阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了阵列基板和显示装置。该阵列基板包括多个阵列设置的子像素，每个所述子像素包括：衬底；第一电极，所述第一电极设置在所述衬底的一侧；第二电极，所述第二电极设置在所述第一电极远离所述衬底的一侧，所述第一电极和所述第二电极中的一个作为像素电极，另一个作为公共电极，其中，所述第二电极包括多条间隔设置的第二子电极，所述第二子电极的宽度为W，相邻两个所述第二子电极之间狭缝的间距为S，不同所述子像素的W/S值的差值小于等于15％。由此，每个子像素之间的W/S值差异较小，可以有效解决因子像素间寄生电容不同而导致的显示装置显示画面时出现摇头文不良的现象。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板和显示装置
本专利技术涉及显示
，具体的，涉及阵列基板和显示装置。
技术介绍
随着超高清视频产业的不断升级，市场上4K电视已经基本普及，8K电视市场也已经初具规模。8K产品由于date线数量较多，导致COF数量偏多，面板成本上升，而且过多的COF数量导致包材和整机的设计比较困难。Dualgate(双栅)设计目前已经普遍运用于4K产品，后期也计划向8K产品导入，相比于普通设计，dualgate设计有助于降低COF数量，降低整机设计难度。但是dualgate设计对面板的设计和工艺的挑战也很大，导致容易受寄生电容影响，产生因亮度差异导致的摇头纹等不良。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种阵列基板，该阵列基板可以有效缓解或解决双栅结构的8K产品的显示不良的现象。在本专利技术您的一个方面，本专利技术提供了一种阵列基板。根据本专利技术的实施例，该阵列基板包括多个阵列设置的子像素，每个所述子像素包括：衬底；第一电极，所述第一电极设置在所述衬底的一侧；第二电极，所述第二电极设置在所述第一电极远离所述衬底的一侧，所述第一电极和所述第二电极中的一个作为像素电极，另一个作为公共电极，其中，所述第二电极包括多条间隔设置的第二子电极，所述第二子电极的宽度为W，相邻两个所述第二子电极之间狭缝的间距为S，不同所述子像素的W/S值的差值小于等于15％。由此，每个子像素之间的W/S值差异较小，可以有效解决因子像素间寄生电容不同而导致的显示装置显示画面时出现摇头文不良的现象。根据本专利技术的实施例，不同所述子像素的W/S值的差值为5％～15％。根据本专利技术的实施例，定义相邻四个所述子像素为一个像素组，每个所述像素组包括呈两行两列设置的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素，所述第一子像素和所述第二子像素同列设置，所述第三子像素和所述第四子像素同列设置，所述第一子像素和所述第三子像素同行设置，所述第二子像素和所述第四子像素同行设置，其中，所述第一子像素的第一TFT结构位于所述第一子像素远离所述第二子像素的边缘；所述第二子像素的除第二栅极之外的第二TFT结构位于所述第三子像素和所述第四子像素之间，所述第二栅极位于所述第二子像素远离所述第一子像素的边缘；所述第三子像素的除第三栅极之外的第三TFT结构位于所述第一子像素和所述第二子像素之间，所述第三栅极位于所述第三子像素靠近所述第四子像素的边缘；所述第四子像素的第四TFT结构位于所述第四子像素远离所述第三子像素的边缘。根据本专利技术的实施例，在所述第一子像素和所述第二子像素中，所述第二电极满足以下条件至少之一：所述第二子电极的宽度为1～5微米；相邻两个所述第二子电极之间狭缝的间距为2.5～8微米。根据本专利技术的实施例，在所述第一子像素和所述第二子像素中，W/S值为20％～40％。根据本专利技术的实施例，在所述第三子像素和所述第四子像素中，所述第二电极满足以下条件至少之一：所述第二子电极的宽度为1～5微米；相邻两个所述第二子电极之间狭缝的间距为2.5～8微米。根据本专利技术的实施例，在所述第三子像素和所述第四子像素中，W/S值为30％～50％。根据本专利技术的实施例，所述每个所述第二子电极的宽度与与其一侧的所述狭缝间距之和相同。根据本专利技术的实施例，所述每个所述第二子电极的宽度与与其一侧的所述狭缝间距之和为5～10微米。根据本专利技术的实施例，所述阵列基板还包括：绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一电极远离所述衬底的一侧；有源层，所述有源层设置在所述绝缘层远离衬底的一侧；栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述衬底的一侧，且覆盖有源层；栅极，所述栅极设置在栅绝缘层远离所述衬底的一侧；层间介质层，所述层间介质层设置在所述栅绝缘层远离衬底的一侧，且覆盖所述栅极；源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述层间介质层远离所述衬底的一侧，且通过过孔与所述有源层电连接；平坦层，所述平坦层设置在所述层间介质层远离所述衬底的一侧，且覆盖所述源极和所述漏极，其中，所述第二电极设置在所述平坦层远离所述衬底的一侧。在本专利技术的另一方面，本专利技术提供了一种显示装置。根据本专利技术的实施例，该显示装置包括前面所述的阵列基板。由此，该显示装置的显示画面的质量较佳。本领域技术人员可以理解，该显示装置具有前面所述的阵列基板的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。附图说明本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1是本专利技术一个实施例中阵列基板的结构示意图；图2是本专利技术另一个实施例中阵列基板中的部分结构的平面图。具体实施方式下面将结合实施例对本专利技术的方案进行解释。本领域技术人员将会理解，下面的实施例仅用于说明本专利技术，而不应视为限定本专利技术的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。在本专利技术您的一个方面，本专利技术提供了一种阵列基板。根据本专利技术的实施例，该阵列基板包括多个阵列设置的子像素，参照图1，每个所述子像素包括：衬底10；第一电极21，所述第一电极21设置在所述衬底10的一侧；第二电极22，所述第二电极22设置在所述第一电极21远离所述衬底10的一侧，所述第一电极21和所述第二电极22中的一个作为像素电极，另一个作为公共电极，其中，所述第二电极22包括多条间隔设置的第二子电极220，所述第二子电极220的宽度为W，相邻两个所述第二子电极220之间狭缝的间距为S，不同所述子像素的W/S值(即W与S的比值)的差值小于等于15％。由此，每个子像素之间的W/S值差异较小，应用于双栅结构的8K显示装置中，可以有效解决因子像素间寄生电容不同而导致的显示装置显示画面时出现摇头文不良的现象。根据本专利技术的实施例，不同所述子像素的W/S值的差值为5％～15％，比如不同所述子像素的W/S值的差值可以为15％、12％、10％、8％、7％、5％、4％、3％、1％等。具体的，双栅结构的8K显示装置中，其中的每个子像素都有正负极性，双栅结构的显示装置的每一列正帧和负帧的数量相同，理论上，不存在正负帧亮度差导致的摇头纹不良，但是双栅结构的显示装置的每个子像素的寄生电容不同，导致CGP(栅极与像素电极之间差生的电容)差异，，即寄生电容对不同子像素电压的拉动电压不同，最终导致不同的子像素间亮度不同，进而导致显示装置竖纹不良。在本专利技术中通过调整子像素中第二电极的第二子电极的宽度和间距的比值，使得不同所述子像素的W/S值的差值小于等于15％，如此，可以有效改善显示装置显示画面时摇头纹不良的问题。根据本专利技术的实施例，参照图1，阵列基板还包括：绝缘层30，所述绝缘层30设置在所述第一电极21远离所述衬底10的一侧；有源层40，所述有源层40设置在所述绝缘层30远离衬底10的一侧；栅绝缘层60，所述栅绝缘层60设置在所述衬底10的一侧，且覆盖有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括多个阵列设置的子像素，每个所述子像素包括：/n衬底；/n第一电极，所述第一电极设置在所述衬底的一侧；/n第二电极，所述第二电极设置在所述第一电极远离所述衬底的一侧，所述第一电极和所述第二电极中的一个作为像素电极，另一个作为公共电极，/n其中，所述第二电极包括多条间隔设置的第二子电极，所述第二子电极的宽度为W，相邻两个所述第二子电极之间狭缝的间距为S，不同所述子像素的W/S值的差值小于等于15％。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括多个阵列设置的子像素，每个所述子像素包括：
衬底；
第一电极，所述第一电极设置在所述衬底的一侧；
第二电极，所述第二电极设置在所述第一电极远离所述衬底的一侧，所述第一电极和所述第二电极中的一个作为像素电极，另一个作为公共电极，
其中，所述第二电极包括多条间隔设置的第二子电极，所述第二子电极的宽度为W，相邻两个所述第二子电极之间狭缝的间距为S，不同所述子像素的W/S值的差值小于等于15％。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，不同所述子像素的W/S值的差值为5％～15％。


3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，定义相邻四个所述子像素为一个像素组，每个所述像素组包括呈两行两列设置的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素，所述第一子像素和所述第二子像素同列设置，所述第三子像素和所述第四子像素同列设置，所述第一子像素和所述第三子像素同行设置，所述第二子像素和所述第四子像素同行设置，
其中，所述第一子像素的第一TFT结构位于所述第一子像素远离所述第二子像素的边缘；所述第二子像素的除第二栅极之外的第二TFT结构位于所述第三子像素和所述第四子像素之间，所述第二栅极位于所述第二子像素远离所述第一子像素的边缘；所述第三子像素的除第三栅极之外的第三TFT结构位于所述第一子像素和所述第二子像素之间，所述第三栅极位于所述第三子像素靠近所述第四子像素的边缘；所述第四子像素的第四TFT结构位于所述第四子像素远离所述第三子像素的边缘。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一子像素和所述第二子像素中，所述第二电极满足以下条件至少之一：
所述第二子电极的宽度为1～5微米；
相邻两个所述第二子电极之间狭缝的间距为2...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭远辉，张敏，廖燕平，高玉杰，徐元宁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，武汉京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11