一种用于真空火花间隙的高脉冲触发电路及装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及高脉冲触发电路及装置，具体涉及一种用于真空火花间隙的高脉冲触发电路及装置，包括火花间隙GAP、电容C、可控硅SCR、变压器T和充电电路，火花间隙GAP连接于主回路的进线端、出线端之间，火花间隙GAP上并联有分压电阻R1、分压电阻R2，火花间隙GAP与变压器T的二次侧相连，变压器T的一次侧连接有电容C、可控硅SCR，分压电阻R1与电容C之间连接有充电电路；本实用新型专利技术提供的技术方案能够有效克服现有技术所存在的不能对火花间隙进行有效控制的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种用于真空火花间隙的高脉冲触发电路及装置
本技术涉及高脉冲触发电路及装置，具体涉及一种用于真空火花间隙的高脉冲触发电路及装置。
技术介绍
在电路中，火花间隙由于其具有结构简单、通流能力强、耐高压、导通时间短等特点而被广泛应用。但是，火花间隙导通后很难被完全关断，当线路发生短路时，若火花间隙不能及时关断，电路仍在导通状态，很可能造成火灾或触电事故。常规的触发电路往往采用开关等导通，使得电路复杂，装置体积大，在此设计出一种高脉冲触发电路及装置来完全触发和关断火花间隙，使火花间隙所在电路快速通断并完全可控。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术所存在的上述缺点，本技术提供了一种用于真空火花间隙的高脉冲触发电路及装置，能够有效克服现有技术所存在的不能对火花间隙进行有效控制的缺陷。(二)技术方案为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：一种用于真空火花间隙的高脉冲触发电路，包括火花间隙GAP、电容C、可控硅SCR、变压器T和充电电路，所述火花间隙GAP连接于主回路的进线端、出线端之间，所述火花间隙GAP上并联有分压电阻R1、分压电阻R2，所述火花间隙GAP与变压器T的二次侧相连，所述变压器T的一次侧连接有电容C、可控硅SCR，所述分压电阻R1与电容C之间连接有充电电路。优选地，所述火花间隙GAP的相对极与主回路的进线端相连，所述火花间隙GAP的相邻极与主回路的出线端相连。优选地，所述火花间隙GAP的相对极连接分压电阻R1的一端，所述火花间隙GAP的相邻极连接分压电阻R2的一端，所述分压电阻R1与分压电阻R2串联。优选地，所述火花间隙GAP的触发极与变压器T的二次侧的一端连接，所述火花间隙GAP的相邻极与变压器T二次侧的另一端连接。优选地，所述变压器T的一次侧的一端连接电容C的负极，所述电容C的正极连接可控硅SCR的阳极，所述可控硅SCR的阴极连接变压器T的一次侧的另一端。优选地，所述可控硅SCR与光电耦合器电性连接。优选地，所述充电电路为整流桥。一种用于真空火花间隙的高脉冲触发装置，包括上述用于真空火花间隙的高脉冲触发电路。(三)有益效果与现有技术相比，本技术所提供的一种用于真空火花间隙的高脉冲触发电路及装置，不仅能够对火花间隙进行有效控制，控制主回路的通断，具有结构简单、安全可靠的优点，同时又能节省电容的损耗，提高电网系统的稳定性和电能的综合利用率。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的电路示意图；图2为本技术图1中分压电阻R1、电容C与充电电路之间的电路示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。一种用于真空火花间隙的高脉冲触发电路，如图1和图2所示，包括火花间隙GAP、电容C、可控硅SCR、变压器T和充电电路，火花间隙GAP连接于主回路的进线端、出线端之间，火花间隙GAP上并联有分压电阻R1、分压电阻R2，火花间隙GAP与变压器T的二次侧相连，变压器T的一次侧连接有电容C、可控硅SCR，所述分压电阻R1与电容C之间连接有充电电路。火花间隙GAP的相对极与主回路的进线端相连，火花间隙GAP的相邻极与主回路的出线端相连。火花间隙GAP的相对极连接分压电阻R1的一端，火花间隙GAP的相邻极连接分压电阻R2的一端，分压电阻R1与分压电阻R2串联。火花间隙GAP的触发极与变压器T的二次侧的一端连接，火花间隙GAP的相邻极与变压器T二次侧的另一端连接。变压器T的一次侧的一端连接电容C的负极，电容C的正极连接可控硅SCR的阳极，可控硅SCR的阴极连接变压器T的一次侧的另一端。可控硅SCR与光电耦合器电性连接。充电电路为整流桥。一种用于真空火花间隙的高脉冲触发装置，包括上述用于真空火花间隙的高脉冲触发电路。当火花间隙GAP不工作时，主回路经过分压电阻R1、分压电阻R2投入运行，分压电阻R1通过充电电路给电容C充电，电容C向可控硅SCR输送电能，但可控硅SCR的控制极G需得到触发信号才能导通。此时，可以通过光电耦合器产生触发信号，当光电耦合器中有电流通过时，发光二极管发光，触发管感应到光信号后输出高频脉冲电信号，使得控制极G得到触发信号，可控硅SCR导通。电容C通过可控硅SCR、变压器T的一次侧形成触发回路，变压器T的一次侧为二次侧提供火花间隙GAP导通所需要的触发电压，火花间隙GAP因此导通，主回路通过火花间隙GAP运行。若需要关断火花间隙GAP时，只需将光电耦合器断电，可控硅SCR的控制极G不再收到高频脉冲电信号，可控硅SCR关断，触发回路关断，变压器T的一次侧不再为二次侧提供火花间隙GAP导通所需要的触发电压，火花间隙GAP失去高脉冲触发电压，因此被完全关断，退出运行。本申请技术方案中，可控硅SCR选择光电耦合器来进行通断控制，但不限于采用其他方式对可控硅SCR进行通断控制。分压电阻R1可为300kΩ，分压电阻R2可为10MΩ，电容C可为4uF，这里给出一种可实现的规格参数，具体规格参数还需要根据电路实际情况和使用需求进行设置。以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不会使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于真空火花间隙的高脉冲触发电路，其特征在于：包括火花间隙GAP、电容C、可控硅SCR、变压器T和充电电路，所述火花间隙GAP连接于主回路的进线端、出线端之间，所述火花间隙GAP上并联有分压电阻R1、分压电阻R2，所述火花间隙GAP与变压器T的二次侧相连，所述变压器T的一次侧连接有电容C、可控硅SCR，所述分压电阻R1与电容C之间连接有充电电路。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于真空火花间隙的高脉冲触发电路，其特征在于：包括火花间隙GAP、电容C、可控硅SCR、变压器T和充电电路，所述火花间隙GAP连接于主回路的进线端、出线端之间，所述火花间隙GAP上并联有分压电阻R1、分压电阻R2，所述火花间隙GAP与变压器T的二次侧相连，所述变压器T的一次侧连接有电容C、可控硅SCR，所述分压电阻R1与电容C之间连接有充电电路。


2.根据权利要求1所述的用于真空火花间隙的高脉冲触发电路，其特征在于：所述火花间隙GAP的相对极与主回路的进线端相连，所述火花间隙GAP的相邻极与主回路的出线端相连。


3.根据权利要求2所述的用于真空火花间隙的高脉冲触发电路，其特征在于：所述火花间隙GAP的相对极连接分压电阻R1的一端，所述火花间隙GAP的相邻极连接分压电阻R2的一端，所述分压电阻R1与分压电阻R2串联。


4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王炎，王小芹，郝家银，虞江华，
申请(专利权)人：安徽徽电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34