发光元件用组合物及含有它的发光元件制造技术

本发明专利技术提供对于制作抑制了初始劣化的发光元件有用的组合物、以及使用该组合物形成的发光元件。本发明专利技术的发光元件用组合物是配合有主体材料和客体材料的发光元件用组合物，主体材料包含具有仅苯环稠合3个以上而得的稠合环骨架的芳香族化合物，客体材料包含具有在环内包含碳原子、和选自硼原子、氮原子、磷原子、氧原子、硫原子及硒原子中的至少1种的杂环基的化合物，主体材料中含有的硅原子及客体材料中含有的硅原子的总量相对于主体材料及客体材料的总量大于0质量ppm且为28质量ppm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件用组合物及含有它的发光元件
本专利技术涉及发光元件用组合物及含有它的发光元件。
技术介绍
有机电致发光元件等发光元件例如可以合适地用于显示器及照明。作为发光元件中使用的材料，例如在专利文献1中，提出过含有化合物H0和杂环式化合物的组合物。[化1]化合物H0现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-183724号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题但是，使用上述的组合物制作的发光元件中，初始劣化的抑制不一定充分。因而，本专利技术的目的在于，提供对于制造抑制了初始劣化的发光元件有用的组合物、以及使用该组合物形成的发光元件。用于解决问题的手段本专利技术人等为了解决上述问题进行了深入研究，结果发现，在具备包含特定的组合物的有机层的发光元件中，硅原子对于发光元件的初始劣化造成较大影响，此外，通过使硅原子的量为特定量，可以抑制发光元件的初始劣化，从而完成了本专利技术。需要说明的是，专利文献1中，没有组合物中含有的硅原子的量影响发光元件的初始劣化的记载。即，本专利技术提供以下的[1]～[19]。[1]一种发光元件用组合物，是配合有主体材料和客体材料的发光元件用组合物，所述主体材料包含具有仅苯环稠合3个以上而得的稠合环骨架的芳香族化合物，所述客体材料包含具有在环内包含碳原子、和选自硼原子、氮原子、磷原子、氧原子、硫原子及硒原子中的至少1种的杂环基的化合物，所述主体材料中含有的硅原子及所述客体材料中含有的硅原子的总量，相对于所述主体材料及所述客体材料的总量大于0质量ppm且为28质量ppm以下。[2]根据[1]中记载的发光元件用组合物，其中，所述具有仅苯环稠合3个以上而得的稠合环骨架的芳香族化合物为式(FH)所示的化合物。[化2][式中，n1H表示0以上的整数。Ar1H表示从具有仅苯环稠合3个以上而得的稠合环骨架的芳香族烃中去掉n1H个以上的与构成所述稠合环骨架的碳原子直接键合的氢原子后的基团，该基团任选具有取代基。在该取代基存在多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。R1H表示芳基或1价的杂环基，这些基团任选具有取代基。在该取代基存在多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。在R1H存在多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。][3]根据[1]或[2]中记载的发光元件用组合物，其中，所述稠合环骨架为仅苯环稠合3个以上且5个以下而得的稠合环骨架。[4]根据[3]中记载的发光元件用组合物，其中，所述稠合环骨架为蒽骨架、菲骨架、苯并蒽骨架、苯并菲骨架或芘骨架。[5]根据[1]～[4]中任一项记载的发光元件用组合物，其中，所述具有杂环基的化合物为式(FB)所示的化合物。[化3][式中，n1B表示0以上的整数。Ar1B表示从具有在环内包含碳原子、和选自硼原子、氮原子、磷原子、氧原子、硫原子及硒原子中的至少1种的杂环的化合物中去掉n1B个以上的与构成所述杂环的原子直接键合的氢原子后的基团，该基团任选具有取代基。在该取代基存在多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。R1B表示卤素原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳氧基、芳基、1价的杂环基或取代氨基，这些基团任选具有取代基。在该取代基存在多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。在R1B存在多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。][6]根据[1]～[5]中任一项记载的发光元件用组合物，其中，所述杂环基为在环内包含碳原子、和选自氮原子、氧原子及硫原子中的至少1种的杂环基。[7]根据[1]～[6]中任一项记载的发光元件用组合物，其中，所述杂环基为从单环式或2环式～5环式的杂环式化合物中去掉1个以上的与构成环的原子直接键合的氢原子后的杂环基。[8]根据[1]～[7]中任一项记载的发光元件用组合物，其中，所述杂环基为从吡啶、二氮杂苯、三嗪、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、苯并咔唑、二苯并咔唑、吲哚并咔唑或茚并咔唑中去掉1个以上的与构成环的原子直接键合的氢原子后的杂环基。[9]根据[5]中记载的发光元件用组合物，其中，所述R1B为芳基或1价的杂环基。[10]根据[1]～[9]中任一项记载的发光元件用组合物，其还含有选自空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料、抗氧化剂及溶剂中的至少1种。[11]一种发光元件，是具有阳极、阴极、和设于所述阳极与所述阴极之间的有机层的发光元件，所述有机层是含有[1]～[10]中任一项记载的发光元件用组合物的层。[12]一种发光元件用组合物的制造方法，是配合有主体材料和客体材料的发光元件用组合物的制造方法，该制造方法包括：主体材料准备工序，准备包含具有仅苯环稠合3个以上而得的稠合环骨架的芳香族化合物的主体材料；客体材料准备工序，准备包含具有在环内包含碳原子、和选自硼原子、氮原子、磷原子、氧原子、硫原子及硒原子中的至少1种的杂环基的化合物的客体材料；和制造工序，将所述主体材料和所述客体材料以所述主体材料中含有的硅原子及所述客体材料中含有的硅原子的总量大于0质量ppm且为28质量ppm以下的配合比混合，得到发光元件用组合物。[13]根据[12]中记载的制造方法，其中，所述主体材料准备工序包括：工序(A-1)，准备混杂有硅原子的所述具有仅苯环稠合3个以上而得的稠合环骨架的芳香族化合物；和工序(A-2)，对所述工序(A-1)中准备的所述具有仅苯环稠合3个以上而得的稠合环骨架的芳香族化合物的至少一部分进行纯化，除去所述硅原子的至少一部分。[14]根据[12]或[13]中记载的制造方法，其中，所述客体材料准备工序包括：准备工序(B-1)，准备混杂有硅原子的所述具有杂环基的化合物；和工序(B-2)，对所述工序(B-1)中准备的所述具有杂环基的化合物的至少一部分进行纯化，除去所述硅原子的至少一部分。[15]一种发光元件用组合物的制造方法，是配合有主体材料和客体材料的发光元件用组合物的制造方法，该制造方法包括：主体材料准备工序，准备包含具有仅苯环稠合3个以上而得的稠合环骨架的芳香族化合物的主体材料；确定工序，确定客体材料相对于所述主体材料的配合比；客体材料准备工序，准备如下的客体材料，即，包含具有在环内包含碳原子、和选自硼原子、氮原子、磷原子、氧原子、硫原子及硒原子中的至少1种的杂环基的化合物，且在以所述配合比与所述主体材料混合时，所述主体材料中含有的硅原子及所述客体材料中含有的硅原子的总量相对于所述主体材料及所述客体材料的总量大于0质量p本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件用组合物，是配合有主体材料和客体材料的发光元件用组合物，/n所述主体材料包含具有仅苯环稠合3个以上而得的稠合环骨架的芳香族化合物，/n所述客体材料包含具有在环内包含碳原子、和选自硼原子、氮原子、磷原子、氧原子、硫原子及硒原子中的至少1种的杂环基的化合物，/n所述主体材料中含有的硅原子及所述客体材料中含有的硅原子的总量，相对于所述主体材料及所述客体材料的总量大于0质量ppm且为28质量ppm以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181228 JP 2018-2476721.一种发光元件用组合物，是配合有主体材料和客体材料的发光元件用组合物，
所述主体材料包含具有仅苯环稠合3个以上而得的稠合环骨架的芳香族化合物，
所述客体材料包含具有在环内包含碳原子、和选自硼原子、氮原子、磷原子、氧原子、硫原子及硒原子中的至少1种的杂环基的化合物，
所述主体材料中含有的硅原子及所述客体材料中含有的硅原子的总量，相对于所述主体材料及所述客体材料的总量大于0质量ppm且为28质量ppm以下。


2.根据权利要求1所述的发光元件用组合物，其中，
所述具有仅苯环稠合3个以上而得的稠合环骨架的芳香族化合物为式(FH)所示的化合物：



式中，
n1H表示0以上的整数；
Ar1H表示从具有仅苯环稠合3个以上而得的稠合环骨架的芳香族烃中去掉n1H个以上的与构成所述稠合环骨架的碳原子直接键合的氢原子后的基团，该基团任选具有取代基；在该取代基存在多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环；
R1H表示芳基或1价的杂环基，这些基团任选具有取代基；在该取代基存在多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环；在R1H存在多个的情况下，它们任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。


3.根据权利要求1或2所述的发光元件用组合物，其中，
所述稠合环骨架为仅苯环稠合3个以上且5个以下而得的稠合环骨架。


4.根据权利要求3所述的发光元件用组合物，其中，
所述稠合环骨架为蒽骨架、菲骨架、苯并蒽骨架、苯并菲骨架或芘骨架。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的发光元件用组合物，其中，
所述杂环基为在环内包含碳原子和氮原子的杂环基。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的发光元件用组合物，其中，
所述杂环基为从单环式或2环式～5环式的杂环式化合物中去掉1个以上的与构成环的原子直接键合的氢原子后的杂环基。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的发光元件用组合物，其中，
所述杂环基为从吡啶、二氮杂苯、三嗪、咔唑、苯并咔唑、二苯并咔唑、吲哚并咔唑或茚并咔唑中去掉1个以上的与构成环的原子直接键合的氢原子后的杂环基。


8.根据权利要求1～7中任一项所述的发光元件用组合物，其还含有选自空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料、抗氧化剂及溶剂中的至少1种。


9.一种发光元件，是具有阳极、阴极、和设于所述阳极与所述阴极之间的有机层的发光元件，
所述有机层为含有权利要求1～8中任一项所述的发光元件用组合物的层。


10.一种发光元件用组合物的制造方法，是配合有主体材料和客体材料的发光元件用组合物的制造方法，
该制造方法包括：
主体材料准备工序，准备包含具有仅苯环稠合3个以上而得的稠合环骨架的芳香族化合物的主体材料；
客体材料准备工序，准备包含具有在环内包含碳原子、和选自硼原子、氮原子、磷原子、氧原子、硫原子及硒原子中的至少1种的杂环基的化合物的客体材料；和
制造工序，将所述主体材料和所述客体材料以所述主体材料中含有的硅原子及所述客体材料中含有的硅原子的总量大于0质量ppm且为28质量ppm以下的配合比混合，得到发光元件用组合物。


11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，
所述主体材料准备工序包括：
工序A-1，准备混杂有硅原子的所述具有仅苯环稠合3个以上而得的稠合环骨架的芳香族化合物；和
工序A-2，对所述工序A-1中准备的所述具有仅苯环稠合3个以上而得的稠合环骨...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐田敏明，松本龙二，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP