一种石墨烯磷烯复合芯片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种石墨烯磷烯复合芯片的制备方法，属于石墨烯薄膜材料技术领域。该方法包括以下步骤：S01，纳米黑磷烯的二甲基亚砜分散液和氧化石墨烯的N

【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯磷烯复合芯片的制备方法


[0001]本专利技术属于石墨烯薄膜材料
，具体涉及一种石墨烯磷烯复合芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]石墨烯(Graphene)是一种以sp2杂化连接的碳原子紧密堆积成单层二维蜂窝状晶格结构的新材料。石墨烯因为具有优异的光学、电学、力学特性，在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面得到了广泛应用。
[0003]磷烯(Phosphorene)又称黑磷烯或二维黑磷，是一种从黑磷剥离出来的有序磷原子构成的、单原子层的、有直接带隙的二维半导体材料。磷烯在场效应晶体管、光电子器件、自旋电子学、气体传感器及太阳能电池等方面有着的广阔的应用前景。
[0004]用磷烯和石墨烯两种二维材料结合起来，对石墨烯进行改进，可以形成同时具有两者优异物理特性的复合材料。CN108772079A公开了一种纳米黑磷/石墨烯复合材料的制备方法，采用光还原和微波还原相结合的方式来制备黑磷/石墨烯复合材料。该方法得到的黑磷/石墨烯复合材料的导电性能和机械强度需要进一步的提高。
专利
技术实现思路

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯磷烯复合芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S01，纳米黑磷烯的二甲基亚砜分散液和氧化石墨烯的N
‑
甲基吡咯烷酮分散液混合，超声处理；S02，将S01得到的混合液与液氮混合，得到固体，再冷冻干燥得到固体泡沫；S03，将S02得到的固体泡沫进行球磨处理；S04，惰性气体氛围中进行红外光照射处理；S05，惰性气体氛围，两阶段温度、微波条件处理；S06，机械破碎，制导电浆，涂装到柔性膜片上，得到所述石墨烯磷烯复合芯片。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S03中，所述球磨处理中，磨球与物料的重量比为(15
‑
20):1，球磨机转速30
‑
50rpm，球磨0.5
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6h。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，S03中，所述球磨处理中，磨球与物料的重量比为(15
‑
20):1，球磨机转速30
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50rpm，球磨2
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4h。4.根据权利要求1
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3任一所述的制备方法，其特征在于，S05中，所述两阶段温度为先80
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150℃处理1
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2h，再230
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350℃处理1
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4h。5.根据权利要求1
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4任一所述的制备方法，其特征在于，S05中，所述两阶段温度为先100
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150℃处理1
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2h，再230
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300℃处理1
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2h。6.根据权利要求1
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5任一所述的制备方法，其特征在于，S01中，纳米黑磷烯的二甲基亚砜分散液的浓度为0.5
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5mg/mL，氧化石墨烯的N
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甲基吡咯烷酮分散液的浓度为0.5
‑
5mg/mL，纳米...

【专利技术属性】
技术研发人员：张弘施，徐丁，尹琴秀，
申请(专利权)人：深圳市恒康泰医疗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：