一种低压直流电源的灯具防反接保护电路制造技术

一种低压直流电源的灯具防反接保护电路，其特征是由P

【技术实现步骤摘要】
一种低压直流电源的灯具防反接保护电路


[0001]本专利技术涉及一种低压直流电源的灯具防反接保护电路，所属低压直流电源供电的灯具设计制造领域。

技术介绍

[0002]目前，随着LED照明灯具的日益增多，无论是户外照明、户内照明等许多地方都采用低压直流电源为LED灯具供电，低压直流供电系统相对使用安全，配电系统又容易达到设计要求也符合国家的照明配电设计规范，进而节省成本；但低压直流接线对灯具来说需要区分正负极，故存在因人为因素的误操作把正负极接错线情况，不仅灯具不亮，还会有烧坏灯具同时又有损坏供电电源及线路的风险，有着火灾的隐患；故要在灯具电路设计中考虑嵌入灯具防反接保护电路，并尽可能降低灯具防反接保护电路的电能损耗，达到既有保护效果而且节能的目的。
[0003]本专利技术主要创新点：
[0004]1、研发一种低压直流电源的灯具防反接保护电路，具有低压直流电源的正负极反向接错线时电路不导通的反向接错保护。
[0005]2、研发上述一种低压直流电源的灯具防反接保护电路，防反接保护电路在电路正负极接反保护时，耗电近为零；防反接保护电路在电路正负极接线正确时，电能损耗很低。

技术实现思路

[0006]本专利技术要解决的技术问题是：设计一种低压直流电源的灯具防反接保护电路，避免因人为的误操作，在正负极接错线时，仅仅灯具不亮且并不消耗电能、不会造成灯具电路和配电系统的损坏，接线正确后灯具能恢复正常工作，灯具系统加入防反接保护电路后，其防反接保护电路的耗能很低。
[0007]本专利技术所采用的防反接保护电路技术原理是：相比采用二极管方案，利用P
‑
沟 MOSFET管101导通时的D电极与S电极间电阻很小，而损耗很小；采用稳压二极管102钳制P
‑
沟 MOSFET管101的G电极与S电极间的电压，确保P
‑
沟 MOSFET管101导通时工作在的最小电阻状态；输入正极Ui+的电流先经P
‑
沟 MOSFET管101的D电极及内部二极管流向S电极至输出正极Uo+，再从输出正极Uo+经灯具电路至共用负极U
‑
形成回路，P
‑
沟 MOSFET管101的S电极向G电极经第一电阻103联接共用负极U
‑
，故P
‑
沟 MOSFET管101的G电极与S电极间形成偏置电压，P
‑
沟 MOSFET管101的D电极与S电极间打开而导通，导通时的电阻上压降远小于P
‑
沟 MOSFET管101的内部二极管的结电压，故本专利技术正常导通时功耗低；如果线路的电源线接反，一路电流是从共用负极U
‑
进入经第一电阻103及稳压二极管102至P
‑
沟 MOSFET管101的S电极，因为P
‑
沟 MOSFET管101的G电极与S电极间没有偏置电压，从P
‑
沟 MOSFET管101的S电极的电流不能至D电极， 而从第一电阻103至P
‑
沟 MOSFET管101的G电极的电流不能至D电极，另一路电流是从共用负极U
‑
进入经LED灯具驱动电路200至P
‑
沟 MOSFET管101的S电极，但不能到达P
‑
沟 MOSFET管101的D电极，故此不能形成通路，达到电路反向保护的目的。
[0008]本专利技术的目的是通过下述技术方案来实现的：
[0009]1、一种低压直流电源的灯具防反接保护电路，是由P
‑
沟 MOSFET管101及其相联的稳压二极管102和第一电阻103组成。
[0010]2、根据上述1所述的一种低压直流电源的灯具防反接保护电路，还在于P
‑
沟 MOSFET管101的D极联接电路的输入正极Ui+，P
‑
沟 MOSFET管101的S电极联接电路的输出正极Uo+，P
‑
沟 MOSFET管101的G电极通过第一电阻103联接共用负极U
‑
。
[0011]3、根据上述1所述的一种低压直流电源的灯具防反接保护电路，还在于稳压二极管102负极联接电路的输出正极Uo+，稳压二极管102正极联接P
‑
沟 MOSFET管101的G极，确保P
‑
沟 MOSFET管101的偏置电压U
GS
不超过稳压二极管102的额定稳压值。
[0012]4、根据上述1所述的一种低压直流电源的灯具防反接保护电路，还在于稳压二极管102的额定稳压值选定为10V， 第一电阻103的值设定为电路正常工作的最大电压值情况下，稳压二极管102的工作电流不超过其正常工作范围。
[0013]常见防反接保护电路的应用概述：
[0014]常见防反接保护电路，如图2所示，仅在灯具电路的正极上串联一个整流二极管300后，再接电源；灯具安装时接线正确后，二极管导通灯具正常工作；接线不正确时，整流二极管300反向不导通，进入保护灯具的工作状态；一般二极管导通时有0.7V至1.5V的工作电压降，灯具输入电流较大时，电压降也提高，整流二极管300的损耗较大。
[0015]本专利技术的有益效果是：解决了现有产品的防反接保护电路的不足之处，且改进方案结构简单，工艺简单可行，加工成本低，提高了用电的安全性，实用性，消除了潜在的电气安全隐患；本专利技术的防反接保护电路在工作时耗能低，提高了电路效率，达到了节能的目的。
附图说明
[0016]图1：是本专利技术的第一种低压直流电源的灯具防反接保护电路的电路接线图；
[0017]图2：是常见防反接保护电路的电路接线图；
[0018]图3：是本专利技术的第二种低压直流电源的灯具防反接保护电路的电路接线图。
[0019]图中标注说明：100．防反接保护电路方案一；101．P
‑
沟 MOSFET管；102．稳压二极管；103．第一电阻；104．第二电阻；200．LED灯具驱动电路；300．整流二极管；400．防反接保护电路方案二；Ui+．输入正极；Uo+．输出正极；U
‑
．共用负极。
具体实施方式
[0020]实施案例一
[0021]下面结合图1，对本专利技术实施案例一进行详细描述：
[0022]1、一种低压直流电源的灯具防反接保护电路，图1所示，设计应用参数为：输入电压，即输入正极Ui+与共用负极U
‑
之间的电压为10V至24V，I
D
最大工作的电流4A。
[0023]2、如图1所示，防反接保护电路方案一100的元器件选用：P
‑
沟 MOSFET管101为KIA3401，其技术参数为：V
DS
=
‑
30V，ID=
‑
4A，R
DS(on) < 60mΩ(V
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压直流电源的灯具防反接保护电路，其特征是由P
‑
沟 MOSFET管（101）及其相联的稳压二极管（102）和第一电阻（103）组成；P
‑
沟 MOSFET管（101）的D极接电路的输入正极(Ui+)，P
‑
沟 MOSFET管（101）的S极接电路的输出正极（Uo+），P
‑
沟 MOSFET管（101）的S极通过第一电阻（103）接电源的共用负极（U
‑
）；稳压二极管（...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐有荪，黄淑儿，
申请(专利权)人：利亚德照明股份有限公司，
类型：新型
国别省市：