一种钨单晶表面台阶限域二维氮化钨的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种钨单晶表面台阶限域的二维氮化钨制备方法，主要包括以下步骤：对单晶W进行表面预处理；将预处理后的W衬底加热至600～670℃，并通入氨气，氨气压力为1

【技术实现步骤摘要】
一种钨单晶表面台阶限域二维氮化钨的制备方法


[0001]本专利技术属于纳米材料
，具体涉及一种钨单晶表面台阶限域二维氮化钨的制备方法。

技术介绍

[0002]氮化钨薄膜因其特殊的物理化学性质而具有广泛的应用途径。在微电子方面，由于其高热导率和电导率被用来作为抑制铜扩散的阻隔层以及半导体器件中的电极；在工程方面，由于其高的硬度系数而应用于耐磨和抗氧化材料表面的镀层；在多相催化中，因表现出的电化学性质以及催化性质与Pt系贵金属非常类似，在催化合成氨反应、烃类重整、CO氧化、加氢脱硫、加氢脱氮反应等催化反应中表现出优异的性能。
[0003]另一方面，由于二维材料具有更快的离子传导速度以及更高的活性比表面积，因此结合氮化钨材料和二维材料的特性获得二维的氮化钨结构使得其性能得到更大发挥对于其在各个领域的应用有着重要的意义。
[0004]目前制备氮化钨薄膜的方法有以下几种：化学气相沉积，如在N2气氛中利用激光脉冲融化钨钯而在Si(100)衬底上沉积得到氮化钨薄膜；金属有机沉积，如在玻璃衬底上450～650℃温度下暴露气相(
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二维氮化钨的制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：(1)在低能电子显微镜所配套的超高真空腔内对单晶W进行表面预处理，得到单晶W衬底；(2)在所述超高真空腔内，将经步骤(1)得到的单晶W衬底加热至600～670℃，并通入氨气，氨气压力维持在1
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10-7
～1
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10-6
Torr，通过低能电子显微镜进行实时成像，原位观察单晶W表面二维氮化钨的生长；(3)所述观察过程发现二维氮化钨达到所需覆盖度后，在所述氨气压力下降温至100℃以下，停止通入氨气，得到所述二维氮化钨。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中单晶W衬底的加热温度为610～670℃。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中单晶W衬底的加热温度为620～670℃。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述单晶W为单晶W(110)。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中预处理的步骤为：在温度为900～1100℃，1
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10-8
～1
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10-5
Torr氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅强，孟彩霞，包信和，
申请(专利权)人：中国科学院大连化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：