液晶显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种液晶显示面板及包括该液晶显示面板的显示装置，所述液晶显示面板的一个子像素内设置两个薄膜晶体管，与现有3T的像素结构相比，减少了薄膜晶体管的数量，提高像素开口率，并且在次区薄膜晶体管与次区液晶电容之间串联连接第三电容，次区电压由于电容增多而降低，使得液晶分子在主区的偏转角度大于液晶分子在次区的偏转角度，形成不同的视角，解决色偏问题。解决色偏问题。解决色偏问题。

【技术实现步骤摘要】
液晶显示面板及显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，特别涉及一种液晶显示面板及具有该液晶显示面板的显示装置。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管
‑
液晶显示器(TFT
‑
LCD)是当前平板显示器的主要产品之一，已成为大尺寸TV的主流技术，随着信息技术和人们生活水平的提升、人们对面板尺寸、解析度及显示器的画质的要求也越来越高。
[0003]液晶显示屏从不同角度观看，会出现色偏问题，为了改善色偏，现有技术中采用3T8畴的像素结构进行改善，即一个子像素的像素电极分割成主区和次区，主区和次区内分别有4个畴，亮区main(或称主区)与暗区sub(或称次区)之间设置3个TFT(薄膜晶体管)的像素结构，现有的3T8畴像素结构的等效电路图如图1所示，图1中，主区薄膜晶体管T
main
的栅极连接扫描线Gate，源极连接数据曲线Data，漏极分别连接主区存储电容C
st_main
的一端和主区液晶电容C
lc_main
的一端，所述主区存储电容C
st_main
的另一端连接阵列电极Acom，主区液晶电容C
lc_main
的另一端连接CF电极CFcom，次区薄膜晶体管T
sub
的栅极连接扫描线Gate，源极连接数据线Data，漏极分别连接次区存储电容C
st_sub
的一端和次区液晶电容C
lc_sub
的一端，所述次区存储电容C
st_sub
的另一端连接阵列电极Acom，次区液晶电容C
lc_sub
的另一端连接CF电极CFcom，共享薄膜晶体管T
cs
的栅极连接数据线Gate，源极连接次区薄膜晶体管T
sub
的漏极，漏极连接阵列电极Acom。
[0004]此外，现有技术中还有3TPLUS8畴的像素结构，参照图2，与3T8畴的像素结构的差别在于，在亮区main和暗区sub之间增加了一个第二阵列电极Acom2，共享薄膜晶体管T
cs
的漏极连接第二阵列电极Acom2。
[0005]不论是3T8畴的像素结构还是3TPLUS8畴的像素结构，都是在主区main和次区sub施加不同的电压，使液晶分子倾斜角度程度不一样，改善视角色偏问题，但是，目前的3T8畴的像素结构设计和3TPLUS8畴的像素结构设计，会影响像素开口率，导致开口率会减小，进而导致TFT液晶显示器的光学穿透率不佳。

技术实现思路

[0006]本专利技术目的在于，提供一种液晶显示面板及显示装置，以解决现有液晶显示面板开口率低导致光学穿透率不佳的问题。
[0007]具体地，本专利技术采用的技术方案为：
[0008]一种液晶显示面板，包括：相对设置的彩膜基板和阵列基板，设置于所述阵列基板朝向所述彩膜基板一面，所述彩膜基板和所述阵列基板之间设置有液晶层，所述液晶层包括多个液晶分子，所述彩膜基板朝向所述阵列基板一面设置有第一公共电极，所述阵列基板朝向所述彩膜基板一面设置有第二公共电极；以及呈阵列排布的多个子像素，每个所述子像素定义有间隔排布的主区和次区，每一行所述子像素对应设置一条扫描线，所述扫描
线位于所述主区和所述次区之间，每一列所述子像素对应设置一条数据线；所述主区包括：第一薄膜晶体管、第一存储电容和第一液晶电容，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接，其源极连接所述数据线，其漏极分别连接所述第一存储电容的一端和所述第一液晶电容的一端，所述第一存储电容的另一端连接所述第二公共电极，所述第一液晶电容的另一端连接所述第一公共电极；所述次区包括：第二薄膜晶体管、第二存储电容和第二液晶电容，所述第二薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接，其源极连接所述数据线，其漏极分别连接所述第二存储电容的一端和所述第二液晶电容的一端，所述第二存储电容的另一端连接所述第二公共电极，所述第二液晶电容的另一端连接所述第一公共电极；所述次区还包括第三电容，所述第三电容串联连接于所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二液晶电容之间，使得所述次区所对应的所述液晶分子的偏转角度小于所述主区所对应的所述液晶分子的偏转角度。
[0009]可选的，所述次区的电压小于所述主区的电压。
[0010]可选的，所述次区的电压V
sub
与所述主区的电压V
main
之间的关系式为：V
sub
＝V
main
*C
x
/(C
lc_sub
+C
x
)，式中，V
sub
为次区的电压值，V
main
为主区的电压值，C
x
为第三电容，C
lc_sub
为第二液晶电容。
[0011]可选的，位于所述次区内的次像素电极下方的所述阵列基板内设置有底电极，所述第三电容由所述底电极与所述次像素电极形成。
[0012]可选的，所述底电极朝向所述次像素电极一面设置有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层与所述次像素电极之间设置有保护层。
[0013]可选的，所述栅极绝缘层背离所述底电极一面设置有第一金属层，所述栅极绝缘层表面开设有至少一个贯通所述栅极绝缘层的通孔，所述底电极朝向所述栅极绝缘层一面暴露于所述通孔，所述第一金属层沉积于所述通孔并与所述底电极电性连接。
[0014]可选的，所述底电极与子像素的主像素电极一一对应，一个所述底电极对应一个子像素的主像素电极。
[0015]可选的，一个所述底电极对应两个以上子像素的主像素电极。
[0016]可选的，所述主区内设置有与所述第一薄膜晶体管的漏极连接的第一存储电极；所述第一存储电容由所述第一存储电极与所述第二公共电极形成；所述第一液晶电容由所述主区内的主像素电极与所述第一公共电极形成；所述第一存储电极通过过孔与所述主像素电极连接；所述次区内设置有与所述第二薄膜晶体管的漏极连接的第二存储电极；所述第二存储电容由所述第二存储电极与所述第二公共电极形成；所述第二液晶电容由所述次区内的次像素电极与所述第一公共电极形成；所述第二存储电极通过过孔与所述次像素电极连接。
[0017]为实现上述目的，本专利技术还提供一种显示装置，包括如前所述的液晶显示面板。
[0018]本专利技术的有益效果在于，本专利技术所提供的液晶显示面板，一个子像素中薄膜晶体管的数量为2个，形成Normal 2T+8畴的子像素结构设计，减少了子像素内薄膜晶体管的数量，能够消除该第三薄膜晶体管放电对阵列基板侧公共电极的影响，减少水平串扰现象的发生，并进一步提高像素开口率，并且在次区薄膜晶体管与次区液晶电容之间串联连接第三电容，次区电压由于电容发生变化，使得液晶分子在主区和次区的偏转角度不同，形成不同的视角，解决色偏问题。
附图说明
[0019]下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示面板，包括：相对设置的彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板之间设置有液晶层，所述液晶层包括多个液晶分子，所述彩膜基板朝向所述阵列基板一面设置有第一公共电极，所述阵列基板朝向所述彩膜基板一面设置有第二公共电极；以及呈阵列排布的多个子像素，设置于所述阵列基板朝向所述彩膜基板一面，每个所述子像素定义有间隔排布的主区和次区，每一行所述子像素对应设置一条扫描线，所述扫描线位于所述主区和所述次区之间，每一列所述子像素对应设置一条数据线；所述主区包括：第一薄膜晶体管、第一存储电容和第一液晶电容，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接，其源极连接所述数据线，其漏极分别连接所述第一存储电容的一端和所述第一液晶电容的一端，所述第一存储电容的另一端连接所述第二公共电极，所述第一液晶电容的另一端连接所述第一公共电极；所述次区包括：第二薄膜晶体管、第二存储电容和第二液晶电容，所述第二薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接，其源极连接所述数据线，其漏极分别连接所述第二存储电容的一端和所述第二液晶电容的一端，所述第二存储电容的另一端连接所述第二公共电极，所述第二液晶电容的另一端连接所述第一公共电极；其特征在于，所述次区还包括第三电容，所述第三电容串联连接于所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二液晶电容之间，使得所述次区所对应的所述液晶分子的偏转角度小于所述主区所对应的所述液晶分子的偏转角度。2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述次区的电压小于所述主区的电压。3.如权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，所述次区的电压V
sub
与所述主区的电压V
main
之间的关系式为：V
sub
＝V
main
*C
x
/(C
lc_sub
+C
...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴万春，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：