一种碳化硅粉体颗粒长大的方法技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅粉体颗粒长大的方法，该方法包括：一、将可溶性无机盐加热至熔融温度搅拌，冷却后磨细过筛得到熔盐粉；二、将熔盐粉与碳化硅粉体配比并混合均匀得到混合物；三、将混合物在熔盐粉的共熔温度以上保温得到熔融物；四、将熔融物冷却至室温后研磨，经洗涤、静置和干燥，得到长大的碳化硅粉体颗粒。本发明专利技术采用可溶性无机盐为熔盐体系，与碳化硅粉体混合共熔，使得小的碳化硅颗粒优先溶解，并在大的碳化硅颗粒上沉淀而逐渐长大，同时部分杂质也会通过熔盐而除去，有利于碳化硅晶体的生长，提高了长大的碳化硅粉体颗粒的质量纯度。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅粉体颗粒长大的方法
本专利技术属于碳化硅粉体
，具体涉及一种碳化硅粉体颗粒长大的方法。
技术介绍
碳化硅具有硬度高、高温强度好、抗氧化、耐磨损性好、热导率大、热膨胀系数小以及耐化学腐蚀等优良特性，在冶金、航空航天、机械、能源、环保、化工、医学、电子信息、半导体、军工等高尖端
都有广泛的应用。目前，对于碳化硅制备(含长大)的方法主要分为固相法(如Acheson法、碳热还原法、自蔓延合成法)、气相法(如化学气相沉积法、升华法、化学燃烧法、激光诱导法、等离子体法)和液相法(如溶胶凝胶法、水热反应法、沉淀法、溶剂蒸发法等)。而固相法具有原料丰富、价格低廉、制备工艺简单，易于大规模生产，但产物纯度较低；气相法和液相法对原料的粒度和纯度都要求很高，纯度多为99％，原料价格昂贵，粒径多为纳米级到亚微米级，难以实现大规模工业化生产。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供一种碳化硅粉体颗粒长大的方法。该方法采用可溶性无机盐为熔盐体系，与碳化硅粉体混合共熔，使得小的碳化硅颗粒优本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅粉体颗粒长大的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：/n步骤一、熔盐制备：将可溶性无机盐加热至熔融温度并搅拌5min～30min，冷却后磨细过筛，收集筛下物得到熔盐粉；/n步骤二、混合配比：将步骤一中得到的熔盐粉与碳化硅粉体配比并混合均匀，得到混合物；/n步骤三、晶体溶解与长大：将步骤二中得到的混合物装入坩埚中后放入高温电阻炉中，在熔盐粉的共熔温度以上保温，得到熔融物；/n步骤四、产物处理：将步骤三中得到的熔融物冷却至室温后取出研磨，然后在恒温水浴中采用蒸馏水搅拌洗涤多次，静置后倒出澄清洗涤液，余下的沉淀物进行干燥，得到长大的碳化硅粉体颗粒。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅粉体颗粒长大的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、熔盐制备：将可溶性无机盐加热至熔融温度并搅拌5min～30min，冷却后磨细过筛，收集筛下物得到熔盐粉；
步骤二、混合配比：将步骤一中得到的熔盐粉与碳化硅粉体配比并混合均匀，得到混合物；
步骤三、晶体溶解与长大：将步骤二中得到的混合物装入坩埚中后放入高温电阻炉中，在熔盐粉的共熔温度以上保温，得到熔融物；
步骤四、产物处理：将步骤三中得到的熔融物冷却至室温后取出研磨，然后在恒温水浴中采用蒸馏水搅拌洗涤多次，静置后倒出澄清洗涤液，余下的沉淀物进行干燥，得到长大的碳化硅粉体颗粒。


2.根据权利要求1所述的一种碳化硅粉体颗粒长大的方法，其特征在于，步骤一中所述可溶性无机盐为氯化盐。


3.根据权利要求2所述的一种碳化硅粉体颗粒长大的方法，其特征在于，所述氯化盐为NaCl、KCl、MgCl2和CaCl2中的一种或两种以上。


4...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊子民，王晓刚，
申请(专利权)人：西安博尔新材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61