一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关制造技术

本实用新型专利技术提供的一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关，设置在电源电路的控制开关内，其包括控制电路板和其上的控制电路，所述的控制电路控制电源的开启与关闭；电源电路包括电源输入电路和电源输出电路，所述的控制电路分别于电源输入电路和电源输出电路电学连接。本实用新型专利技术提供的一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关，先通过第四MOSFET元件导通使第一第二MOSFET关断，然后利用延时电路的电容导通三MOSFET元件，此时第四MOSFET元件断开，从而实现电源启动电路的导通，避免了MOSFET元件在导通时长时间处于线性损耗工作状态，降低损耗，提高开关的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关
本技术涉及一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关。
技术介绍
现有的生产中经常需要用到DC-DC电源，电源的使用需要用到浪涌抑制线路，通过浪涌抑制线路来保护电源在开启时受到的升压电路，在传统的浪涌抑制线路中，采用MOSFET元件通过RC延时电路来导通电源，从而降低旁路电阻的损耗，但是这样会造成MOSFET元件在开通过程中有一段时间工作在线性区，损耗较大，一旦使用较高功率的DC-DC电源时，会因为电流较大，在连续开关机时，很容易造成MOSFET元件损坏，而MOSFET元件的损坏就容易造成电源损坏，影响电源使用。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于：提供一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关，旨在通过开关控制电路的重新设计，利用MOSFET元件进行快速导通，从而降低其在线性工作区的导通时长，提高开关和电源的使用寿命。为解决上述技术问题，本技术的技术方案是：一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关，设置在电源电路的控制开关内，其包括控制电路板和其上的控制电路，所述的控制电路控制电源的开启与关闭；电源电路包括电源输入电路和电源输出电路，所述的控制电路分别于电源输入电路和电源输出电路电学连接；所述的控制电路包括驱动电路、延时电路和开关电路；所述的驱动电路用于启动所述的控制开关，连接所述的延时电路；所述的延时电路用于延时开启所述的控制开关，连接所述的驱动电路和开关电路；所述的开关电路位于电源电路上，连接并控制电源电路；所述的开关电路包括多个MOSFET元件、一个分压电阻、一个稳压管和多个保护电阻；所述的MOSFET元件采用第一MOSFET元件和第二MOSFET元件，所述的MOSFET元件的G端电极相互电学连接并且与分压电阻电学连接，D端与电源输出电路VIN-电学连接；所述的分压电阻采用第一分压电阻，一端与所述的第一MOSFET元件和第二MOSFET元件电学连接，一端连接所述的驱动电路；所述的稳压管采用第一稳压管，与所述的MOSFET元件和分压电阻并联，一端与所述的第一分压电阻电学连接，一端与所述的MOSFET元件的S端电极电学连接；所述的保护电阻并联在所述的MOSFET元件上，一端与S端电极电学连接，一端与D端电极电学连接；所述的延时电路4包括一个MOSFET元件、一个延时电容、一个分压电阻、一个稳压管和一个保护电阻，各个元件相互电学连接；所述的MOSFET元件采用第三MOSFET元件，其D端电极与所述的驱动电路电学连接，S端电极连接地端HV-，并且与所述的驱动电路、分压电阻和稳压管电学连接；所述的延时电容一端与所述的第三MOSFET元件的G端电极电学连接，一端与S端电极电学连接；所述的分压电阻采用第二分压电阻，与所述的延时电容电学连接，一端与电源输入电路电学连接；所述的稳压管采用第二稳压管，与所述的延时电容并联连接；所述的保护电阻与所述的延时电容并联连接；所述的驱动电路包括一个提供电源的驱动电源、一个控制联通的MOSFET元件和多个限流电阻，各个元件相互电学连接；所述的MOSFET元件采用第四MOSFET元件，其G电极与所述的第三MOSFET元件的D端电极电学连接，S端电极与所述的第三MOSFET元件的S端电极，同时连接地端，D端电极与所述的电阻和驱动电源电学连接，同时与所述的开关电路电学连接，连接至所述的第一稳压管的一端；所述的限流电阻设置不少于两个，一个连接所述的第四MOSFET元件和驱动电源，一个连接所述的第三MOSFET元件和驱动电源。进一步的，所述的开关电路上设置不少于两个MOSFET元件，实现开关电流浪涌抑制的作用。进一步的，所述的开关电路并联连接两个输入电容，采用第一输入电容和第二输入电容，两个所述的输入电容两端分别于电源输入电路和电源输出电路电学连接，所述的第一输入电容连接电源输出电路的一端还连接地端。进一步的，所述的第四MOSFET元件与所述的驱动电源电学连接，驱动电源开启后使得所述的第四MOSFET元件G端电极获得高电平信号而导通，此时，连接所述的第四MOSFET元件D端电极的所述开关电路上MOSFET元件的G端电极的电平极低而无法实现导通；所述的第三MOSFET元件的G端电极连接所述的延时电容，此时延时电容暂未完成充电，所述的第三MOSFET元件G端电极电平极低而无法导通。进一步的，所述的延时电容充电完成时，所述的第三MOSFET元件的G端电极获得高电平信号而导通，所述的第四MOSFET元件的G端电极电平被拉低而关闭导通，此时，所述的第一MOSFET元件和第二MOSFET元件的G端电极获得驱动电源端的高电平信号，所述的开关电路的快速导通，完成开启功能。与现有技术相比，本技术提供的一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关，先通过第四MOSFET元件导通实现驱动电路的快速导通，然后利用延时电路的电容导通三MOSFET元件，此时第四MOSFET元件断开，从而实现电源启动电路的导通，避免了MOSFET元件在导通时长时间处于工作状态而进入线性损耗区域，提高开关的使用寿命。附图说明图1示出本技术的控制电路板的示意图。图2示出本技术的电路的示意图其中：1.控制电路板、2.控制电路、3.驱动电路、4.延时电路、5.开关电路、VIN+.电源输入电路、VIN-.电源输出电路、HV-.地端、VCC.驱动电源、Q1.第一MOSFET元件、Q2.第二MOSFET元件、Q3.第三MOSFET元件、Q4.第四MOSFET元件、C53.延时电容、C5.第一输入电容、C6.第二输入电容、R1.第一分压电阻、R7.第二分压电阻、R2.保护电阻、R3.保护电阻、R4.限流电阻、R5.限流电阻、R6.保护电阻、ZD1.第一稳压管、ZD2.第二稳压管。具体实施方式如图所示，在一个实施例中，一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关，设置在电源电路的控制开关内，其包括控制电路板1和其上的控制电路2，所述的控制电路2控制电源的开启与关闭；电源电路包括电源输入电路VIN+和电源输出电路VIN-，所述的控制电路2分别于电源输入电路VIN+和电源输出电路VIN-电学连接；所述的控制电路2包括驱动电路3、延时电路4和开关电路5；所述的驱动电路3用于启动所述的控制开关，连接所述的延时电路4；所述的延时电路4用于延时开启所述的控制开关，连接所述的驱动电路3和开关电路5；所述的开关电路5位于电源电路上，连接并控制电源电路；所述的开关电路5包括多个MOSFET元件、一个分压电阻、一个稳压管和多个保护电阻；所述的MOSFET元件采用第一MOSFET元件Q1和第二MOSFET元件Q2，所述的MOSFET元件的G端电极相互电学连接并且与分压电阻电学连接，D端与电源输出电路VIN-电学连接；所述的分压电阻采用第一分压电阻R1，一端与所述的第一MOSFET元件Q1和第二MOSFET元件Q2电学连接，一端连接所述的驱动电路3；所述的稳压管采用第一稳压管ZD1，与所述的MOSFE本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关，设置在电源电路的控制开关内，其包括控制电路板和其上的控制电路，所述的控制电路控制电源的开启与关闭；电源电路包括电源输入电路和电源输出电路，所述的控制电路分别于电源输入电路和电源输出电路电学连接；/n所述的控制电路包括驱动电路、延时电路和开关电路；所述的驱动电路用于启动所述的控制开关，连接所述的延时电路；所述的延时电路用于延时开启所述的控制开关，连接所述的驱动电路和开关电路；所述的开关电路位于电源电路上，连接并控制电源电路；/n其特征在于，所述的开关电路包括多个MOSFET元件、一个分压电阻、一个稳压管和多个保护电阻；所述的MOSFET元件采用第一MOSFET元件和第二MOSFET元件，所述的MOSFET元件的G端电极相互电学连接并且与分压电阻电学连接，D端与电源输出电路VIN-电学连接；所述的分压电阻采用第一分压电阻，一端与所述的第一MOSFET元件和第二MOSFET元件电学连接，一端连接所述的驱动电路；所述的稳压管采用第一稳压管，与所述的MOSFET元件和分压电阻并联，一端与所述的第一分压电阻电学连接，一端与所述的MOSFET元件的S端电极电学连接；所述的保护电阻并联在所述的MOSFET元件上，一端与S端电极电学连接，一端与D端电极电学连接；/n所述的延时电路包括一个MOSFET元件、一个延时电容、一个分压电阻、一个稳压管和一个保护电阻，各个元件相互电学连接；所述的MOSFET元件采用第三MOSFET元件，其D端电极与所述的驱动电路电学连接，S端电极连接地端HV-，并且与所述的驱动电路、分压电阻和稳压管电学连接；所述的延时电容一端与所述的第三MOSFET元件的G端电极电学连接，一端与S端电极电学连接；所述的分压电阻采用第二分压电阻，一端与所述的延时电容电学连接，一端与电源输入电路电学连接；所述的稳压管采用第二稳压管，与所述的延时电容并联连接；所述的保护电阻与所述的延时电容并联连接；/n所述的驱动电路包括一个提供电源的驱动电源、一个控制联通的MOSFET元件和多个限流电阻，各个元件相互电学连接；所述的MOSFET元件采用第四MOSFET元件，其G电极与所述的第三MOSFET元件的D端电极电学连接，S端电极与所述的第三MOSFET元件的S端电极，同时连接地端，D端电极与所述的限流电阻和驱动电源电学连接，同时与所述的开关电路电学连接，连接至所述的第一稳压管的一端；所述的限流电阻设置不少于两个，一个连接所述的第四MOSFET元件和驱动电源，一个连接所述的第三MOSFET元件和驱动电源。/n...

【技术特征摘要】
1.一种降低开机浪涌功率管损耗的控制开关，设置在电源电路的控制开关内，其包括控制电路板和其上的控制电路，所述的控制电路控制电源的开启与关闭；电源电路包括电源输入电路和电源输出电路，所述的控制电路分别于电源输入电路和电源输出电路电学连接；
所述的控制电路包括驱动电路、延时电路和开关电路；所述的驱动电路用于启动所述的控制开关，连接所述的延时电路；所述的延时电路用于延时开启所述的控制开关，连接所述的驱动电路和开关电路；所述的开关电路位于电源电路上，连接并控制电源电路；
其特征在于，所述的开关电路包括多个MOSFET元件、一个分压电阻、一个稳压管和多个保护电阻；所述的MOSFET元件采用第一MOSFET元件和第二MOSFET元件，所述的MOSFET元件的G端电极相互电学连接并且与分压电阻电学连接，D端与电源输出电路VIN-电学连接；所述的分压电阻采用第一分压电阻，一端与所述的第一MOSFET元件和第二MOSFET元件电学连接，一端连接所述的驱动电路；所述的稳压管采用第一稳压管，与所述的MOSFET元件和分压电阻并联，一端与所述的第一分压电阻电学连接，一端与所述的MOSFET元件的S端电极电学连接；所述的保护电阻并联在所述的MOSFET元件上，一端与S端电极电学连接，一端与D端电极电学连接；
所述的延时电路包括一个MOSFET元件、一个延时电容、一个分压电阻、一个稳压管和一个保护电阻，各个元件相互电学连接；所述的MOSFET元件采用第三MOSFET元件，其D端电极与所述的驱动电路电学连接，S端电极连接地端HV-，并且与所述的驱动电路、分压电阻和稳压管电学连接；所述的延时电容一端与所述的第三MOSFET元件的G端电极电学连接，一端与S端电极电学连接；所述的分压电阻采用第二分压电阻，一端与所述的延时电容电学连接，一端与电源输入电路电学连接；所述的稳压管采用第二稳压管，与所述的延时电容并联连接；所述的保护电阻与所述的延时电容并联连接；
所述的驱动电路包括一个提供电源的驱动电源、一个控制联通的MOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：王威，姜军勇，邹明辉，何马超，
申请(专利权)人：苏州明纬科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32