半导体用黏合剂、固化物及半导体器件制造技术

技术编号:30030030 阅读:16 留言:0更新日期:2021-09-15 10:19
本发明专利技术提供一种半导体用黏合剂,其含有(A)银粒子和(B)具有(甲基)丙烯酰基的单体,所述(A)成分包含第1银粒子,所述第1银粒子的BET比表面积为0.3m2/g以下,所述第1银粒子的平均粒径为7.0μm以上。粒径为7.0μm以上。粒径为7.0μm以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体用黏合剂、固化物及半导体器件


[0001]本专利技术涉及一种半导体用黏合剂(adhesive)、固化物及半导体器件。

技术介绍

[0002]半导体装置中所使用的半导体器件通常通过黏合剂(晶粒接合材料)将半导体芯片(chip)等半导体元件与引线框架等支承部件黏合来制造。以往,作为半导体用黏合剂,已知有金

硅共晶、焊料、糊状树脂组合物等,但是,近年来,从作业性及成本的观点而言,糊状的树脂组合物被广泛使用。
[0003]半导体芯片等半导体元件具有随着高集成化及微细化而集成密度变高、每单位面积的发热量增加的倾向。因此,在搭载有半导体元件的半导体器件中,需要有效地将从半导体元件产生的热向外部散热。
[0004]并且,以往,在功率器件用封装体的元件的黏合中,焊料接合为主流,但从环境问题的观点而言,焊料的脱铅化的趋势盛行。伴随于此,安装用途或晶粒接合用途中,作为代替焊料的黏合剂,含有树脂成分的半导体用黏合剂的要求越来越高。
[0005]然而,在含有树脂成分的従来的半导体用黏合剂中,导热率比焊料小,期望实现高热传导性。相对于此,提出有作为半导体用黏合剂的构成成分使用银粒子(例如,参考下述专利文献1)。
[0006]以往技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本特开2006

73812号公报

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的技术课题
[0010]其中,对于用于使半导体元件与支承部件黏合的半导体用黏合剂,从将从半导体元件产生的热更有效地向外部散热的观点而言,要求提高导热性。
[0011]本专利技术的目的在于提供一种具有优异的导热性的半导体用黏合剂及其固化物。本专利技术的目的在于提供一种使用所述半导体用黏合剂或其固化物的半导体器件。
[0012]用于解决技术课题的手段
[0013]本专利技术的一方式所涉及的半导体用黏合剂含有(A)银粒子和(B)具有(甲基)丙烯酰基的单体,所述(A)成分包含第1银粒子,所述第1银粒子的BET比表面积为0.3m2/g以下,所述第1银粒子的平均粒径为7.0μm以上。
[0014]从具有优异的导热性的观点而言,上述的半导体用黏合剂及其固化物能够将从半导体元件产生的热有效地向外部散热。
[0015]本专利技术的其他方式所涉及的半导体器件具备支承部件;半导体元件;及配置于支承部件与半导体元件之间的黏合剂层,黏合剂层包含上述的半导体用黏合剂或其固化物。
[0016]专利技术效果
[0017]根据本专利技术,能够提供一种具有优异的导热性的半导体用黏合剂及其固化物。根据本专利技术,能够将从半导体元件产生的热有效地向外部散热。根据本专利技术,能够提供一种使用所述半导体用黏合剂或其固化物的半导体器件。
[0018]根据本专利技术,能够提供一种半导体用黏合剂或其固化物的、半导体器件或其制造中的应用。根据本专利技术,能够提供一种半导体用黏合剂或其固化物的、半导体元件与支承部件的黏合中的应用。根据本专利技术,能够提供一种半导体用黏合剂的、晶粒接合材料中的应用。
附图说明
[0019]图1是表示半导体器件的一例的示意剖视图。
[0020]图2是表示半导体器件的其他例的示意剖视图。
具体实施方式
[0021]在本说明书中,使用“~”表示的数值范围表示将记载于“~”的前后的数值分别作为最小值及最大值而包含的范围。在本说明书中阶段性地记载的数值范围中,某阶段的数值范围的上限值或下限值能够与其他阶段的数值范围的上限值或下限值任意地组合。在本说明书中记载的数值范围中,其数值范围的上限值或下限值也可替换为实施例中所示的值。所谓“A或B”,只要包含A及B中的任一个即可,也可同时包含两个。只要无特别说明,本说明书中例示的材料能够单独使用一种或者组合使用两种以上。在本说明书中,组合物中存在多种相当于各成分的物质的情况下,只要无特别说明,则组合物中的各成分的含量是指组合物中存在的该多种物质的合计量。在本说明书中,关于“层”一词,作为平面图进行观察时,除了在整个表面上形成的形状的结构以外,还包括在一部分上形成的形状的结构。在本说明书中,“工序”一词不仅是指独立的工序,即便在无法与其他工序明确区分的情况下,只要可达成该工序的预期作用则包含于本用语中。“(甲基)丙烯酸”是指,丙烯酸及与其相对应的甲基丙烯酸中的至少一者。在“(甲基)丙烯酰基”等其他类似的表述中也相同。
[0022]以下,对本专利技术的实施方式进行详细说明。但是,本专利技术并不限定于以下的实施方式,能够在其要旨的范围内进行各种变形并实施。
[0023]<半导体用黏合剂及固化物>
[0024]本实施方式所涉及的半导体用黏合剂含有(A)银粒子(以下,根据情况称为“(A)成分”。包含银的粒子。例如银粉)和(B)具有(甲基)丙烯酰基的单体(以下,根据情况称为“(B)成分”),(A)成分包含第1银粒子,第1银粒子的BET比表面积为0.3m2/g以下,第1银粒子的平均粒径为7.0μm以上。
[0025]本实施方式所涉及的半导体用黏合剂为导电性组合物,能够用作用于使半导体元件与支承部件黏合的导电性组合物。本实施方式所涉及的半导体用黏合剂例如为固化性(例如热固化性)的组合物。本实施方式所涉及的半导体用黏合剂能够用作糊状的树脂组合物。本实施方式所涉及的固化物是本实施方式所涉及的半导体用黏合剂的固化物。
[0026]从具有优异的导热性的观点而言,本实施方式所涉及的半导体用黏合剂及其固化物能够将从半导体元件产生的热有效地向外部散热。本实施方式所涉及的半导体用黏合剂及其固化物具有优异的导热性的原因尚不明确,但本专利技术人等如下推测。但是,其原因并不
限定于下述的内容。即,推测为若使用BET比表面积小并且平均粒径大的第1银粒子,则银粒子彼此的接触点过多的情况容易得到抑制,从而容易抑制银粒子的接触点中的过度地热损失,因此可以得到优异的导热性。
[0027]其中,当半导体用黏合剂含有较多的银粒子时,存在随着黏度增加而涂布作业性降低的情况,或者半导体用黏合剂的固化物变脆而半导体元件与支承部件的黏合强度降低的情况。另一方面,根据本实施方式所涉及的半导体用黏合剂,即使半导体用黏合剂含有较多的银粒子的情况下,从容易抑制黏度增加的观点而言,能够维持较高的涂布作业性,并且从容易抑制半导体用黏合剂的固化物变脆的观点而言,能够较高的维持半导体元件与支承部件的黏合强度。即,根据本实施方式,能够提供一种具有优异的导热性、涂布作业性及黏合强度的半导体用黏合剂及其固化物。
[0028]((A)成分:银粒子)
[0029]从可获得优异的导热性的观点而言,(A)成分包括BET比表面积为0.3m2/g以下并且平均粒径为7.0μm以上的第1银粒子(以下,根据情况称为“(A1)成分”)。从容易获得优异的黏合强度的观点而言,(A)成分还可以包括BET比表面积超过0.3m2/g的第2银粒子(以下,根据情况称为“(A2)成分”)。(A)成分能够本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体用黏合剂,其含有(A)银粒子和(B)具有(甲基)丙烯酰基的单体,所述(A)成分包含第1银粒子,所述第1银粒子的BET比表面积为0.3m2/g以下,所述第1银粒子的平均粒径为7.0μm以上。2.根据权利要求1所述的半导体用黏合剂,其中,所述第1银粒子的形状为鳞片状。3.根据权利要求1或2所述的半导体用黏合剂,其中,所述第1银粒子的平均粒径为7.0~8.5μm。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体用黏合剂,其中,以所述(A)成分的总量为基准,所述第1银粒子的含量为50质量%以上。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体用黏合剂,其中,以半导体用黏合剂的总量为基准,所述第1银粒子的含量为30~95质量%。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体用黏合剂,其中,所述(A)成分还包含第2银粒子,所述第2银粒子的BET比表面积超过0.3m2/g。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体用黏合剂,其中,所述(B)成分包含选自...

【专利技术属性】
技术研发人员:奥山健太石井学藤田贤名取美智子小林庆子
申请(专利权)人:昭和电工材料株式会社
类型:发明
国别省市:

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