用于确定对指纹的贡献的方法技术

一种用于确定参数的指纹的方法、系统和程序。所述方法包括确定出自多个装置中的装置对参数的指纹的贡献。所述方法包括：获得参数数据和使用数据，其中所述参数数据基于对已由所述多个装置处理的多个衬底的测量结果，所述使用数据指示出自所述多个装置中的哪些所述装置用于每个衬底的所述处理；和使用所述使用数据和所述参数数据确定所述贡献。据和所述参数数据确定所述贡献。据和所述参数数据确定所述贡献。

【技术实现步骤摘要】
用于确定对指纹的贡献的方法
[0001]本申请是原申请人为“ASML荷兰有限公司”的进入中国国家阶段日期为2019年7月10日的申请号为201880006505.5的专利技术名称为“用于确定对指纹的贡献的方法”的专利申请(国际申请日为2018
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23，国际申请号为PCT/EP2018/063527)的分案申请。


[0002]本专利技术说明书涉及一种用于确定对参数的指纹的贡献的方法、系统和程序。

技术介绍

[0003]光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底(通常是在衬底的目标部分)上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成要在IC的单层上形成的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。这些目标部分通常称为“场”。
[0004]在光刻过程中，期望经常测量所产生的形成电路图案的结构，例如用于过程控制和验证。用于进行这种测量的各种工具是已知的，包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜和用于测量重叠(重叠是至少部分图案化的衬底中两个层的对准的准确度)的专用工具。各种技术可以用于测量光刻过程的性能。这又允许在光刻设备执行的操作的控制中包括复杂的过程校正。

技术实现思路

[0005]在曝光衬底之后，即当图案转印于衬底的下方时，可以在衬底上执行各种不同的过程。因此，可以将不同的处理工具用于衬底上。然而，每个处理工具可以使重叠指纹稍微变化。存在例如通过调整光刻设备致动器和改良控制而减小由处理工具诱发的变化的效应的多个方法。然而，每个衬底可以具备相同的校正，这意味着每个衬底上诱发的变化并未被单独地进行处理。
[0006]一个问题是可设置多个不同的装置以进行衬底的处理。可存在用于以不同方式处理衬底的多个不同类型的装置，例如蚀刻装置和抛光装置。另外，可存在可利用以被用于每个衬底的多个相同类型的装置。因此，可存在可用于每个衬底上的多个蚀刻和/或抛光装置，并且可以使用来自多个装置中的装置的不同组合来处理每个衬底。所述装置中的每一个可能对参数的指纹具有不同的影响，而且单个装置对衬底的参数有多少影响未必是清楚的。
[0007]本专利技术的实施例的目的在于例如确定出自多个装置中的装置对参数的指纹的贡献，所述参数与衬底的处理相关联。
[0008]根据一方面，提供了一种确定出自多个装置中的装置对参数的指纹的贡献的方法，所述参数与衬底的处理相关联，所述方法包括：获得参数数据和使用数据，其中所述参
数数据基于对已由所述多个装置处理的多个衬底的测量结果，所述使用数据指示出自所述多个装置中的哪些所述装置用于每个衬底的所述处理；和使用所述使用数据和所述参数数据确定所述贡献。
[0009]根据一方面，提供了一种系统，包括处理器，所述处理配置成确定出自多个装置中的装置对参数的指纹的贡献，所述参数与衬底的处理相关联，所述处理器配置成：获得参数数据和使用数据，其中所述参数数据基于对已由所述多个装置处理的多个衬底的测量结果，所述使用数据指示出自所述多个装置中的哪些所述装置用于每个衬底的所述处理；和使用所述使用数据和所述参数数据确定所述贡献。
[0010]根据一方面，提供了一种控制确定出自多个装置中的装置对参数的指纹的贡献的程序，所述参数与衬底的处理相关联，所述程序包括用于执行方法的指令，所述方法包括：获得参数数据和使用数据，其中所述参数数据基于对已由所述多个装置处理的多个衬底的测量结果，所述使用数据指示出自所述多个装置中的哪些所述装置用于每个衬底的所述处理；和使用所述使用数据和所述参数数据确定所述贡献。
附图说明
[0011]现在将参考附图仅通过举例的方式描述本专利技术的实施例，在附图中：
[0012]图1描绘了一种光刻设备，所述光刻设备与其他设备一起构成器件的生产设施，其作为可以使用本专利技术的实施例的系统的示例；和
[0013]图2描绘了图1中的光刻设备，其中仅通过举例的方式图示了多个装置。
具体实施方式
[0014]在详细地描述本专利技术的实施例之前，提出一个可以实现本专利技术的实施例的示例环境是有指导意义的。本专利技术可例如在光刻制造过程中的衬底的至少部分处理之后被应用。本专利技术可以被应用例如以确定为光刻设备的部分的装置的作用。将描述用于制造半导体器件的光刻过程以提供其中可以使用所述方法的示例性情境。本公开内容的原理可以不受限制地应用于其他过程。
[0015]图1在100处将光刻设备LA显示为实施高容量光刻制造过程的工业设施的部分。在本示例中，制造过程适于在诸如半导体晶片的衬底上制造半导体产品(例如，集成电路)。本领域技术人员应了解，可以通过以该过程的变形例的形式处理不同类型的衬底来制造各种各样的产品。半导体产品的生产仅仅用作现今具有巨大商业意义的示例。
[0016]在光刻设备(或简称“光刻工具”100)内，在102处显示出测量站MEA，在104处显示出曝光站EXP。在106处显示出控制单元LACU。在该示例中，每个衬底造访测量站和曝光站以施加图案。例如，在光学光刻设备中，投影系统用于使用被调节的辐射和投影系统将产品图案从图案形成装置MA转印至衬底上。这通过在衬底上的辐射敏感抗蚀剂材料层中形成图案的图像进行。
[0017]这里使用的术语“投影系统”应该被广义地解释为包括任何类型的投影系统，包括折射型光学系统、反射型光学系统、反射折射型光学系统、磁性型光学系统、电磁型光学系统和静电型光学系统或其任意组合，例如对于所使用的曝光辐射和/或对于诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其他因素合适的。图案形成装置MA可以是将图案赋予至由图案
形成装置MA透射或反射的辐射束的掩模或掩模版。众所周知的操作模式包括步进模式和扫描模式。投影系统可以以多种方式与用于衬底和图案形成装置的支撑件和定位系统协作，以将所期望的图案施加至横跨衬底的许多目标部分。可以使用可编程图案形成装置来代替具有固定图案的掩模版。辐射例如可以包括在深紫外(DUV)波带或极紫外(EUV)波带中的电磁辐射。本公开也适用于其他类型的光刻过程(例如压印光刻术)和例如通过电子束的直写光刻术。
[0018]光刻设备控制单元LACU控制各种致动器和传感器的所有移动和测量，使得设备接收衬底W和图案形成装置MA并实施图案化操作。控制单元LACU还包括信号处理和数据处理能力，以实施与设备的操作相关的期望计算。在实践中，控制单元LACU将实现为许多子单元的系统，每个子单元处置光刻设备LA内的子系统或部件的(实时)数据采集、处理和控制。
[0019]在实施例中，在曝光站EXP处将图案施加到衬底之前，在测量站MEA处处理所述衬底，使得可以执行各种预备步骤。预备步骤可包括使用水平传感器来绘制衬底的表面高度和/或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于确定出自多个装置中的装置对参数的指纹的贡献的方法，所述参数与衬底的处理相关联，所述方法包括：获得参数数据和使用数据，其中所述参数数据基于对已由所述多个装置处理的多个衬底的测量结果，所述使用数据指示出自所述多个装置中的哪些所述装置用于每个衬底的所述处理；根据所述使用数据对所述参数数据分组；和基于所述使用数据和经分组的参数数据确定所述贡献。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述装置中的至少一个装置被基于对所述至少一个装置的参数的指纹的所确定的贡献来控制。3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述参数选自以下中的一个或更多个：i.临界尺寸、重叠、临界尺寸均一性、线边缘置放、对准、聚焦、图案移位、线边缘粗糙度、微拓朴和/或边缘置放误差；和/或ii.特征的形状描述，诸如侧壁角、抗蚀剂高度和/或接触孔椭圆率；和/或iii.处理参数，诸如涂层厚度，诸如底部抗反射涂层厚度和/或抗蚀剂厚度，和/或涂层的光学属性，所述涂层的光学属性指示吸收的度量，诸如折射率和/或消光系数；和/或iv.根据衬底的测量结果确定的参数，诸如良率参数，诸如缺陷和/或电气性能。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述类型的装置包括蚀刻装置、沉积工具、衬底台、抛光装置、退火装置、清洁装置、涂覆装置、显影装置、注入装置和/或焙烤装置。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述参数数据基于被处理的测量结果，其中使用主成份分析或模型拟合，诸如多项式模型或线性模型，来处理所述测量结果。6.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个装置中的每一个已经用于处理所述多个衬底中的至少一个。7.如权利要求1所述的方法，其中，存在至少两种类别的装置，其中至少两种类别包括同一类型的至少两个装置。8.如权利要求1所述的方法，其中，所述分组还基于对应用于所述参数数据的变化的分析。9.如权利要求1所述的方法，其中，基于使用所述使用数据确定矩阵、和对包括所述矩阵的方程式求解、以及使用所述参数数据，来确定所述贡献。10.一种系统，包括处理器，所述处理配置成确定出自多个装置中的装置对参数的指纹的贡献，所述参数与衬底的处理相关联，所述处理器配置成至少：获得参数数据和使用数据，其中所述参数数据基于对已由所述多个装置处理的多个衬底的测量结果，所述使用数据指示所述多个装置中的哪些所述装置用于每个衬底的所述处理；根据所...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：