玻璃基板、捆包体以及玻璃基板的制造方法技术

本发明专利技术的玻璃基板是通过与含有硅的基板层叠而形成层叠基板的玻璃基板，上述玻璃基板具有凹面和凸面，具有能够识别上述凹面和上述凸面的标记。

【技术实现步骤摘要】
玻璃基板、捆包体以及玻璃基板的制造方法本申请是申请号为201680043220.X、申请日为2016年7月19日、专利技术名称为“玻璃基板、层叠基板、层叠基板的制造方法、层叠体、捆包体以及玻璃基板的制造方法”的专利技术申请的分案申请。
本专利技术涉及玻璃基板、层叠基板、层叠基板的制造方法、层叠体、捆包体以及玻璃基板的制造方法。
技术介绍
在半导体器件的领域中，器件的集成度增加，另一方面不断小型化。与此相伴，对具有高集成度的器件的封装技术的需要越来越高。迄今为止的半导体组装工序中，将晶圆状态的玻璃基板和含有硅的基板分别切断后，将上述玻璃基板与上述含有硅的基板贴合，进行贴片、引线接合以及封胶等一系列的组装工序。近年来，在原尺寸的晶圆状态下将玻璃基板与含有硅的基板贴合进行组装工序后再进行切断的晶圆级封装技术备受关注。例如，专利文献1中了提出晶圆级封装中使用的支承玻璃基板。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2015/037478号
技术实现思路
玻璃基板的制造中，很难以量产等级制造完全平坦的玻璃，存在会制造出具有起伏的玻璃基板的问题。晶圆级封装中，将玻璃基板与含有硅的基板贴合而制成层叠基板的工序中，如果玻璃基板有起伏，则产生上述玻璃基板与上述含有硅的基板之间出现缝隙而气泡容易进入的问题。因此，本专利技术提供将玻璃基板与含有硅的基板贴合而制成层叠基板的工序中，气泡不易进入上述玻璃基板与上述含有硅的基板之间的玻璃基板、层叠基板、层叠基板的制造方法、层叠体、捆包体以及玻璃基板的制造方法。本专利技术的玻璃基板的特征在于，是用于通过与含有硅的基板层叠而形成层叠基板的玻璃基板，上述玻璃基板具有凹面和凸面，具有能够识别上述凹面和上述凸面的标记。本专利技术的层叠基板的特征在于，上述玻璃基板的凸面与含有硅的基板层叠而形成。本专利技术的层叠基板的制造方法的特征在于具有如下工序：上述玻璃基板的由凸面或凹面构成的曲面与含有硅的基板的由凸面或凹面构成的曲面以彼此的曲面吻合的方式进行贴合。本专利技术的层叠体的特征在于，通过在构成上述层叠基板的玻璃基板上贴合其他玻璃基板而形成。本专利技术的捆包体的特征在于，将2张以上上述玻璃基板捆包而形成，以上述玻璃基板的一个玻璃基板的凸面与另一个玻璃基板的凹面对置的方式进行捆包。或者，本专利技术的捆包体的特征在于，将2张以上上述层叠基板捆包而形成，以上述层叠基板中的构成一个层叠基板的含有硅的基板与构成另一个层叠基板的玻璃基板的凹面对置的方式进行捆包。或者，本专利技术的捆包体的特征在于，将2张以上上述层叠体捆包而形成，以上述层叠体中的构成一个层叠体的含有硅的基板与构成另一个层叠体的玻璃基板的凹面对置的方式进行捆包。本专利技术的玻璃基板的制造方法的特征在于，是用于通过与含有硅的基板层叠而形成层叠基板的玻璃基板的制造方法，通过具有如下工序而得到上述玻璃基板：熔解工序，加热玻璃原料而得到熔融玻璃；成型工序，将上述熔融玻璃制成板状而得到玻璃带；缓慢冷却工序，将上述玻璃带缓慢冷却，切断工序，将上述玻璃带切断而得到玻璃基板；检查工序，辨别上述玻璃基板的凹面和凸面；在上述凹面和上述凸面中的至少一方给予标记的工序。采用本专利技术的玻璃基板、层叠基板、层叠基板的制造方法、层叠体、捆包体以及玻璃基板的制造方法，在将玻璃基板与含有硅的基板贴合而制成层叠基板的工序中，气泡不易进入上述玻璃基板与上述含有硅的基板之间。附图说明图1中的(A)和图1中的(B)表示与含有硅的基板贴合的本专利技术的第一实施方式的玻璃基板，图1中的(A)表示贴合前的截面图，图1中的(B)表示贴合后的截面图。图2中的(A)～(C)表示本专利技术的第一实施方式的玻璃基板，图2中的(A)表示俯视图，图2中的(B)表示仰视图，图2中的(C)表示截面图。图3中的(A)～(C)表示形成槽口作为标记的玻璃基板，图3(A)表示俯视图，图3中的(B)表示仰视图，图3中的(C)表示截面图。图4中的(A)和图4中的(B)表示示出了将本专利技术的第一实施方式的玻璃基板与含有硅的基板贴合的状况的截面图。图5中的(A)～(C)表示由支承部件支承本专利技术的第一实施方式的玻璃基板时的状况，图5中的(A)表示平面图，图5中的(B)和图5中的(C)表示截面图。图6中的(A)～(C)表示由支承部件支承本专利技术的第一实施方式的玻璃基板时的状况，图6中的(A)表示平面图，图6中的(B)和图6中的(C)表示截面图。图7中的(A)～(C)表示本专利技术的第二实施方式的玻璃基板，图7中的(A)表示俯视图，图7中的(B)表示仰视图，图7中的(C)表示截面图。图8中的(A)～(C)表示本专利技术的第三实施方式的玻璃基板，图8中的(A)表示俯视图，图8中的(B)表示仰视图，图8中的(C)表示截面图。图9中的(A)～(C)表示本专利技术的第三实施方式的玻璃基板，图9中的(A)表示俯视图，图9中的(B)表示仰视图，图9中的(C)表示截面图。图10表示本专利技术的一个实施方式的捆包体的截面图。图11表示本专利技术的一个实施方式的捆包体的截面图。图12中的(a)和图12中的(b)表示对在层叠基板的制造工序中玻璃基板的曲面与含有硅的基板的曲面的关系进行说明的截面图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的一个实施方式进行详细说明。首先，对本专利技术的第一实施方式的玻璃基板进行说明。图1(A)和图1(B)是与含有硅的基板贴合的本专利技术的第一实施方式的玻璃基板的截面图。图1(A)所表示的本专利技术的第一实施方式的玻璃基板G1与含有硅的基板10在中间介由树脂20在例如气氛200℃～400℃的温度下贴合，得到图1(B)所表示的层叠基板30。作为含有硅的基板10，例如，使用原尺寸的晶圆(例如硅晶圆)。另外，含有硅的基板10可以是形成有元件的晶圆、从晶圆切出元件的芯片(例如硅芯片)被树脂封胶而成的基板等，也可以由硅晶圆、硅芯片等硅基板与TGV等玻璃基板、树脂基板等硅基板以外的基板构成。这时，硅基板和玻璃基板例如利用铜等进行布线连接。树脂20耐受例如200～400℃的温度。本专利技术的第一实施方式的玻璃基板适合作为扇出型晶圆级封装用的支承玻璃基板。另外，适合作为由晶圆级封装得到的元件小型化有效的MEMS、CMOS、CIS等图像传感器用的玻璃基板、玻璃中介层(GIP)的开孔基板、以及半导体背面研磨用的支持玻璃。本专利技术的第一实施方式的玻璃基板没有起伏，具有一个主表面为凹面、对置的另一个主表面为凸面的曲面。应予说明，本专利技术中所说的凸面或凹面是指使用SEMI标准而识别宏观曲面为凸面或凹面。由此，上述第一实施方式的玻璃基板的“没有起伏”并不是指在玻璃基板上微观起伏也不存在。本专利技术中所说的凸面或凹面具体而言，使用SEMI标准的BOW(MF534)或者WARP(MF657、MF1390)能够识别凸面或凹本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种玻璃基板，是用于通过与含有硅的基板层叠而形成层叠基板的玻璃基板，所述玻璃基板具有凹面和凸面且具有能够识别所述凹面和所述凸面的标记，/n能够识别所述凹面和所述凸面的标记为形成于所述凹面和所述凸面中的至少一方的标记，/n形成于所述凹面的标记的个数与形成于所述凸面的标记的个数不同。/n

【技术特征摘要】
20150724 JP 2015-147249;20151228 JP 2015-2568951.一种玻璃基板，是用于通过与含有硅的基板层叠而形成层叠基板的玻璃基板，所述玻璃基板具有凹面和凸面且具有能够识别所述凹面和所述凸面的标记，
能够识别所述凹面和所述凸面的标记为形成于所述凹面和所述凸面中的至少一方的标记，
形成于所述凹面的标记的个数与形成于所述凸面的标记的个数不同。


2.根据权利要求1所述的玻璃基板，其中，在所述凹面上具有标记，且在所述凸面上没有标记。


3.根据权利要求1或2所述的玻璃基板，其中，能够识别所述凹面和所述凸面的标记的至少一个为凹陷。


4.根据权利要求3所述的玻璃基板，其中，所述凹陷的形状为文字或符号。


5.根据权利要求1或2所述的玻璃基板，其中，至少一个主表面的面积为70～2000cm2。


6.根据权利要求1或2所述的玻璃基板，其中，至少一个主表面的形状为圆形。


7....

【专利技术属性】
技术研发人员：塙优，野村周平，小野和孝，竹下畅彦，花岛圭辅，
申请(专利权)人：AGC株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP