基础电容补偿电路、芯片、触控显示器及信息处理装置制造方法及图纸

一种基础电容补偿电路、芯片、触控显示屏及信息处理装置包括，电流电源转换电路、上拉电路，以及下拉电路，其中，所述电流电源转换电路，具有电流输入端、激励信号输入端和电压输出端；所述电流输入端，其分别与上拉电路的一端、下拉电路的一端相连接，并连接到触摸屏的基础电容上；所述激励信号输入端与激励信号相连接；上拉电路的另一端与电源正极相连接；所述下拉电路的另一端与电源负极相连接。本发明专利技术的基础电容补偿电路，采用多晶硅电阻或MOS电阻与相应的开关时序作为补偿电路来对基础电容进行补偿，减小了芯片面积，降低了芯片的成本。

【技术实现步骤摘要】
基础电容补偿电路、芯片、触控显示器及信息处理装置
本专利技术涉及本专利技术属于集成电路设计
，尤其涉及一种电容式触摸屏的控制电路。
技术介绍
由于电容式触摸屏的对地电容非常大，目前在自电容式触摸屏控制器中，均采用补偿的方式来消除触摸屏固有的基础电容，以达到检测手指或其他导电体电容的目的。目前的补偿技术多为采用MIM(metalinsulatormetal)电容或者MOM(metaloxidemetal)电容来对触摸屏的基础电容进行补偿，但是MIM电容和MOM电容存在的问题是单位面积容值较小，如果遇到基础电容很大的触摸屏，需要非常多的MIM电容或MOM电容，这样会占用很大的芯片面积，极大的提高了芯片成本。
技术实现思路
为了解决现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种基础电容补偿电路，采用多晶硅电阻或MOS(metaloxidesemiconductor，金属氧化物半导体)电阻与相应的开关时序作为补偿电路来对基础电容进行补偿，减小芯片面积，并降低芯片成本。为实现上述目的，本专利技术提供的基础电容补偿电路，包括，电流电源转换电路、上拉电路，以及下拉电路，其中，所述电流电源转换电路，具有电流输入端、激励信号输入端和电压输出端；所述电流输入端，其分别与上拉电路的一端、下拉电路的一端相连接，并连接到触摸屏的基础电容上；所述激励信号输入端与激励信号相连接；上拉电路的另一端与电源正极相连接；所述下拉电路的另一端与电源负极相连接。进一步地，所述电流电源转换电路，还包括，放大器、反馈电容、第一开关、第二开关，其中，所述反馈电容、所述第二开关并联连接在所述放大器的负向输入端和电压输出端之间；所述放大器的负向输入端与所述第一开关的一端相连接；所述第一开关的另一端分别与所述上拉电路的一端、所述下拉电路的一端相连接，并连接到触摸屏的基础电容上；所述放大器正向输入端连接激励信号。进一步地，所述上拉电路，包括，上拉电阻和上拉开关；所述下拉电路，包括，下拉电阻和下拉开关，其中，所述上拉电阻的一端、所述下拉电阻的一端相连接，并连接到所述第一开关的另一端；所述上拉电阻的另一端通过所述上拉开关连接电源的正极；所述下拉电阻的另一端通过所述下拉开连接电源的负极。进一步地，所述上拉电阻和所述下拉电阻为多晶硅电阻。进一步地，所述上拉电阻和所述下拉电阻为MOS电阻。更进一步地，所述上拉电路，包括上拉晶体管；所述下拉电路，包括下拉晶体管，其中，所述上拉晶体管漏极、所述下拉晶体管源极以及所述第一开关的另一端相连接，并连接到触摸屏的基础电容上；所述上拉晶体管源极与电源正极相连接；所述下拉晶体管漏极与电源负极相连接；所述上拉晶体管栅极、所述下拉晶体管栅极分别与控制信号相连接。为实现上述目的，本专利技术还提供一种电容补偿芯片，包括，电容补偿电路以及控制单元，其中，所述控制单元，其控制所述电容补偿电路对触摸屏的基础电容进行补偿；所述电容补偿电路为上述的基础电容补偿电路。为实现上述目的，本专利技术还提供一种触控显示器，包括，电容补偿芯片以及电容式触摸屏，其中，所述电容补偿芯片采用上述的电容补偿芯片，在所述电容式触摸屏受到触摸时，对所述电容式触摸屏的基础电容进行补偿。为实现上述目的，本专利技术还提供一种信息处理装置，其特征在于，包括，触控显示器以及中央处理器，其中，所述触控显示器，其采用上述的触控显示器；所述中央处理器与所述触控显示器之间进行信息交互。本专利技术的基础电容补偿电路，具有以下有益效果：基础电容补偿电路采用多晶硅电阻或MOS电阻与相应的开关时序作为补偿电路来对基础电容进行补偿，补偿原理是利用流过多晶硅电阻或MOS电阻的电流来对基础电容进行补偿。由于电流与电阻值呈反比，当需要补偿的基础电容越大时，需要的电阻反而越小，因此对于需要补偿多的容性面板，反而需要更小的芯片面积，这样极大的减小了芯片成本。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，并与本专利技术的实施例一起，用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为根据本专利技术的基础电容补偿电路一个实施例原理框图；图2为根据本专利技术的基础电容补偿电路时序图；图3为根据本专利技术的基础电容补偿电路又一个实施例原理框图；图4为根据本专利技术的触控芯片原理框图；图5为根据本专利技术的触控显示器原理框图；图6为根据本专利技术的信息处理装置原理框图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例1图1为根据本专利技术的基础电容补偿电路一个实施例原理框图，如图1所示，本专利技术的基础电容补偿电路，包括，放大器OP、反馈电容Cfb、第一开关s1、第二开关s2、上拉电阻R1、上拉开关Su、下拉电阻R2、下拉开关Sd，其中，反馈电容Cfb、第二开关s2并联连接在放大器OP的负向输入端和输出端Vout之间。放大器OP的负向输入端与第一开关s1的一端相连接。第一开关s1的另一端与上拉电阻R1的一端、下拉电阻R2的一端相连接，并连接到触摸屏的基础电容Cbase上。图1中，ΔC为触摸屏幕时产生的变化电容。上拉电阻R1的另一端与上拉开关Su的一端相连接；上拉开关Su的另一端连接电源的正极VDD。下拉电阻R2的另一端与下拉开关Sd的一端相连接；下拉开关Sd的另一端连接电源的负极VSS。放大器OP的正向输入端为激励信号的输入端。本专利技术实施例中，第一开关s1、第二开关s2、反馈电容Cfb以及电流电源转换电路，其中，放大器OP的正向输入端为该电流电源转换电路的激励信号输入端；放大器OP输出端为该电流电源转换电路的电源输出端Vout；第一开关s1的另一端(与上拉电阻R1的一端、下拉电阻R2的一端相连接)为该电流电源转换电路的电流输入端。上拉电阻R1和上拉开关Su构成本专利技术的上拉电路；下拉电阻R2和下拉开关Sd构成本专利技术的下拉电路。本专利技术实施例中，上拉电阻R1和下拉电阻R2可以采用多晶硅电阻或MOS电阻。由于MOS电阻占用的芯片面积更小，所以上拉电阻R1和下拉电阻R2优选采用MOS电阻。图2为根据本专利技术的基础电容补偿电路时序图，下面将参考图2，对本专利技术的基础电容补偿电路的工作流程进行详细描述。在激励信号(stimulussignal)的上升沿时：第一开关s1和第二开关s2连接高电平，上拉开关Su和下拉开关Sd连接低电平，放大器OP为一个增益的缓冲放大器，对基础电容Cbase进行复位；第一开关s1和第二开关本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基础电容补偿电路，其特征在于，包括，电流电源转换电路、上拉电路，以及下拉电路，其中，/n所述电流电源转换电路，具有电流输入端、激励信号输入端和电压输出端；/n所述电流输入端，其分别与上拉电路的一端、下拉电路的一端相连接，并连接到触摸屏的基础电容上；/n所述激励信号输入端与激励信号相连接；/n上拉电路的另一端与电源正极相连接；所述下拉电路的另一端与电源负极相连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种基础电容补偿电路，其特征在于，包括，电流电源转换电路、上拉电路，以及下拉电路，其中，
所述电流电源转换电路，具有电流输入端、激励信号输入端和电压输出端；
所述电流输入端，其分别与上拉电路的一端、下拉电路的一端相连接，并连接到触摸屏的基础电容上；
所述激励信号输入端与激励信号相连接；
上拉电路的另一端与电源正极相连接；所述下拉电路的另一端与电源负极相连接。


2.根据权利要求1所述的基础电容补偿电路，其特征在于，所述电流电源转换电路，还包括，放大器、反馈电容、第一开关、第二开关，其中，
所述反馈电容、所述第二开关并联连接在所述放大器的负向输入端和电压输出端之间；
所述放大器的负向输入端与所述第一开关的一端相连接；
所述第一开关的另一端分别与所述上拉电路的一端、所述下拉电路的一端相连接，并连接到触摸屏的基础电容上；
所述放大器正向输入端连接激励信号。


3.根据权利要求2所述的基础电容补偿电路，其特征在于，
所述上拉电路，包括，上拉电阻和上拉开关；所述下拉电路，包括，下拉电阻和下拉开关，其中，
所述上拉电阻的一端、所述下拉电阻的一端相连接，并连接到所述第一开关的另一端；
所述上拉电阻的另一端通过所述上拉开关连接电源的正极；
所述下拉电阻的另一端通过所述下拉开连接电源的负极。


4.根据权利要求3所述的基...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘成，
申请(专利权)人：北京集创北方科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11