一种优化的预放电电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种优化的预放电电路，包括二极管D1、电阻R65、电阻R67、二极管D8、场效应管Q1和场效应管Q26，所述二极管D1的阴极连接单片机的接口GPIO_ADC、电容C19和电阻R67，电阻R67的另一端连接电阻R66、电阻R60和场效应管Q26的源极，本实用新型专利技术的有益效果是：1：本电路模块化在布线方便，只要单片机IO口辐射出两根线即可，没有BAT+的高压，也没有12v穿过其他区域来到预放电电路；2：本电路在MOS管能完全导通的情况节省了很多器件和空间；3：在节省的空间中只要增加几个器件，就能得到一个预放电反馈，给系统更多的信息做判断。

【技术实现步骤摘要】
一种优化的预放电电路
本技术涉及供电优化
，具体是一种优化的预放电电路。
技术介绍
随着社会的进步和发展，仓储、家庭、出行等方面的智能化，可移动的消费类电子产品的多元化，电池作为清洁能源的提供者，使其越来越受到广大消费者的追捧和青睐，成为电子产品不可或缺的一部分。在应用过程中，电池作为能源的输出端，通过一定条件的充电、放电、高温成组存储、低温成组存储测等测试项目，考量电芯的性能是否符合使用条件，提高应用中的安全、运行系数，在长期的使用过程当中，帮助电池降低使用过程中故障率，为用户在使用过程中，提供更为安心的服务，提高用户认可度，成为一项非常有意义的研究课题。现有的方案如图1和2所示,在预放电的驱动中，大部分采用了复杂驱动，如图1,预放电MOS:Q15的驱动取自BAT+到C4线性降压再到单片机控制的Q6开关，其中BAT+是高压，如图1中箭头所示在pcb布线的时候因为布局关系会穿过整个PCB板，造成了布线的困难和违反高低压隔离的原则，如图2稍微改善，用了系统的V12电源做MOS管驱动，但存在的问题是把这个电路按模块化布局来说，进入的信号线将是V12和CoYufang的单片机I/O口两条信号线，如图2所示就算BAT+为20串电摩，经过R56,R57限流电阻，最大电流也才84/50＝1.68A,这种小电流的mos管很多都是VGS门槛电压在2V左右，如表1所示，是MOS管规格表示意图，1.4V驱动就足以达到MOS规格书中的低阻抗开启,因此现有技术功耗较大。表1
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种优化的预放电电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种优化的预放电电路，包括二极管D1、电阻R65、电阻R67、二极管D8、场效应管Q1和场效应管Q26，所述二极管D1的阴极连接单片机的接口GPIO_ADC、电容C19和电阻R67，电阻R67的另一端连接电阻R66、电阻R60和场效应管Q26的源极，电阻R66的另一端连接二极管D8的阴极和场效应管Q26的栅极，二极管D8的阳极连接单片机的接口GPIO_EN，二极管D1的阳极连接电阻R65和接地端，电容C19的另一端连接电阻R65的另一端、电阻RS4和接地端，电阻RS4的另一端连接电阻R60的另一端和场效应管Q1的源极，场效应管Q26的漏极连接保险丝F2，保险丝F2的另一端连接电阻R61和电阻R63，电阻R61的另一端通过电阻R62连接场效应管Q1的漏极和场效应管Q2的漏极，电阻R63的另一端通过电阻R64连接场效应管Q1的漏极和场效应管Q2的漏极。作为本技术的进一步技术方案：所述场效应管Q1和场效应管Q2组成充放电功率管。作为本技术的进一步技术方案：所述二极管D8的型号为1N4148。作为本技术的进一步技术方案：所述场效应管Q26的型号为NCE1540KA。作为本技术的进一步技术方案：所述二极管D1为稳压二极管。作为本技术的进一步技术方案：所述二极管D1的稳压值为2.4V。作为本技术的进一步技术方案：所述电阻R67的阻值为1KΩ。作为本技术的进一步技术方案：所述电阻R54的阻值为1mΩ。作为本技术的进一步技术方案：所述电阻R66的阻值为100KΩ。作为本技术的进一步技术方案：所述场效应管Q1和场效应管Q2均为N型场效应管。与现有技术相比，本技术的有益效果是：1：本电路模块化布线方便，只要单片机IO口辐射出两根线即可，没有BAT+的高压，也没有12v穿过其他区域来到预放电电路。2：本电路在MOS管能完全导通的情况节省了很多器件和空间。3：在节省的空间中只要增加几个器件，就能得到一个预放电反馈，给系统更多的信息做判断。附图说明图1为现有技术一的电路图。图2为现有技术二的电路图。图3为本技术的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图3，一种优化的预放电电路，包括二极管D1、电阻R65、电阻R67、二极管D8、场效应管Q1和场效应管Q26，所述二极管D1的阴极连接单片机的接口GPIO_ADC、电容C19和电阻R67，电阻R67的另一端连接电阻R66、电阻R60和场效应管Q26的源极，电阻R66的另一端连接二极管D8的阴极和场效应管Q26的栅极，二极管D8的阳极连接单片机的接口GPIO_EN，二极管D1的阳极连接电阻R65和接地端，电容C19的另一端连接电阻R65的另一端、电阻RS4和接地端，电阻RS4的另一端连接电阻R60的另一端和场效应管Q1的源极，场效应管Q26的漏极连接保险丝F2，保险丝F2的另一端连接电阻R61和电阻R63，电阻R61的另一端通过电阻R62连接场效应管Q1的漏极和场效应管Q2的漏极，电阻R63的另一端通过电阻R64连接场效应管Q1的漏极和场效应管Q2的漏极。场效应管Q1和场效应管Q2组成充放电功率管。二极管D8的型号为1N4148。场效应管Q26的型号为NCE1540KA。二极管D1为稳压二极管。二极管D1的稳压值为2.4V。电阻R67的阻值为1KΩ。电阻R54的阻值为1mΩ。电阻R66的阻值为100KΩ。场效应管Q1的和场效应管Q2均为N型场效应管。电路中的二极管D8和电阻R66构成Q26的驱动电路。电阻R60,电容C19,电阻R67构成a二极管D电容C采样电路，GPIO_EN连接到单片机，电阻R66连接到MOS的GS极构成卸放电路，GPIO_EN经过二极管防反接后直接控制Q26的G极，GPIO_A二极管D电容C连接单片机，当需要预放电时，GPIO_EN输出高电平3.3V,经过二极管压降还有2.9V,此时Q26导通，假设此时满电84，那么电阻R60分压到0.42v,此时Q26，G级被抬高0.42v，VGS剩下2.48v,还是远大于规格书中的1.4v，可完全导通。当电池满电84得到的分压0.42v或者欠压保护的54V分压0.27v，分压经过A二极管D电容C采样，单片机根据电压值可知道预放电是否成功。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种优化的预放电电路，包括二极管D1、电阻R65、电阻R67、二极管D8、场效应管Q1和场效应管Q26，其特征在于，所述二极管D1的阴极连接单片机的接口GPIO_ADC、电容C19和电阻R67，电阻R67的另一端连接电阻R66、电阻R60和场效应管Q26的源极，电阻R66的另一端连接二极管D8的阴极和场效应管Q26的栅极，二极管D8的阳极连接单片机的接口GPIO_EN，二极管D1的阳极连接电阻R65和接地端，电容C19的另一端连接电阻R65的另一端、电阻RS4和接地端，电阻RS4的另一端连接电阻R60的另一端和场效应管Q1的源极，场效应管Q26的漏极连接保险丝F2，保险丝F2的另一端连接电阻R61和电阻R63，电阻R61的另一端通过电阻R62连接场效应管Q1的漏极和场效应管Q2的漏极，电阻R63的另一端通过电阻R64连接场效应管Q1的漏极和场效应管Q2的漏极。/n

【技术特征摘要】
1.一种优化的预放电电路，包括二极管D1、电阻R65、电阻R67、二极管D8、场效应管Q1和场效应管Q26，其特征在于，所述二极管D1的阴极连接单片机的接口GPIO_ADC、电容C19和电阻R67，电阻R67的另一端连接电阻R66、电阻R60和场效应管Q26的源极，电阻R66的另一端连接二极管D8的阴极和场效应管Q26的栅极，二极管D8的阳极连接单片机的接口GPIO_EN，二极管D1的阳极连接电阻R65和接地端，电容C19的另一端连接电阻R65的另一端、电阻RS4和接地端，电阻RS4的另一端连接电阻R60的另一端和场效应管Q1的源极，场效应管Q26的漏极连接保险丝F2，保险丝F2的另一端连接电阻R61和电阻R63，电阻R61的另一端通过电阻R62连接场效应管Q1的漏极和场效应管Q2的漏极，电阻R63的另一端通过电阻R64连接场效应管Q1的漏极和场效应管Q2的漏极。


2.根据权利要求1所述的一种优化的预放电电路，其特征在于，所述场效应管Q1和场效应管Q2组成充放电功率管。

【专利技术属性】
技术研发人员：吴智声，俞峰，
申请(专利权)人：福建飞毛腿动力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35