本发明专利技术提供一种芳胺类衍生物及其有机电致发光器件，涉及有机光电材料技术领域。该类化合物制备方法简单、原料易得，具有很好的热稳定性和化学稳定性，成膜性好，同时具有很好的空穴传输能力。因此，该类化合物作为发光辅助层和空穴传输层的材料应用于OLED器件中，可以提高器件的发光效率，是一类性能优良的有机发光材料。发光材料。
【技术实现步骤摘要】
一种芳胺类衍生物及其有机电致发光器件
[0001]本专利技术涉及有机光电材料
，特别是涉及一种芳胺类衍生物及其有机电致发光器件。
技术介绍
[0002]有机电致发光器件(OLED)是近年来国际上平板显示领域的一个研究热点。其具有成品率高、结构简单、成本低、分辨率高以及能实现大面积彩色显示等优点。因此，OLED显示器被认为是未来最有可能替代液晶的显示器，引起人们极大关注。
[0003]有机电致发光器件是双注入型发光器件，其结构如三明治的结构，由阳极、阴极和二者之间的有机物层组成。其发光原理一般认为是：在外界电压驱动下，从阴极注入的电子与从阳极注入的空穴在有机层中形成激子，并以光能的形式发出。有机电致发光器件一般为多层结构，包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、空穴传输层和空穴注入层等。
[0004]为了提高有机电致发光器件性能需要从两方面进行创新：一是有机电致发光器件结构和制备工艺的创新；二是有机电致发光功能材料的不断研究和创新，制造出更高性能的有机电致发光功能材料。
[0005]对于通常使用的空穴传输材料，易在材料界面处形成集聚电荷，这直接影响了有机电致发光器件寿命。为了避免此现象，实现在发光层中发光，需要提供一种具有良好的稳定性和较高的空穴迁移率的材料。
技术实现思路
[0006]本专利技术是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种具有高发光效率的有机电致发光器件及实现其的有机电致发光器件用材料。
[0007]本专利技术提供了一种芳胺类衍生物，具有如通式(I)所示结构：
[0008][0009]其中，L1‑
L2独立地选自以下结构中的一种：
[0010][0011]R1、R2独立地选自氢、氘、氰基、卤素、取代或未取代的C1～C30烷基、取代或未取代的C3～C30环烷基、取代或未取代的C6～C30芳基中的一种；
[0012]a独立地选自0、1、2、3或4，当a大于1时，每个R1相同或者不同，每个R2相同或者不
同；
[0013]b独立地选自0、1、2或3，当b大于1时，每个R1相同或者不同，每个R2相同或者不同；
[0014]L3‑
L6独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3
‑
C30亚杂芳基中的一种；
[0015]L7选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基中的一种；
[0016]Ar1选自以下结构中的一种：
[0017][0018]Ar3选自以下结构中的一种：
[0019][0020]Z1、Z2独立地选自氢、氘、氰基、卤素、取代或未取代的C1～C30烷基、取代或未取代的C3～C30环烷基、取代或未取代的C6～C30芳基中的一种；
[0021]Z
x
选自取代或未取代的C1～C30烷基、取代或未取代的C6～C30芳基中的一种；
[0022]L8选自取代或未取代的C6～C30亚芳基中的一种；
[0023]c独立地选自0、1、2或3，当c大于1时，每个Z1相同或者不同，相邻的两个Z1基团可选地键合形成环结构；
[0024]d独立地选自0、1、2、3或4，当d大于1时，每个Z1相同或者不同，相邻的两个Z1基团可选地键合形成环结构；每个Z2相同或者不同，相邻的两个Z2基团可选地键合形成环结构；
[0025]Ar2、Ar4、Ar5独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；可选地，Ar1与Ar2键合形成环结构，或者Ar4与Ar5键合形成环结构。
[0026]本专利技术还提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阴极、阳极和置于所述阴极与所述阳极之间的一个或多个有机物层；所述有机物层中包含所述的芳胺类衍生物中的至少一种。
[0027]本专利技术的有益效果：
[0028]本专利技术提供的芳胺类衍生物，通过引入咔唑以及苯并呋喃、苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并噻吩基团，使得化合物具有高的空穴迁移率，有利于空穴的传输，同时增加了分子的分子量和分子之间的空间位阻，使分子具有很好的热稳定性和化学稳定性，具有很好的成膜性。本专利技术的芳胺衍生物具有上述的优异性能，作为空穴传输层和发光辅助层的材料用于OLED器件中，有效提高器件的发光效率，是一类性能优良的OLED材料。
具体实施方式
[0029]下面将结合本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。在阅读了本专利技术之后，本领域技术人员对本专利技术的各种等价形式的修改均落于本专利技术所限定的范围。
[0030]在本说明书中，意指与另一取代基连接的部分。
[0031]本专利技术所述的卤素原子实例可包括氟、氯、溴和碘。
[0032]本专利技术所述的烷基是指烷烃分子中去掉一个氢原子而成的烃基，可为直链烷基、支链烷基，优选具有优选1至12个碳原子，更优选1至8个碳原子，特别优选1至6个碳原子，实例可包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基等，但不限于此。
[0033]本专利技术所述的环烷基是指烷烃分子中去掉两个氢原子而成环的烃基，优选具有3至14个碳原子，更优选具有3至10个碳原子，特别优选具有3至6个碳原子，实例可包括环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基等，但不限于此。
[0034]本专利技术所述的芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，可为单环芳基、多环芳基或稠环芳基，优选具有6至30个碳原子，更优选具有6至22个碳原子，再优选具有6至14个碳原子，最优选具有6至12个碳原子，实例可包括苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、芘基、菲基、三亚苯基、芴基、苝基等，但不限于此。
[0035]本专利技术所述的杂芳基是指由碳和杂原子构成的芳杂环的核碳上去掉一个氢原子，剩下一价基团的总称，所述杂原子可为N、O、S中的一个或多个，可为单环杂芳基、多环杂芳基或稠环杂芳基，优选具有3至30个碳原子，更优选具有3至22个碳原子，再优选具有3至12个碳原子，最优选3至8个碳原子，实例可包括吡啶基、嘧啶基、三嗪基、噻吩基、吡咯基、呋喃基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、噁唑基、噻唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、咔唑基、吩嗪基、N
‑
咪唑基、喹喔啉基、喹唑啉基、嘌呤基等，但不限于此。
[0036]本专利技术所述的亚芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉二个氢原子后，剩下二价基团的总称，可为单环亚芳基、多环亚芳基或稠环亚芳基，优选具有6至30个碳原子，更优选具有6至22个碳原子，再优选具有6至14个碳原子，最优选具有6至12个碳原子，实例可包括亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚芘基、亚菲基、亚三亚苯基、亚芴基、亚苝基等，但不限于此。
[0037]本专利技术所述的亚杂芳基是指由碳和杂原子构成的芳杂环的核碳上去掉二个氢原子，剩下本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芳胺类衍生物，其特征在于，具有如通式(I)所示结构：其中，L1‑
L2独立地选自以下结构中的一种：R1、R2独立地选自氢、氘、氰基、卤素、取代或未取代的C1～C30烷基、取代或未取代的C3～C30环烷基、取代或未取代的C6～C30芳基中的一种；a独立地选自0、1、2、3或4，当a大于1时，每个R1相同或者不同，每个R2相同或者不同；b独立地选自0、1、2或3，当b大于1时，每个R1相同或者不同，每个R2相同或者不同；L3‑
L6独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3
‑
C30亚杂芳基中的一种；L7选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基中的一种；Ar1选自以下结构中的一种：Ar3选自以下结构中的一种：Z1、Z2独立地选自氢、氘、氰基、卤素、取代或未取代的C1～C30烷基、取代或未取代的C3～C30环烷基、取代或未取代的C6～C30芳基中的一种；Z
x
选自取代或未取代的C1～C30烷基、取代或未取代的C3～C30环烷基、取代或未取代的C6～C30芳基中的一种；L8选自取代或未取代的C6～C30亚芳基中的一种；c独立地选自0、1、2或3，当c大于1时，每个Z1相同或者不同，相邻的两个Z1基团可选地键合形成环结构；d独立地选自0、1、2、3或4，当d大于1时，每个Z1相同或者不同，相邻的两个Z1基团可选地键合形成环结构；每个Z2相同或者不同，相邻的两个Z2基团可选地键合形成环结构；Ar2、Ar4、Ar5独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；可选地，Ar1与Ar2键合形成环结构，或者Ar4与Ar5键合形成环结构。2.根据权利要求1所述的芳胺类衍生物，其特征在于，所述L1、L2独立地选自以下结构中
的一种：R1、R2独立地选自氢、氘、氰基、卤素、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、氘代苯基、联苯基、三联苯基、萘基、氘代萘基、蒽基、菲基、9,9
‑
二甲基芴基、9,9
‑
二苯基芴基中的一种；a独立地选自0、1、2、3或4，当a大于1时，每个R1相同或者不同，每个R2相同或者不同；b独立地选自0、1、2或3，当b大于1时，每个R1相同或者不同，每个R2相同或者不同。3.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：苗玉鹤，周雯庭，韩春雪，孙月，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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