电波吸收体制造技术

本发明专利技术以提供一种对于斜入射，特别是79GHz附近的电波的斜入射，具有良好的电波吸收性的电波吸收体为问题，该问题通过满足下述特性A和/或特性B的电波吸收体而解决，其中，特性A：在45°入射的TM偏振波测定中，该电波吸收体在75～85GHz频带中吸收性能为15dB以上的吸收范围为4GHz以上；特性B：在45°入射的TE偏振波测定中，该电波吸收体在75～85GHz频带中吸收性能为15dB以上的吸收范围为4GHz以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电波吸收体
本专利技术涉及电波吸收体等。
技术介绍
近年，移动电话、智能手机等的便携通信机器的普及飞速进展，另外在车辆等中也搭载了大量的电子机器，它们产生的电波·噪声导致的电波干扰、其他的电子机器的故障等的问题多有发生。作为防止这样的电波干扰、故障等的对策，各种电波吸收体正在被研究。例如，专利文献1中公开了在60～90GHz的频带中，电磁波吸收量为20dB以上的频带的带宽为2GHz以上的电磁波吸收体。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开第2018-098367号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题根据电波吸收体的用途，电波吸收体有时无法以使电波从法线方向入射的方式进行配置。此时，对斜入射的电波吸收性就很重要。本专利技术者着眼于这一点进行了研究，发现，以往的电波吸收体已经能够对应从法线方向入射的电波，但无法充分地吸收斜入射的电波。因此，本专利技术以提供一种对于斜入射具有良好的电波吸收性的电波吸收体为问题。特别是，以提供一种对于79GHz附近的电波的斜入射具有良好的电波吸收本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电波吸收体，其满足下述特性A和/或下述特性B：/n特性A：在45°入射的TM偏振波测定中，该电波吸收体在75～85GHz频带中吸收性能为15dB以上的吸收范围为4GHz以上；/n特性B：在45°入射的TE偏振波测定中，该电波吸收体在75～85GHz频带中吸收性能为15dB以上的吸收范围为4GHz以上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181225 JP 2018-241069;20181225 JP 2018-2410741.一种电波吸收体，其满足下述特性A和/或下述特性B：
特性A：在45°入射的TM偏振波测定中，该电波吸收体在75～85GHz频带中吸收性能为15dB以上的吸收范围为4GHz以上；
特性B：在45°入射的TE偏振波测定中，该电波吸收体在75～85GHz频带中吸收性能为15dB以上的吸收范围为4GHz以上。


2.根据权利要求1所述的电波吸收体，其具有：
电阻膜、电介质层以及反射层。


3.根据权利要求2所述的电波吸收体，其具备所述特性A，且所述电阻膜的电阻值为175～360Ω/□。


4.根据权利要求2所述的电波吸收体，其具备所述特性B，且所述电阻膜的电阻值为355～690Ω/□。


5.根据权利要求2或3所述的电波吸收体，其具备所述特性A，且满足式(1A)：式中，d表示电介质层的厚度(μm)，ε表示电介质层的相对介电常数。


6.根据权利要求2或4所述的电波吸收体，其具备所述特性B，且满足式(1B)：式中，d表示电介质层的厚度(μm)，ε表示电介质层的相对介电常数。


7.根据权利要求2～6中的任一项所述的电波吸收体，其中，
所述电介质层的相...

【专利技术属性】
技术研发人员：武藤胜纪，中尾幸子，林秀树，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP