一种K~D波段宽频射频MEMS开关制造技术

本发明专利技术涉及一种K～D波段宽频射频MEMS开关，包括：衬底(1)、地线(2)、信号线(3)、上电极组件(4)、至少两个驱动电极(5)、至少两条驱动引线(6)和至少两个空气桥组件(7)，其中，所述信号线(3)为渐变型信号线，所述渐变型信号线的中间段信号线的宽度小于两端信号线的宽度。该开关由地线和信号线共同形成渐变型微波传输线结构，可以有效提高开关工作带宽，降低插入损耗，提高隔离度，使得开关在18GHz～184GHz的范围内，有着优越的射频性能，提高了开关的微波性能。微波性能。微波性能。

【技术实现步骤摘要】
一种K～D波段宽频射频MEMS开关


[0001]本专利技术属于电子元器件领域，具体涉及一种K～D波段宽频射频MEMS开关。

技术介绍

[0002]射频MEMS(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System，微机电系统)开关是一类控制信号通断的重要电子元器件，在无线通信系统、卫星、雷达以及测试设备中发挥着巨大的作用。随着现代科技技术的发展，对通信系统的高集成度、小型化、低功耗以及宽频段的需求越来越迫切，传统的开关已不能充分适应小型化、高度集成、低功耗、低插损、高隔离度的需求。射频MEMS开关因其突出的低插损、高隔离度、低损耗、小体积、宽频带等优势，已成为目前研究热点之一。
[0003]目前国内对射频MEMS开关开展研究的机构主要有清华大学、中电五十五所、中电十三所、中北大学、北京微电子技术研究所、东南大学等。清华大学设计了一种串联接触式球拍型悬臂梁射频MEMS开关，此开关包括衬底、隔离层、驱动电极以及共面波导传输线，当驱动电极未施加驱动电压时，金属悬梁臂与开关接触点断开，使开关为关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种K～D波段宽频射频MEMS开关，其特征在于，包括：衬底(1)、地线(2)、信号线(3)、上电极组件(4)、至少两个驱动电极(5)、至少两条驱动引线(6)和至少两个空气桥组件(7)，其中，所述地线(2)、所述信号线(3)、所述至少两个驱动电极(5)、所述至少两条驱动引线(6)均设置在所述衬底(1)上；所述地线(2)平行设置在所述信号线(3)的两侧，所述信号线(3)为渐变型信号线，所述渐变型信号线的中间段信号线的宽度小于两端信号线的宽度；所述上电极组件(4)设置在所述地线(2)上且横跨所述中间段信号线；所述至少两个驱动电极(5)分布在所述信号线(3)的两侧且所述至少两个驱动电极(5)均位于所述上电极组件(4)的下方；所述至少两条驱动引线(6)与所述至少两个驱动电极(5)一一对应连接且所述驱动引线(6)贯穿所述地线(2)；所述空气桥组件(7)设置在所述地线(2)上且横跨所述驱动引线(6)。2.根据权利要求1所述的K～D波段宽频射频MEMS开关，其特征在于，所述信号线(3)包括长方形信号线(31)和偶数个梯形信号线(32)，其中，所述偶数个梯形信号线(32)对称分布在所述长方形信号线(31)的两侧且位于所述长方形信号线(31)的端部；所述地线(2)靠近所述信号线(3)的一侧开设有偶数个第一梯形开口(21)以与所述信号线(3)的形状凹凸匹配。3.根据权利要求1所述的K～D波段宽频射频MEMS开关，其特征在于，所述地线(2)上设有第二梯形开口(22)和至少两个长方形开口(23)，所述第二梯形开口(22)用于容纳所述至少两个驱动电极(5)，所述至少两个长方形开口(23)均贯穿所述地线(2)以容纳所述至少两条驱动引线(6)。4.根据权利要求1所述的K～D波段宽频射频MEMS开关，其特征在于，所述上电极组件(4)设置在所述中间段信号线垂直方向的中央位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴倩楠，韩路路，余建刚，王姗姗，李孟委，
申请(专利权)人：中北大学南通智能光机电研究院，
类型：发明
国别省市：