用时，也能有效地防止电光元件的光恶化。而且，在基板上设置的多个电光层内，最外周部布置的部分的外侧部，由围堰结构体、第2电极、紫外线吸收层、气相阻断层等4层叠层而成，气相阻断层能确实防止氧气或者水分的侵入。并且，形成第2电极、紫外线吸收层、气相阻断层时，围堰结构体的外侧部，对基板垂直或者形成倒锥形状，则上述的电极或者各层在这里有可能会产生阶梯切断。因此，优选构成围堰结构体外侧部的面，对基板表面的角度大于等于110°。在上述各制造方法中，优选上述气相阻断层在减压下的高密度等离子环境中成膜。这样可以形成气体阻断性好的致密的膜。而且，优选紫外线吸收层用例如能量带间隙在2eV-6eV的氧化物半导体材料为主成分的材料。在形成气相阻断层工序中，发生高强度紫外区域的光，所以在这里产生的紫外光，有可能对电光层产生恶化。为此，以所述材料为主体，构成紫外线吸收层，能吸收宽的波长范围的光，变为成膜面的激励能量，由此能防止电光层的恶化，保证气相阻断层的高质量化。另外，能量带间隙不足3eV的材料，吸收电光层的可见光区域的光，电光装置的亮度降低，所以不能用于顶端发射结构。因此，采用顶端发射结构时，上述紫外线吸收层，最好用能量带间隙为3eV-6eV的氧化物半导体材料为主要成分的材料。在上述紫外线吸收层上，优选在上述紫外线吸收层，通过从在上述气相阻断层形成工序中使用的等离子产生的紫外线得到光触媒活性。这里，紫外线吸收层最表面，由于气相阻断层形成工序中产生的紫外线等光而被激励，发挥强烈的触媒作用。因此，即使在上述气相阻断层形成工序中，或者形成气相阻断层之前，在紫外线吸收层表面附着有机物等杂质，该杂质会被上述触媒作用分解、被清除掉，因而在气相阻断层的形成工序中，紫外线吸收层表面能经常保持干净。具有这种光触媒活性的材料，已知有例如氧化钛(TiO2)、钛酸锶(SrTiO3)、氧化锌(ZnO)、氧化钨(WO3)、氧化锡(SnO2)、氧化铌(Nb2O6)、钽酸钾(KTaO3)、氧化铁(Fe2O3)等氧化物半导体，在本专利技术的紫外线吸收层，可以把上述材料作为主要成分使用。适用于顶端发射型构造时，上述紫外线吸收层最好以包含钛、锌、锡之中任意元素的、透光性n型氧化粒半导体材料作为主要成分。这样采用透光性高的材料，可以提高光的取出效率。另外，在上述紫外线吸收层上，为提高光触媒活性，也可以含白金、金、银、铜中的至少一个元素，作为促进剂。上述本专利技术电光装置的制造方法中，可以在上述第2电极的露出面，形成上述紫外线吸收层。这时，最好紫外线吸收层的至少与上述第2电极相接的面一侧，含有氮，降低与上述第2电极之间的界面上的紫外线吸收层的导电性(即提高绝缘性)。这样，能防止紫外线吸收层被光激励产生的电荷，流到第2电极侧引起的电光层恶化。紫外线吸收层上使用氧化物半导体时，优选至少把第2电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光装置的制造方法，该电光装置具有在基板上至少把第１电极、电光层、第２电极依次叠层而构成的电光元件，其特征在于，包括利用气相成长法，在所述基板上，以覆盖所述电光元件的方式形成紫外线吸收层的工序，和利用等离子环境中的气相成 长法，以覆盖所述紫外线吸收层的方式，形成气相阻断层的工序。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林建二，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]