【技术实现步骤摘要】
一种超低55V直流击穿电压陶瓷气体放电装置
本技术涉及人工智能
,具体为一种超低55V直流击穿电压陶瓷气体放电装置。
技术介绍
信息时代,人工智能,信息化,数据化方兴未艾,大规模集成电路越来越多,功能是越来越强大,但是,由于芯片越来越精细,也越来越脆弱。特别是雷害、无处不在的EMI电磁脉冲、过压过流等EMC问题,都给人类带来了无法估量经济损失,为了更好的保护集成电路,保护电子信息设备,提高这些设备设施的安全,就需要给这些设备增加防护方案,防护防雷方案的核心元件产品之一,就是陶瓷气体放电管,由于是气体放电特性,目前现有工艺和技术只能生产最低72V的产品,而且耐雷击冲击性能低下,因此,针对上述问题提出一种超低55V直流击穿电压陶瓷气体放电装置。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种超低55V直流击穿电压陶瓷气体放电装置,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种超低55V直流击穿电压陶瓷气体放电装置,包括螺杆,所述螺杆的一端固定连接有TU1电极,所述TU1 ...
【技术保护点】
1.一种超低55V直流击穿电压陶瓷气体放电装置,包括螺杆(7),其特征在于:所述螺杆(7)的一端固定连接有TU1电极(6),所述TU1电极(6)的一端固定连接有金属化陶瓷(5),所述金属化陶瓷(5)的一端固定连接有铁镍合金电极(1),且铁镍合金电极(1)与TU1电极(6)固定连接,所述铁镍合金电极(1)的一端固定连接有钨铜合金网格电极(3),所述钨铜合金网格电极(3)的一端固定连接有活性发射柱(2)。/n
【技术特征摘要】
1.一种超低55V直流击穿电压陶瓷气体放电装置,包括螺杆(7),其特征在于:所述螺杆(7)的一端固定连接有TU1电极(6),所述TU1电极(6)的一端固定连接有金属化陶瓷(5),所述金属化陶瓷(5)的一端固定连接有铁镍合金电极(1),且铁镍合金电极(1)与TU1电极(6)固定连接,所述铁镍合金电极(1)的一端固定连接有钨铜合金网格电极(3),所述钨铜合金网格电极(3)的一端固定连接有活性发射柱(2)。
2.根据权利要求1所述的一种超低55V直流击穿电压陶瓷气体放电装置,其特征在于:所...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘洪,朱程,刘平,陈华,
申请(专利权)人:中山市威特科电子有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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