【技术实现步骤摘要】
一种基于SERS基底的微流控芯片检测装置的制备方法
本专利技术涉及表面拉曼检测领域,尤其涉及一种基于SERS基底的微流控芯片检测装置的制备方法。
技术介绍
拉曼散射效应是于1928年C.V.拉曼在实验中发现的,实验时当光穿过透明介质时,一部分散射光具有与入射光不相同的频率。拉曼光谱的理论解释是,入射光子与介质中的分子发生了非弹性碰撞,当分子吸收的光子频率大于散射出去的光子频率时,此时的散射被称为斯托克斯散射,也叫做拉曼散射。但拉曼散射的能量很小,一般情况下难以进行数据的捕获。1977年,VanDuyne和Creighton两个研究组各自独立地发现,吸附在粗糙银电极表面的每个吡啶分子的拉曼信号要比溶液中单个吡啶分子的拉曼信号大约强106,指出这是一种与粗糙表面相关的表面增强效应,被称为SERS效应。表面拉曼增强效应给拉曼检测的实用性带来了巨大的提升,一般在测定吸附在胶质金属颗粒如银、金或铜表面的样品,或吸附在这些金属片的粗糙表面上的样品时,拉曼信号会得到巨大的提升。表面增强拉曼克服了拉曼光谱灵敏度低的缺点,可以获得常规 ...
【技术保护点】
1.一种基于SERS基底的微流控芯片检测装置的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1:利用溶剂蒸发法铺PS小球;/nS2:利用液面提拉法转移PS球膜;/nS3:氧等离子体刻蚀;/nS4:电子束沉积金纳米颗粒;/nS5:SERS基底的亲水性处理;/nS6:微流控芯片的加工制作;/nS7:基底嵌入与芯片的封接;/nS8:基底表征。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于SERS基底的微流控芯片检测装置的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:利用溶剂蒸发法铺PS小球;
S2:利用液面提拉法转移PS球膜;
S3:氧等离子体刻蚀;
S4:电子束沉积金纳米颗粒;
S5:SERS基底的亲水性处理;
S6:微流控芯片的加工制作;
S7:基底嵌入与芯片的封接;
S8:基底表征。
2.根据权利要求1所述的一种基于SERS基底的微流控芯片检测装置的制备方法,其特征在于,S1中,将待用的玻璃片进行清洁处理,先后在丙酮、乙醇和去离子水中各自超声清洗45分钟,再用浓硫酸和过氧化氢于3∶1的比例配制而成的混合溶液清洗玻璃片,最后将玻璃片置于在去离子水:氨水:过氧化氢比例为5∶1∶1中的混合溶液中超声清洗60分钟,等玻璃片晾干处理后,将去离子水滴加在晾干后的玻璃片上,然后,将PS小球液与乙醇以1:1混合,将配好的PS小球沿着玻璃片的一角逐步滴加使得让PS小球膜充满整块玻璃片,最后,在玻璃片的另一角用滤纸或无尘布将水吸走,即在玻璃片上形成了单层PS球膜。
3.根据权利要求2所述的一种基于SERS基底的微流控芯片检测装置的制备方法,其特征在于,在S2中,将铺有PS球膜的玻璃片以接近水平的角度缓慢浸入水中,使得单层膜飘在水面上,用镊子夹住PET膜从远离水面上的PS膜处插入水面并缓慢接近PS膜的正下方,缓慢地匀速地抬平PET膜并拉出水面,将水面上的单层膜转移至PET膜上。
4.根据权利要求3所述的一种基于SERS基底的微流控芯片检测装置的制备方法,其特征在于,S3中,将铺有PS膜的PET薄膜置于反应离子刻蚀腔内,调节通入气体为氧气,刻蚀时间为20~30分钟,刻蚀功率为270W,最终得到了具有微锥阵列的基底。
5.根据权利要求4所述的一种基于SERS基底的微流控芯片检测装置的制备方法,其特征在于,在S4中,将具有微锥阵列的基底置于电子束系统DZS...
【专利技术属性】
技术研发人员:高荣科,毛元朔,杨玉杰,
申请(专利权)人:合肥工业大学,
类型:发明
国别省市:安徽;34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。