自适应组合电源电路和充电架构制造技术

一种自适应组合电源电路可以能够在用作三电平降压转换器与用作二分电荷泵之间进行切换。一个示例电源电路通常包括第一晶体管(Q1)；经由第一节点(202)耦合到第一晶体管的第二晶体管(Q2)；经由第二节点(204)耦合到第二晶体管的第三晶体管(Q3)；经由第三节点(206)耦合到第三晶体管的第四晶体管(Q4)；具有耦合到第一节点的第一端子和耦合到第三节点的第二端子的电容元件(Cfly)；具有耦合到第二节点的第一端子的电感元件(LI)；以及具有耦合到电感元件的第一端子的第一端子的开关(Q6)，开关具有耦合到电感元件的第二端子的第二端子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】自适应组合电源电路和充电架构相关申请的交叉引用本申请要求于2019年11月14日提交的美国申请号16/683,913的优先权，该美国申请要求于2018年11月15日提交的题为“AdaptiveCombinationPowerSupplyCircuitandChargingArchitecture”的美国临时专利申请序列号62/767,623的权益，这两个申请的全部内容通过引用并入本文。
本公开的某些方面总体上涉及电子电路，并且更具体地涉及自适应组合电源电路。
技术介绍
电压调节器理想地提供恒定的直流(DC)输出电压，而不管负载电流或输入电压的变化。电压调节器可以分为线性调节器或开关调节器。虽然线性调节器往往相对紧凑，但很多应用可以受益于开关调节器的提高的效率。例如，线性调节器可以由低压差(LDO)调节器实现。开关调节器可以例如通过开关模式电源(SMPS)来实现，诸如降压转换器、升压转换器、降压升压转换器或电荷泵。例如，降压转换器是一种SMPS，其通常包括：(1)耦合在相对较高电压轨与开关节点之间的高侧开关，(2)耦合在开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电源电路，包括：/n第一晶体管；/n第二晶体管，经由第一节点耦合到所述第一晶体管；/n第三晶体管，经由第二节点耦合到所述第二晶体管；/n第四晶体管，经由第三节点耦合到所述第三晶体管；/n电容元件，具有耦合到所述第一节点的第一端子和耦合到所述第三节点的第二端子；/n电感元件，具有耦合到所述第二节点的第一端子；以及/n开关，所述开关具有的第一端子耦合到所述电感元件的所述第一端子，所述开关具有的第二端子耦合到所述电感元件的第二端子。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181115 US 62/767,623;20191114 US 16/683,9131.一种电源电路，包括：
第一晶体管；
第二晶体管，经由第一节点耦合到所述第一晶体管；
第三晶体管，经由第二节点耦合到所述第二晶体管；
第四晶体管，经由第三节点耦合到所述第三晶体管；
电容元件，具有耦合到所述第一节点的第一端子和耦合到所述第三节点的第二端子；
电感元件，具有耦合到所述第二节点的第一端子；以及
开关，所述开关具有的第一端子耦合到所述电感元件的所述第一端子，所述开关具有的第二端子耦合到所述电感元件的第二端子。


2.根据权利要求1所述的电源电路，其中：
所述第二晶体管的漏极耦合到所述第一晶体管的源极；
所述第三晶体管的漏极耦合到所述第二晶体管的源极；以及
所述第四晶体管的漏极耦合到所述第三晶体管的源极，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管包括n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。


3.根据权利要求1所述的电源电路，其中当所述开关打开时，所述电源电路被配置为三电平降压转换器。


4.根据权利要求1所述的电源电路，其中当所述开关闭合时，所述电源电路被配置为二分电荷泵。


5.根据权利要求1所述的电源电路，还包括逻辑电路，所述逻辑电路被耦合到所述开关并且被配置为基于所述电源电路的输入电压或操作模式中的至少一项来自动控制所述开关的操作。


6.根据权利要求1所述的电源电路，其中：
所述第一晶体管耦合到所述电源电路的输入电压节点；
所述第四晶体管耦合到所述电源电路的参考电位节点；以及
所述电感元件的所述第二端子耦合到所述电源电路的输出电压节点。


7.一种电池充电电路，包括：
主充电电路；以及
至少一个从充电电路，具有与所述主充电电路的输出并联耦合的输出，所述主充电电路或所述从充电电路中的至少一者包括根据权利要求1所述的电源电路。


8.一种调节功率的方法，包括：
以第一操作模式操作电源电路，所述第一操作模式是三电平降压转换器模式，并且所...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋春平，陈吉伟，D·K·W·李，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US