组合物制造技术

本发明专利技术涉及包含至少一种纳米尺寸发光材料的组合物。料的组合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组合物


[0001]本专利技术涉及一种组合物，其包含至少一种纳米尺寸发光材料和作为添加剂的至少一种由下文描绘的通式(1)或(2)表示的化合物，并且涉及包含所述组合物的配制剂。此外，本专利技术涉及所述组合物在制造光学介质的方法中的用途和所述组合物在器件中的用途，以及涉及光学介质和光学器件。

技术介绍

[0002]纳米尺寸发光材料(例如量子点(QD))的稳定性对于它们在例如电子学、光学或生物医学器件中的应用是必要的。稳定的QD在器件制造和器件操作的处理(所述处理会使所述QD暴露于高温、空气、湿气和化学品)过程中不会丧失它们的光致发光强度。
[0003]特别地，热稳定性差是实际应用基于量子点的器件的障碍。现有技术中描述了多种方法来改进QD的光和/或热稳定性，包括封装在聚合物基质内、交联、增加壳厚度等。
[0004]改进QD稳定性的另一个途径是将所述QD与稳定添加剂组合。这种组合可以防止量子点粒子降解(例如光降解或热降解)。所述添加剂可以附着于粒子表面并起到表面改性配体的作用。WO 2017/048510 A1涉及基于膦和氧化膦的衍生物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.包含至少一种纳米尺寸发光材料和至少一种由以下通式(1)或(2)表示的化合物的组合物：其中R1、R2、R3、R4、R5、R6相同或不同地选自烷基基团、芳基基团、杂芳基基团、芳烷基基团、杂芳烷基基团、烷芳基基团和烷基杂芳基基团；和Z是P、As或Sb。2.根据权利要求1的组合物，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6相同或不同地选自烷基基团、芳基基团和杂芳基基团，所述烷基基团选自具有1至30个C原子的直链烷基基团和具有3至30个C原子的支化或环状烷基基团，所述芳基基团选自具有5至30个芳族环原子的芳族基团，所述杂芳基基团选自具有5至30个芳族环原子的杂芳族基团，其中所述直链、支化和环状烷基基团以及所述芳族和杂芳族基团在每种情况下可以被一个或多个基团R7取代；其中R7相同或不同地选自F、Cl、Br、I、CN、NH2、N(R8)2、OH、NHC(O)R8、OR8、(
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OC(O)CHCH2)或(
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OC(O)C(CH3)CH2)、具有1至20个C原子的直链烷基基团、具有3至20个C原子的支化烷基基团、具有5至30个芳族环原子的芳族基团和具有5至30个芳族环原子的杂芳族基团，其中在所述直链或支化烷基基团中或在所述芳族或杂芳族基团中的一个或多个H原子可以被F、Cl、Br、I和/或CN替代；和R8相同或不同地选自具有1至20个C原子的直链烷基基团和具有3至20个C原子的支化烷基基团，其中一个或多个H原子可以被F、Cl、Br、I和/或CN替代。3.根据权利要求1或2的组合物，其中R1、R2和R3中的至少一个和R4、R5和R6中的至少一个是芳基或杂芳基基团。4.根据权利要求1至3中任一项的组合物，其中R1、R2和R3中的至少两个和R4、R5和R6中的至少两个相同或不同地选自芳基和杂芳基基团。5.根据权利要求1至4中任一项的组合物，其中R1、R2、R3、R4、R5和R6相同或不同地选自芳基和杂芳基基团。6.根据权利要求1至5中任一项的组合物，其中R1、R2、R3、R4、R5和R6相同或不同地选自具有5至18个芳族环原子的芳族基团和具有5至18个芳族环原子的杂芳族基团，它们在每种情况下可以被一个或多个基团R7取代；其中R7相同或不同地选自F、Cl、Br、I、CN、NH2、N(R8)2、OH、NHC(O)R8、OR8、(
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OC(O)CHCH2)或(
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OC(O)C(CH3)CH2)、具有1至20个C原子的直链烷基基团、具有3至20个C原子的支化烷基基团，其中在所述直链或支化烷基基团中的一个或多个H原子可以被F、Cl、Br、I和/或CN替代；和R8相同或不同地选自具有1至10个C原子的直链烷基基团和具有3至10个C原子的支化烷基基团，其中一个或多个H原子可以被F、Cl、Br、I和/或CN替代。
7.根据权利要求1或2的组合物，其中R1、R2、R3、R4、R5和R6相同或不同地选自烷基基团。8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：