光刻设备、用于卸载衬底的方法和用于装载衬底的方法技术

公开了光刻设备、用于卸载衬底的方法和用于装载衬底的方法。一种支撑台，被配置为支撑衬底，支撑台具有半径r0并且包括：基面；第一密封，围绕支撑台的边缘；第二密封，位于第一密封的径向向内，以形成双密封；多个孔，位于第二密封的径向向内，并且多个孔被配置为允许销垂直延伸穿过多个孔；以及多个第一气流开口，被配置为从基面与衬底之间的间隙中抽取气体，其中多个第一气流开口被定位成与支撑台的中心的径向距离为r2，多个第一气流开口被布置为使得r2:r0在0.5和0.8之间。r2:r0在0.5和0.8之间。r2:r0在0.5和0.8之间。

【技术实现步骤摘要】
光刻设备、用于卸载衬底的方法和用于装载衬底的方法
[0001]本申请是国际申请号为PCT/EP2016/082484、国际申请日为2016年12月22日、国家申请号为201680081242.5、专利技术名称为“光刻设备、用于卸载衬底的方法和用于装载衬底的方法”的中国专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本参考要求于2016年2月8日和2016年6月2日提交的EP 16154599.1和EP 16172678.1的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0004]本专利技术涉及光刻设备、用于卸载衬底的方法和用于将衬底特别地装载到用于光刻设备的支撑台上的方法。

技术介绍

[0005]光刻设备是一种将期望图案施加到衬底上、通常施加到衬底的目标部分上的机器。例如，光刻设备可以用于制造集成电路(IC)。在这种情况下，可以使用图案化装置(替代地称为掩模或掩模版)来生成要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或几个管芯的部分)上。图案的转移通常经由到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上的成像来进行。通常，单个衬底将包含连续地图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描仪，在步进器中，通过一次性将整个图案暴露到目标部分上来照射每个目标部分，在扫描仪中，通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案同时在与该方向平行或反平行的方向上扫描衬底来照射每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化装置转移到衬底。
[0006]已经提出了将光刻投影设备中的衬底浸入具有相对较高折射率的液体(例如，水)中以填充投影系统的最终元件与衬底之间的空间。在一个实施例中，液体是超纯水，但是可以使用另一种液体。将参考液体描述本专利技术的实施例。然而，另一种流体可能是合适的，特别是润湿流体、不可压缩流体和/或折射率高于空气的流体(期望地是折射率高于水的流体)。排除气体的流体是特别期望的。其重点是能够对较小特征进行成像，因为曝光辐射在液体中具有较短的波长。(液体的效果也可以被认为是增加系统的有效数值孔径(NA)并且还增加聚焦深度。)已经提出了其他浸没液体，包括其中悬浮有固体颗粒(例如，石英)的水、或具有纳米颗粒悬浮物(例如，最大尺寸多达10nm的颗粒)的液体。悬浮颗粒可以具有或不具有与悬浮颗粒悬浮在其中的液体相似或相同的折射率。可能合适的其他液体包括烃，诸如芳族烃、氟代烃和/或水溶液。
[0007]将衬底或衬底和支撑台浸没在液体浴中(参见例如美国专利No.4,509,852)表示在扫描曝光期间必须加速大体积的液体。这需要附加的或更强大的电机并且液体中的湍流可能导致不期望的和不可预测的影响。
[0008]在浸没设备中，浸没流体由流体处理系统、装置结构或设备来处理。在一个实施例
中，流体处理系统可以供应浸没流体并且因此是流体供应系统。在一个实施例中，流体处理系统可以至少部分限制浸没流体并且从而是流体限制系统。在一个实施例中，流体处理系统可以向浸没流体提供屏障并且从而是阻挡构件，诸如流体限制结构。在一个实施例中，流体处理系统可以产生或使用气流，例如以帮助控制浸没流体的流动和/或位置。气流可以形成密封以限制浸没流体，因此流体处理结构可以称为密封构件；这样的密封构件可以是流体限制结构。在一个实施例中，浸没液体用作浸没流体。在这种情况下，流体处理系统可以是液体处理系统。参考以上描述，在该段落中对关于流体而限定的特征的提及可以被理解为包括关于液体而限定的特征。

技术实现思路

[0009]在浸没设备或干燥设备中，在曝光过程中将衬底夹紧到支撑台上。通过使衬底与支撑台之间的间隙处于与环境压力相比较低的压力，可以辅助夹紧。环境压力是衬底和支撑台周围的压力。由支撑台和衬底包围的区域可以处于近真空压力下，使得衬底被真空夹紧到支撑台。
[0010]支撑台包括形成在其中的一个或多个孔。这些孔便于夹紧衬底。可以通过孔从由衬底和支撑台包围的间隙中抽取气体，从而减小该间隙中的压力以用于夹紧衬底。
[0011]衬底被装载到支撑台上。在衬底的装载期间，衬底可能由于重力而变形。衬底在其变形状态中可以被夹紧，这增加了套刻精度。
[0012]在卸载期间，近真空压力可以被施加到衬底的一些区域而不是其他区域。在未施加(例如，释放)近真空压力的情况下，衬底可能离开支撑台。在仍然施加近真空压力的其他区域中，衬底可能会滑动。这可能导致在衬底滑动的情况下的支撑台的磨损。支撑台的上表面的周边特别容易磨损。
[0013]期望例如提供一种光刻设备、一种卸载衬底的方法和一种装载衬底的方法，其中改善了夹紧衬底的平坦度和/或减少了支撑台的磨损。
[0014]根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于从被配置为支撑衬底的支撑台卸载衬底的方法，该方法包括：经由支撑台中的多个气流开口向支撑台的基面与衬底之间的间隙供应气体，其中在初始卸载阶段期间，气体通过支撑台的外部区域中的至少一个气流开口而不是通过支撑台的在外部区域的径向向内的中央区域中的任何气流开口来被供应，以及在随后卸载阶段期间，气体通过外部区域中的至少一个气流开口和中央区域中的至少一个气流开口来被供应。
[0015]根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于将衬底装载到被配置为支撑衬底的支撑台上的方法，该方法包括：经由支撑台中的多个气流开口从支撑台的基面与衬底之间的间隙中抽取气体，其中在第一装载阶段期间，气体通过支撑台的中央区域中的至少一个气流开口而不是通过支撑台的在中央区域的径向向外的中间区域中的任何气流开口和支撑台的在中间区域的径向向外的外部区域中的任何气流开口来被抽取，在第二装载阶段期间，气体通过中央区域中的至少一个气流开口和中间区域中的至少一个气流开口而不是通过外部区域中的任何气流开口来被抽取，以及在第三装载阶段期间，气体通过中央区域中的至少一个气流开口、中间区域中的至少一个气流开口和外部区域中的至少一个气流开口来被抽取。
[0016]根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于将衬底装载到被配置为支撑衬底的支撑台上的方法，该方法包括：朝向支撑台降低衬底；当衬底正朝向支撑台降低时，控制负压源施加负压以便经由支撑台中的多个气流开口从支撑台的基面与衬底之间的间隙中抽取气体，当衬底到达支撑台上方预定距离时，控制负压源停止施加与支撑台中的任何气流开口流体连通的负压；以及当衬底已向下接触到支撑台上时，控制负压源重新开始施加负压以便经由支撑台中的多个气流开口来抽取气体。
[0017]根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于将衬底装载到被配置为支撑衬底的支撑台上的方法，该方法包括：经由支撑台中的多个气流开口从支撑台的基面与衬底之间的间隙中抽取气体，其中在第一装载阶段期间，气体通过支撑台的外部区域中的至少一个气流开口而不是通过支撑台的在外部区域的径向向内的中间区域中的任何气流开口和支撑台的在中间区域的径向向内的中央区域中的任何气流开口来被抽取，在第二装载阶段期间，气体通过外部区域中的至少一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种支撑台，被配置为支撑衬底，所述支撑台具有半径r0并且包括：基面；第一密封，围绕所述支撑台的边缘；第二密封，位于所述第一密封的径向内部，以形成双密封；多个孔，位于所述第二密封的径向内部，并且所述多个孔被配置为允许销垂直延伸穿过所述多个孔；以及多个第一气流开口，被配置为从所述基面与所述衬底之间的间隙中抽取气体，其中所述多个第一气流开口被定位成与所述支撑台的中心的径向距离为r2，所述多个第一气流开口被布置为使得r2:r0在0.5和0.8之间。2.根据权利要求1所述的支撑台，其中所述多个第一气流开口被布置为使得r2:r0为大约0.6。3.根据权利要求1所述的支撑台，还包括：多个第二气流开口，位于所述多个第一气流开口的径向内部。4.根据权利要求3所述的支撑台，其中所述多个第二气流开口被定位成与所述支撑台的所述中心的径向距离为r1，所述多个第二气流开口被布置为使得r1:r0在0.2和0.5之间。5.一种支撑台，被配置为支撑衬底，所述支撑台具有半径r0并且包括：基面；第一密封，围绕所述支撑台的边缘；第二密封，位于所述第一密封的径向内部，以形成双密封；多个孔，位于所述第二密封的径向内部，并且被配置为允许销垂直延伸穿过所述多个孔；以及多个第二气流开口，被配置为从所述基面与所述衬底之间的间隙中抽取气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：