蚀刻液的评估方法技术

本申请公开了一种蚀刻液的评估方法，具体包括：在第一基板上形成第一膜层。在第一膜层上形成第二膜层。在第二膜层上形成具有预设图案的第一蚀刻阻挡层。对第二膜层进行蚀刻以暴露出第一膜层。使用待测蚀刻液对第一膜层进行蚀刻以得到第一膜层的实际蚀刻图案。获取实际蚀刻图案的实际蚀刻参数。预设第一膜层的参考蚀刻图案，获取参考蚀刻图案的参考蚀刻参数。比较参考蚀刻参数与实际蚀刻参数，以评估待测蚀刻液。本申请提供的蚀刻液的评估方法可以提高蚀刻液的开发效率，避免了资源浪费。避免了资源浪费。避免了资源浪费。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻液的评估方法


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种蚀刻液的评估方法。

技术介绍

[0002]常见的阵列基板的制作工艺是在衬底上形成薄膜晶体管以及各种金属走线。通过阵列基板中形成金属层之后，使用蚀刻液对金属进行蚀刻以形成金属走线。目前，对于研发得到的蚀刻液的评估方法如下：使用蚀刻液对实际生产制备的阵列基板的金属层进行蚀刻，以此完成对蚀刻液的评估。然而，上述的蚀刻液评估方法容易造成资源浪费和不利于提升蚀刻液的研发效率。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种蚀刻液的评估方法，可以提高蚀刻液的研发效率以及避免资源浪费。
[0004]本申请实施例提供一种蚀刻液的评估方法，包括：
[0005]在第一基板上形成第一膜层；
[0006]在所述第一膜层上形成第二膜层；
[0007]在所述第二膜层上形成具有预设图案的第一蚀刻阻挡层；
[0008]对所述第二膜层进行蚀刻以暴露出所述第一膜层；
[0009]使用待测蚀刻液对所述第一膜层进行蚀刻以得到所述第一膜层的实际蚀刻图案；
[0010]获取所述实际蚀刻图案的实际蚀刻参数；
[0011]预设所述第一膜层的参考蚀刻图案，获取所述参考蚀刻图案的参考蚀刻参数；
[0012]比较所述参考蚀刻参数与所述实际蚀刻参数，以评估所述待测蚀刻液。
[0013]在一些实施例中，所述对所述第二膜层进行蚀刻以暴露出所述第一膜层的步骤包括：
[0014]对所述第二膜层进行蚀刻以使所述第一蚀刻阻挡层的端部突出于所述第二膜层的端部。
[0015]在一些实施例中，还包括：
[0016]在所述第一基板上形成第一膜层的同时形成第三膜层，所述第三膜层与所述第一膜层的材料相同；在所述第二膜层上形成具有预设图案的第一蚀刻阻挡层的同时在所述第三膜层上形成具有预设图案的第二蚀刻阻挡层，所述第二蚀刻阻挡层与所述第一蚀刻阻挡层的材料相同；
[0017]所述使用待测蚀刻液对所述第一膜层进行蚀刻以得到所述第一膜层的实际蚀刻图案的步骤还包括：
[0018]使用待测蚀刻液对所述第三膜层进行蚀刻以得到所述第三膜层的蚀刻图案，将所述第三膜层的蚀刻图案作为所述第一膜层的参考蚀刻图案。
[0019]在一些实施例中，还包括：
[0020]提供第二基板，在所述第二基板上形成第三膜层，所述第三膜层与所述第一膜层的材料相同；在所述第三膜层上形成具有预设图案的第二蚀刻阻挡层，所述第二蚀刻阻挡层与所述第一蚀刻阻挡层的材料相同；
[0021]所述使用待测蚀刻液对所述第一膜层进行蚀刻以得到所述第一膜层的实际蚀刻图案的步骤还包括：
[0022]使用待测蚀刻液对所述第三膜层进行蚀刻以得到所述第三膜层的蚀刻图案，将所述第三膜层的蚀刻图案作为所述第一膜层的参考蚀刻图案。
[0023]在一些实施例中，所述第一膜层和所述第一蚀刻阻挡层之间具有第一缝隙，所述第三膜层和所述第二蚀刻阻挡层之间具有第二缝隙；
[0024]所述获取所述实际蚀刻图案的实际蚀刻参数的步骤包括：
[0025]获取第一蚀刻宽度，所述第一蚀刻宽度为所述第一缝隙的宽度；
[0026]所述预设所述第一膜层的参考蚀刻图案，获取所述参考蚀刻图案的参照蚀刻参数的步骤包括：
[0027]获取第二蚀刻宽度，所述第二蚀刻宽度为所述第二缝隙的宽度；
[0028]所述比较所述参考蚀刻参数与实际蚀刻参数，以评估所述待测蚀刻液的步骤包括：
[0029]根据所述第一蚀刻宽度与所述第二蚀刻宽度的差值大小以评估所述待测蚀刻液。
[0030]在一些实施例中，所述在所述第一膜层上形成第二膜层的步骤之前，还包括：
[0031]对所述第一膜层进行蚀刻以使所述第一膜层形成多条走线；
[0032]所述在所述第二膜层上形成具有预设图案的第一蚀刻阻挡层的步骤包括：
[0033]在所述第二膜层上形成所述第一蚀刻阻挡层，对所述第一蚀刻阻挡层进行图案化以裸露出所述第二膜层，所述第一蚀刻阻挡层位于所述走线上，所述走线的边缘突出于所述第一蚀刻阻挡层的边缘；
[0034]所述参考蚀刻图案为所述第一膜层在所述使用待测蚀刻液对所述第一膜层进行蚀刻的步骤之前的图案。
[0035]在一些实施例中，所述获取所述实际蚀刻图案的实际蚀刻参数的步骤包括：
[0036]获取第一数量值，所述第一数量值为所述走线的总数量；
[0037]所述预设所述第一膜层的参考蚀刻图案，获取所述参考蚀刻图案的参考蚀刻参数的步骤包括：
[0038]获取第二数量值，所述第二数量值为所述走线的断线数量；
[0039]所述比较所述参考蚀刻参数与实际蚀刻参数，以评估所述待测蚀刻液的步骤包括：
[0040]根据所述第二数量值和所述第一数量值的比值评估所述待测蚀刻液。
[0041]在一些实施例中，所述在第一基板上形成第一膜层的步骤包括：
[0042]在所述第一基板上形成凸起结构；
[0043]在所述凸起结构上形成所述第一膜层，以使所述第一膜层在所述凸起结构的边缘上形成台阶面，所述台阶面包括第一表面、第二表面和连接面，所述连接面连接所述第一表面和所述第二表面，所述第一表面与所述第一基板的距离小于所述第二表面与所述第一基板的距离；
[0044]所述对所述第一膜层进行蚀刻以使所述第一膜层形成多条走线的步骤包括：
[0045]对所述第一膜层进行蚀刻以使所述第一膜层形成多条所述走线，每一所述走线覆盖所述凸起结构；
[0046]所述对所述第二膜层进行蚀刻以暴露出所述第一膜层的步骤包括：
[0047]对所述第二膜层进行蚀刻以暴露出所述第一膜层，所述第二膜层覆盖所述连接面，所述第二膜层覆盖所述第一表面的一部分和所述第二表面的一部分。
[0048]在一些实施例中，所述第二膜层的厚度在10纳米至50纳米之间；所述待测蚀刻液对所述第一膜层进行蚀刻的时间在10s至200s之间；所述待测蚀刻液对所述第一膜层进行蚀刻的温度在30摄氏度至60摄氏度之间。
[0049]在一些实施例中，所述第一膜层的材料为金属，所述第二膜层的材料为半导体氧化物。
[0050]本申请实施例提供的蚀刻液的评估方法，在第一基板上形成第一膜层。在所述第一膜层上形成第二膜层。在所述第二膜层上形成具有预设图案的第一蚀刻阻挡层。对所述第二膜层进行蚀刻以暴露出所述第一膜层。使用待测蚀刻液对所述第一膜层进行蚀刻以得到所述第一膜层的实际蚀刻图案；获取所述实际蚀刻图案的实际蚀刻参数。预设所述第一膜层的参考蚀刻图案，获取所述参考蚀刻图案的参考蚀刻参数。比较所述参考蚀刻参数与所述实际蚀刻参数，以评估所述待测蚀刻液。本申请实施例提供的蚀刻液的评估方法在待测基板上形成待测膜层结构之后，通过蚀刻液对待测基板进行蚀刻，将参考蚀刻图案和实际蚀刻图案的相关参数进行对比，以完成对蚀刻液的评估。本申请提供的蚀刻液的评估方法在材料的开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻液的评估方法，其特征在于，包括：在第一基板上形成第一膜层；在所述第一膜层上形成第二膜层；在所述第二膜层上形成具有预设图案的第一蚀刻阻挡层；对所述第二膜层进行蚀刻以暴露出所述第一膜层；使用待测蚀刻液对所述第一膜层进行蚀刻以得到所述第一膜层的实际蚀刻图案；获取所述实际蚀刻图案的实际蚀刻参数；预设所述第一膜层的参考蚀刻图案，获取所述参考蚀刻图案的参考蚀刻参数；比较所述参考蚀刻参数与所述实际蚀刻参数，以评估所述待测蚀刻液。2.根据权利要求1所述的蚀刻液的评估方法，其特征在于，所述对所述第二膜层进行蚀刻以暴露出所述第一膜层的步骤包括：对所述第二膜层进行蚀刻以使所述第一蚀刻阻挡层的端部突出于所述第二膜层的端部。3.根据权利要求1所述的蚀刻液的评估方法，其特征在于，还包括：在所述第一基板上形成第一膜层的同时形成第三膜层，所述第三膜层与所述第一膜层的材料相同；在所述第二膜层上形成具有预设图案的第一蚀刻阻挡层的同时在所述第三膜层上形成具有预设图案的第二蚀刻阻挡层，所述第二蚀刻阻挡层与所述第一蚀刻阻挡层的材料相同；所述使用待测蚀刻液对所述第一膜层进行蚀刻以得到所述第一膜层的实际蚀刻图案的步骤还包括：使用待测蚀刻液对所述第三膜层进行蚀刻以得到所述第三膜层的蚀刻图案，将所述第三膜层的蚀刻图案作为所述第一膜层的参考蚀刻图案。4.根据权利要求1所述的蚀刻液的评估方法，其特征在于，还包括：提供第二基板，在所述第二基板上形成第三膜层，所述第三膜层与所述第一膜层的材料相同；在所述第三膜层上形成具有预设图案的第二蚀刻阻挡层，所述第二蚀刻阻挡层与所述第一蚀刻阻挡层的材料相同；所述使用待测蚀刻液对所述第一膜层进行蚀刻以得到所述第一膜层的实际蚀刻图案的步骤还包括：使用待测蚀刻液对所述第三膜层进行蚀刻以得到所述第三膜层的蚀刻图案，将所述第三膜层的蚀刻图案作为所述第一膜层的参考蚀刻图案。5.根据权利要求3或4所述的蚀刻液的评估方法，其特征在于，所述第一膜层和所述第一蚀刻阻挡层之间具有第一缝隙，所述第三膜层和所述第二蚀刻阻挡层之间具有第二缝隙；所述获取所述实际蚀刻图案的实际蚀刻参数的步骤包括：获取第一蚀刻宽度，所述第一蚀刻宽度为所述第一缝隙的宽度；所述预设所述第一膜层的参考蚀刻图案，获取所述参考蚀刻图案的参照蚀刻参数的步骤包括：获取第二蚀刻宽度，所述第二蚀刻宽度为所述第二缝隙的宽度；所述比较所述参考蚀刻参数与实际蚀刻参数，以评估所述待测蚀刻液的步骤包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵文群，秦文，谭芳，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：