一种MoS制造技术

一种MoS

【技术实现步骤摘要】
一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法
本专利技术涉及导体异质结纳米管阵列结构材料领域，尤其涉及一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法。
技术介绍
ZnO具有透明性高、电阻率低以及激子束缚能(60eV)比较大等特性，能够广泛应用到短波光电探测器、发光二极管、太阳能电池、光催化剂等众多领域。但是，ZnO材料禁带宽度较大，为3.37eV，在可见光范围内没有光吸收，所以在很多领域的应用受到了限制。虽然已有文献报道ZnO/MoS2同轴纳米线和MoS2纳米管阵列，但目前的ZnO/MoS2同轴纳米线是以ZnO纳米线为基底包覆MoS2，厚实的内部结构不仅浪费材料而且不利于光谱的反射和吸收，而MoS2纳米管单一的材料成分局限了它的应用范围。因此，我们在MoS2纳米管阵列的基础上作进一步的研究，首次合成MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决现有技术中的上述问题，提供一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，该方法为管状半导体异质结及其阵列材料的制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MoS

【技术特征摘要】
1.一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)制备MoS2纳米管阵列；
2)MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜；
3)MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。


2.如权利要求1所述的一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，其特征在于：步骤1)中，所述制备MoS2纳米管阵列是将ZnO/MoS2同轴纳米线正面朝上放置在0.2～0.5mol/L的H2SO4溶液中浸泡5～10min，刻蚀纳米线中的ZnO，再用去离子水清洗，得到MoS2纳米管阵列。


3.如权利要求2所述的一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，其特征在于所述ZnO/MoS2同轴纳米线的制备如下：在FTO基片的正面沉积ZnO籽晶层，将样品正面朝下，然后在乙酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)和六次甲基四胺(C6H12N4)的混合水溶液中水热生长ZnO纳米棒，取出清洗后退火，再将长有ZnO纳米棒的样品正面朝下放置，放入装有三氧化钼(MoO3)、硫粉、辛胺(C8H19N)和无水乙醇的混合溶液的反应釜内衬中，水热生长ZnO/MoS2同轴纳米线，取出清洗，最后在退火炉中退火。


4.如权利要求3所述的一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，其特征在于：所述ZnO籽晶层为20～50nm，所述Zn(CH3COO)2·2H2O和C6H12N4的混合水溶液浓度均为20mM。


5.如权利要求3所述的一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，其特征在于：所述水热生长ZnO纳米棒的温度为75～95℃，时间为20～80min；所述Z...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄胜利，万景，刘家赫，赵经天，王紫云，郭生士，李书平，康俊勇，
申请(专利权)人：厦门大学，厦门大学九江研究院，厦门大学深圳研究院，
类型：发明
国别省市：福建;35