用于等离子体处理装置的传输装置和等离子体处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及等离子体刻蚀的技术领域，公开了一种传输装置和等离子体处理装置，所述传输装置包括承载件，其内设有空腔，其包括相对的第一面和第二面，所述第一面用于承载所述基片，所述第二面具有若干个气孔，所述气孔与所述空腔连通，所述气孔朝向基座的表面；一端与所述空腔连通的气体管道；与所述气体管道的另一端连接的气压控制机构，用于通过气体管道、空腔和气孔扰动基座上方的气体，从而清理基座表面的污染物。在所述承载件上设置气孔，通过气压控制机构产生正压或负压，将沾在静电吸盘上的颗粒吹走或吸走，避免基片背面颗粒污染，从而防止基片叠加传输过程中造成下基片表面颗粒污染。

【技术实现步骤摘要】
用于等离子体处理装置的传输装置和等离子体处理装置
本技术涉及等离子体刻蚀的
，具体涉及一种用于等离子体处理装置的传输装置和等离子体处理装置。
技术介绍
在半导体器件的制造过程中，等离子刻蚀是将基片加工成设计图案的关键工艺。在典型的等离子体处理工艺中，工艺气体在射频(RadioFrequency，RF)激励作用下形成等离子体。这些等离子体在经过上电极和下电极之间的电场作用后与基片表面发生物理轰击作用及化学反应，从而刻蚀出具有特定结构的基片。对基片处理之后，通常会进行基片离开后的清洁处理，并在清洁处理之后在等离子体处理装置的反应腔侧壁形成涂层。然而在形成所述涂层的过程中不可避免的会产生很多颗粒，颗粒会粘附到基座上，当基片放上去之后颗粒会沾到基片的背面，从而会污染基片，基片再将颗粒传到传输装置上，污染传输装置。当再次利用所述传输装置传输下一片基片时，将污染下一基片。
技术实现思路
鉴于上述的不足之处，本技术的目的在于提供一种用于等离子体处理装置的传输装置和等离子体处理装置，防止基片和传输装置被颗粒污染。为了实现上述目的，本技术提供的技术方案为：一种用于等离子体处理装置的传输装置，所述等离子体处理装置包括反应腔，所述反应腔的侧壁设有基片传输口，所述反应腔内的底部设有基座，所述传输装置用于实现基片在所述基片传输口的传进和传出，所述基座用于承载基片，其特征在于，包括：承载件，其内设有空腔，其包括相对的第一面和第二面，所述第一面用于承载所述基片，所述第二面具有若干个气孔，所述气孔与所述空腔连通，所述气孔朝向基座的表面；气体管道，其一端与所述空腔连通；气压控制机构，与所述气体管道的另一端连接，用于通过气体管道、空腔和气孔扰动基座上方的气体，以清理所述基座表面的污染物。可选的，所述气压控制机构为抽气装置，用于通过气体管道、空腔和气孔抽走所述基座表面的污染物。可选的，所述抽气装置的压力范围为5-100mT。可选的，所述气压控制机构为吹气装置，用于通过气体管道、空腔和气孔吹走所述基座表面的污染物。可选的，所述吹气装置吹出的气体为惰性气体。可选的，所述传输装置还包括：控制阀，用于控制所述气体管道的通闭。可选的，所述气孔的直径为1-20mm。可选的，所述气孔在所述承载件的第二面上呈圆周阵列设置。可选的，所述传输装置还包括：动力机构，提供动力源；从动机构，一端连接于所述动力机构上，另一端连接于所述承载件。本技术还提供的技术方案为：一种等离子体处理装置，包括：反应腔，其内底部设有基座，所述基座用于承载基片，其侧壁还设有基片传输口，所述基片传输口用于实现基片的传进传出；传输装置，所述承载件的第一面承载基片，可通过基片传输口将基片置于基座上，当所述承载件的第二面与基座相对时，所述气压控制机构通过气体管道、空腔和气孔扰动基座上方的气体，以清理基座表面的污染物。可选的，所述反应腔的个数为一个，所述传输装置的个数为一个。可选的，所述反应腔的个数为两个，所述传输装置的个数为两个，每个所述传输装置中的所述承载件用于向一个所述反应腔内输送基片。可选的，两个所述承载件在所述反应腔外上下交叠放置。可选的，所述等离子体处理装置还包括真空泵，用于抽出反应腔内的气体，使所述反应腔内为真空环境。与现有技术相比，本技术技术方案具有如下有益效果：本技术的传输装置，为了将基片置于基座上，传输装置本身就要靠近基座，当传输装置的承载件的第二面传输至与基座相对时，通过气压控制机构扰动基座上方的气体，从而达到清理基座表面污染物的目的，这样再将基片置于基座表面时不易污染基片的背面，当基片的表面被处理完后，利用传输装置传出基片时也不易污染传输装置。并且，清理基座表面污染物的过程在传输基片的过程中实现，无需相互等待，有利于传输装置的工作效率。另外，清理颗粒无需增加其它结构，实现方式较为简单，清理到位，能够有效地防止颗粒沾粘或掉落到所述基座或基片上。附图说明所包括的附图用来提供对本技术实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本技术的实施方式，并与文字描述一起来阐释本技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1是本技术的一实施例的一种等离子体处理装置的示意图；图2是本技术的一实施例的一种传输装置的结构的示意图；图3是本技术的一实施例的一种等离子体处理装置的示意图；图4是本技术的另一实施例的一种等离子体处理装置的示意图。其中，100、传输装置；110、承载件；111、气孔；120、气体管道；130、控制阀；140、气压控制机构；210、动力机构；220、从动机构；300、等离子体处理装置；311、反应腔；312、基座；313、静电吸盘；314、传输口；315、真空泵；400、基片。具体实施方式需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本技术可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本技术的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。为了解决颗粒污染的技术问题，本技术提出了一种传输装置和设置有此传输装置的运输装置，以及传输装置和运输装置所适用的等离子体刻蚀设备。通过所述传输装置对等离子体刻蚀设备中的静电吸盘以及基片进行清理，防止基片表面形成颗粒污染。下面参考附图和可选的实施例对本技术作进一步说明。图1为本技术的一种等离子体处理装置的示意图；图2为本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于等离子体处理装置的传输装置，所述等离子体处理装置包括反应腔，所述反应腔的侧壁设有基片传输口，所述反应腔内的底部设有基座，所述基座用于承载基片，所述传输装置用于实现基片在所述基片传输口的传进和传出，其特征在于，包括：/n承载件，其内部设有空腔，其包括相对的第一面和第二面，所述第一面用于承载所述基片，所述第二面具有若干个气孔，所述气孔与所述空腔连通，所述气孔朝向基座的表面；/n气体管道，其一端与所述空腔连通；/n气压控制机构，与所述气体管道的另一端连接，用于通过气体管道、空腔和气孔扰动基座上方的气体，以清理所述基座表面的污染物。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于等离子体处理装置的传输装置，所述等离子体处理装置包括反应腔，所述反应腔的侧壁设有基片传输口，所述反应腔内的底部设有基座，所述基座用于承载基片，所述传输装置用于实现基片在所述基片传输口的传进和传出，其特征在于，包括：
承载件，其内部设有空腔，其包括相对的第一面和第二面，所述第一面用于承载所述基片，所述第二面具有若干个气孔，所述气孔与所述空腔连通，所述气孔朝向基座的表面；
气体管道，其一端与所述空腔连通；
气压控制机构，与所述气体管道的另一端连接，用于通过气体管道、空腔和气孔扰动基座上方的气体，以清理所述基座表面的污染物。


2.根据权利要求1所述的一种传输装置，其特征在于，所述气压控制机构为抽气装置，用于通过气体管道、空腔和气孔抽走所述基座表面的污染物。


3.根据权利要求2所述的一种传输装置，其特征在于，所述抽气装置的压力范围为5-100mT。


4.根据权利要求1所述的一种传输装置，其特征在于，所述气压控制机构为吹气装置，用于通过气体管道、空腔和气孔吹走所述基座表面的污染物。


5.根据权利要求4所述的一种传输装置，其特征在于，所述吹气装置吹出的气体为惰性气体。


6.根据权利要求1所述的一种传输装置，其特征在于，还包括：控制阀，用于控制所述气体管道的通闭。


7.根据权利要求1所述的一种传输装置，其特征在于，所述气孔的直径为1-20mm。

【专利技术属性】
技术研发人员：林雅萍，黄秋平，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31