【技术实现步骤摘要】
一种保护电路及设备
本专利技术属于电路
，尤其涉及一种保护电路及设备。
技术介绍
电路在遭遇雷击和在接通、断开电感负载或大型负载时常常会产生很高的操作过电压，这种瞬时过电压称为浪涌电压，是一种瞬变干扰。实际生活中，用户在使用电子设备的过程中难免会出现接错电源线，将不匹配的电源接到设备上，也就是说，当输入电压高于设备标称输入电压就会导致设备上电子元器件的损坏，导致设备异常甚至损坏。目前，现有的保护电路一般直接使用二极管和MOS管防反接及反灌，当二极管和MOS管两端经受瞬间的高电压能量冲击时，二极管和MOS管能够以极高的速度把两端的阻抗值变为低阻抗，以吸收瞬间大电流来保护电路。但是，上述保护电路的各电路之间电压保护的可靠性差。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种保护电路及设备，以解决现有技术中保护电路的各电路之间电压保护的可靠性差的问题。本专利技术实施例的第一方面提供了一种保护电路，包括：第一输入端、第二输入端、输出端、第一比较器、第二比较器、第三比较器、...
【技术保护点】
1.一种保护电路，其特征在于，包括：/n第一输入端、第二输入端、输出端、第一比较器、第二比较器、第三比较器、第一或非门、第二或非门、第一MOS管、第二MOS管和非门；/n所述第一输入端分别与所述第一MOS管的源极、所述第一比较器的第一输入端和所述第二比较器的第二输入端连接，所述第一比较器的第二输入端和所述第一MOS管的漏极均连接所述输出端，所述第一比较器的输出端连接所述第一或非门的第一输入端，所述第一或非门的输出端连接所述第一MOS管的栅极；/n所述第二输入端分别与所述第二比较器的第一输入端、所述第二MOS管的源极和所述第三比较器的第一输入端连接，所述第三比较器的第二输入端...
【技术特征摘要】
1.一种保护电路，其特征在于，包括：
第一输入端、第二输入端、输出端、第一比较器、第二比较器、第三比较器、第一或非门、第二或非门、第一MOS管、第二MOS管和非门；
所述第一输入端分别与所述第一MOS管的源极、所述第一比较器的第一输入端和所述第二比较器的第二输入端连接，所述第一比较器的第二输入端和所述第一MOS管的漏极均连接所述输出端，所述第一比较器的输出端连接所述第一或非门的第一输入端，所述第一或非门的输出端连接所述第一MOS管的栅极；
所述第二输入端分别与所述第二比较器的第一输入端、所述第二MOS管的源极和所述第三比较器的第一输入端连接，所述第三比较器的第二输入端和所述第二MOS管的漏极均连接所述输出端，所述第三比较器的输出端连接所述第二或非门的第二输入端，所述第二或非门的输出端连接所述第二MOS管的栅极，所述第二或非门的第一输入端与所述第二比较器的输出端均连接所述非门的输入端，所述非门的输出端连接所述第一或非门的第二输入端。
2.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第一比较器、第二比较器、第三比较器为电压比较器。
3.如权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述电压比较器包括：单限比较器、滞回比较器、窗口比较器和三态电压比较器。
4.一种具有电压选择功能的保护电路，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述的保护电路。
5.如权利要求4所述的具有电压选择功能的保护电路，其特征在于，
在所述第一输入端的输入电压大于所述第二输入端的输入电压的情况下，所述第二比较器输出低电平，所述低电平经过所述非门后输出高电平，所述第一比较器输出高电平，所述第一比较器输出的高电平与所述低电平经过所述非门后输出的高电平经过所述第一或非门后输出低电平，
所述第一MOS管导通；所述第三比较器输出高电平，所述第三比较器输出的高电平与所述第二比较器输出的低电平经过所述第二或非门后输出高电平，所述第二MOS管断开，所述输出端的输出电压等于所述第一输入端的输入电压；
在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙海滨，张文聪，
申请(专利权)人：漳州立达信光电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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