发光二极管微型显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发光二极管微型显示装置，包括一线路基板、多个微发光元件、一绝缘层以及一共电极层。线路基板具有多个导电图案。该些微发光元件接合于线路基板，并与该些导电图案对应设置，每一个微发光元件具有一底面、一顶面、及一侧壁，底面与对应的导电图案连接，侧壁具有邻近线路基板的一第一侧壁部、及与第一侧壁部连接的一第二侧壁部。绝缘层设置于线路基板，并覆盖第一侧壁部。共电极层设置于线路基板，并覆盖绝缘层，且与该些微发光元件电性连接，共电极层接触第二侧壁部且曝露每一个微发光元件的顶面。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管微型显示装置
本专利技术关于一种显示装置，特别关于一种发光二极管微型显示装置。
技术介绍
当世界都在关注未来显示技术时，MicroLED(微型发光二极管)是最被看好的技术之一。简单来说，MicroLED是将LED微缩化和矩阵化的技术，将数百万乃至数千万颗小于100微米，比一根头发还细的晶粒，排列整齐放置在基板上。与现阶段OLED(有机发光二极管)显示技术相比，MicroLED同样是自主发光，却因使用材料的不同，因此可以解决OLED最致命的“烙印”问题，同时还有低功耗、高对比、广色域、高亮度、体积小、轻薄、节能等优点。因此，全球各大厂皆争相投入MicroLED技术的研发。在现有一种发光二极管微型显示装置的制造过程中，是分别制造线路基板及微发光元件基板后，再将两者对位、接合。但是，在高分辨率(高PPI，例如UHD、AR/VR)显示装置的要求下，接合精度往往无法符合需求，使得工艺合格率较低。另外，在现有另一种制造过程中，巨量转移(masstransfer)技术扮演着相当重要的角色，其是将预先制作完成并存放在暂时性基板上的微型发光二极管元件巨量转移至应用端(例如显示装置)的线路基板上。然而，以目前巨量转移技术的转移精度而言，将其应用于高分辨率显示装置的生产仍有合格率的问题。即使不采用上述两种制造技术而直接在显示装置的线路基板上进行微发光元件的制作，所形成的微型发光二极管元件仍有发光效率不佳的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的为提供一种可具有较高发光效率的发光二极管微型显示装置。为达上述目的，依据本专利技术的一种发光二极管微型显示装置，包括一线路基板、多个微发光元件、一绝缘层以及一共电极层。线路基板具有多个导电图案。该些微发光元件设置于线路基板，并与该些导电图案对应设置，其中，每一个微发光元件具有一底面、一顶面、及与底面和顶面连接的一侧壁，底面与对应的导电图案连接，侧壁具有邻近线路基板的一第一侧壁部、及与第一侧壁部连接且远离线路基板的一第二侧壁部。绝缘层设置于线路基板，并覆盖第一侧壁部。共电极层设置于线路基板，并覆盖绝缘层，且共电极层与该些微发光元件电性连接，共电极层接触第二侧壁部且曝露每一个微发光元件的顶面。在一实施例中，微发光元件的高宽比大于等于0.5、小于等于2.5。在一实施例中，微发光元件包括依序重叠设置的一第一型半导体层、一发光层及一第二型半导体层，第一型半导体层与对应的导电图案电性连接。在一实施例中，绝缘层覆盖发光层的侧面。在一实施例中，发光二极管微型显示装置更包括多个对接电极及多个导电件，各对接电极分别形成于对应的微发光元件的底面；各导电件分别设置于对应的对接电极与对应的导电图案之间，其中微发光元件通过对应的对接电极与导电件接合于线路基板上，且与对应的导电图案电性连接。在一实施例中，导电件的宽度大于对应的导电图案，且小于或等于对应的微发光元件的宽度。在一实施例中，对接电极内缩于微发光元件的底面。在一实施例中，对接电极包括一透明导电层或一金属层、或其组合。在一实施例中，绝缘层包括重叠设置的一第一绝缘层、一第二绝缘层及一第三绝缘层，第一绝缘层设置于该些导电件之间，第二绝缘层设置于第一绝缘层与第三绝缘层之间，且第三绝缘层设置于第一侧壁部及共电极层之间。在一实施例中，发光二极管微型显示装置更包括一平坦层及一光转换层。平坦层设置于共电极层上，其中平坦层、共电极层及该些微发光元件的顶面共同定义出多个凹槽；光转换层设置于至少一部分的该些凹槽中。在一实施例中，发光二极管微型显示装置更包括一保护层，其设置于平坦层与光转换层上。在一实施例中，保护层填入至少一部分的该些凹槽中。在一实施例中，光转换层包括一光转换物质与一滤光材料。在一实施例中，发光二极管微型显示装置更包括一透光层，其设置于保护层上。在一实施例中，透光层包括聚光结构或胶合材料。在一实施例中，透光层包括多个聚光结构，每一聚光结构对应每一像素而设置。在一实施例中，透光层包括多个聚光结构，每一聚光结构对应每一微发光元件而设置。如上所述，在本专利技术的发光二极管微型显示装置中，通过微发光元件与线路基板的导电图案对应设置，而绝缘层覆盖微发光元件的第一侧壁部，且共电极层与微发光元件电性连接，并接触微发光元件的第二侧壁部且曝露出微发光元件的顶面的结构设计，使微发光元件由其顶面射出的光线不会被自身的共电极层所遮蔽或吸收。因此，本专利技术的发光二极管微型显示装置可具有较高的发光效率，并且可因应高分辨率显示器的需求。附图说明图1A为本专利技术一实施例的一种发光二极管微型显示装置的示意图。图1B为图1A的发光二极管微型显示装置中，沿割面线A-A的剖面图。图2A至图2H分别为本专利技术不同实施例的发光二极管微型显示装置的示意图。图3A及图3B分别为本专利技术一实施例的一种发光二极管微型显示装置的制造过程示意图。具体实施方式以下将参照相关说明书附图，说明依本专利技术一些实施例的发光二极管微型显示装置，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。图1A为本专利技术一实施例的一种发光二极管微型显示装置的示意图，而图1B为图1A的发光二极管微型显示装置中，沿割面线A-A的剖面图。在此，图1A只示出了发光二极管微型显示装置1包括多个像素(Pixel)P，该些像素P配置成由行与列构成的矩阵状。本实施例的各像素P包括并排配置的三个子像素(Sub-pixel)，各子像素包含一个微发光元件12(即每一个像素P包括三个并排配置的微发光元件12)。在不同的实施例中，像素P的三个子像素的排列方式也可不同；例如三个子像素中，二个子像素上下排列，并与另一个子像素并排配置，或是其他的排列方式。在不同的实施例中，各像素P也可包括例如四个或大于四个的子像素。以四个子像素为例，这四个子像素可以并排配置，或者排列成2×2的矩阵状或其他排列方式，本专利技术都不限制。请参照图1A和图1B所示，本实施例的发光二极管微型显示装置1可为主动矩阵式(ActiveMatrix)或被动矩阵式(PassiveMatrix)发光二极管微型显示器，并可包括一线路基板11、多个微发光元件12、一绝缘层13以及一共电极层CE。另外，本实施例的发光二极管微型显示装置1更可包括多个对接电极E及多个导电件C。线路基板11具有一基板111、多个导电图案112及一电路层(图中未示出)，该些导电图案112间隔配置于基板111的一表面113上，且各导电图案112与对应的电路层电连接，而各导电图案112之间有介电层114隔离。线路基板11可通过电路层(包含但不限于转层线路与电晶体元件)传送独立控制的电信号至对应的导电图案112。在一些实施例中，线路基板11例如可为CMOS(互补式金属氧化物半导体)基板、LCOS(硅基液晶)基板、TFT(薄膜晶体管)基板、或其他具有工作电路的线路基板11，以驱动该些微发光元件12。在一些实施例中，线路基板11的边长可例如但不限于小于或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管微型显示装置，其特征在于，所述发光二极管微型显示装置包括：/n一线路基板，具有多个导电图案；/n多个微发光元件，接合于该线路基板，并与该些导电图案对应设置，其中，每一个该微发光元件具有一底面、一顶面、及与该底面和该顶面连接的一侧壁，该底面与对应的该导电图案连接，该侧壁具有邻近该线路基板的一第一侧壁部、及与该第一侧壁部连接且远离该线路基板的一第二侧壁部；/n一绝缘层，设置于该线路基板，并覆盖该第一侧壁部；以及/n一共电极层，设置于该线路基板，并覆盖该绝缘层，且该共电极层与该些微发光元件电性连接，/n其中，该共电极层接触该第二侧壁部且曝露每一个该微发光元件的该顶面。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管微型显示装置，其特征在于，所述发光二极管微型显示装置包括：
一线路基板，具有多个导电图案；
多个微发光元件，接合于该线路基板，并与该些导电图案对应设置，其中，每一个该微发光元件具有一底面、一顶面、及与该底面和该顶面连接的一侧壁，该底面与对应的该导电图案连接，该侧壁具有邻近该线路基板的一第一侧壁部、及与该第一侧壁部连接且远离该线路基板的一第二侧壁部；
一绝缘层，设置于该线路基板，并覆盖该第一侧壁部；以及
一共电极层，设置于该线路基板，并覆盖该绝缘层，且该共电极层与该些微发光元件电性连接，
其中，该共电极层接触该第二侧壁部且曝露每一个该微发光元件的该顶面。


2.如权利要求1所述的发光二极管微型显示装置，其特征在于，该微发光元件的高宽比大于等于0.5、小于等于2.5。


3.如权利要求1所述的发光二极管微型显示装置，其特征在于，该微发光元件包括依序重叠设置的一第一型半导体层、一发光层及一第二型半导体层，该第一型半导体层与对应的该导电图案电性连接。


4.如权利要求3所述的发光二极管微型显示装置，其特征在于，该绝缘层覆盖该发光层的侧面。


5.如权利要求1所述的发光二极管微型显示装置，其特征在于，进一步包括：
多个对接电极，分别形成于对应的该微发光元件的该底面；及
多个导电件，分别设置于对应的该对接电极与对应的该导电图案之间，其中该微发光元件通过对应的该对接电极与该导电件接合于该线路基板上，且与对应的该导电图案电性连接。


6.如权利要求5所述的发光二极管微型显示装置，其特征在于，该导电件的宽度大于对应的该导电图案，且小于或等于对应的该微发光元件的宽度。


7.如权利要求5所述的发光二极管微型显示装置，其特征在于，该对接电极内缩...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦烨，吴志凌，
申请(专利权)人：錼创显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71