一种功率开关中的过流保护电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种功率开关中的过流保护电路。本实用新型专利技术包括驱动单元和主通路MOSFET单元，驱动单元与主通路MOSFET单元连接，主通路MOSFET单元漏极上并联有检测MOSFET单元，检测MOSFET单元的源极端串联有采样电阻，采样电阻上并联有控制单元，控制单元接驱动单元。本实用新型专利技术具有体积小，可靠性高的优点。点。点。

【技术实现步骤摘要】
一种功率开关中的过流保护电路


[0001]本技术涉及航空、航海和工业控制等领域，尤其涉及一种功率开关中的过流保护电路。

技术介绍

[0002]功率开关被广泛应用于工业控制等领域，当电路没有过流保护时，输出短路或过载极易导致电源烧毁，进而引起产品损坏。传统的方法是使用保险丝，熔断器等分立元器件进行过流保护电路的设计，在出现过流时，关断主通路MOSFET单元，该电路需要占用较大的板级面积，具有体积大，可靠性差的缺点。

技术实现思路

[0003]本技术为解决
技术介绍
中存在的上述技术问题，而提供一种功率开关中的过流保护电路，具有体积小，可靠性高的优点。
[0004]本技术的技术解决方案是：本技术为一种功率开关中的过流保护电路，包括驱动单元和主通路MOSFET单元，驱动单元与主通路MOSFET单元连接，其特殊之处在于：所述主通路MOSFET单元漏极上并联有检测MOSFET单元，检测MOSFET单元的源极端串联有采样电阻，采样电阻上并联有控制单元，控制单元接驱动单元。
[0005]优选的，检测MOSFET单元采用的MOSFET单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率开关中的过流保护电路，包括驱动单元和主通路MOSFET单元，所述驱动单元与主通路MOSFET单元连接，其特征在于：所述主通路MOSFET单元漏极上并联有检测MOSFET单元，所述检测MOSFET单元的源极端串联有采样电阻，所述采样电阻上并联有控制单元，所述控制单元接驱动单元。2.根据权利要求1所述的功率开关中的过流保护电路，其特征在于：所述检测MOSFET单元采用的MOSFET单元尺寸与主通路MOSFET单元采用的MOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱楠，田泽，邵刚，郎静，谢运祥，晁苗苗，余立宁，党思佳，
申请(专利权)人：西安翔腾微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：