用于形成具有多孔区域和横向包封的产品结构的方法技术

一种用于形成具有多孔区域和横向包封的产品结构的方法、一种用于制造结构的方法，该结构包括：绝缘层(201)；第一金属层(203)，该第一金属层在绝缘层的第一部分上方；阳极氧化物的第一多孔区域，该第一多孔区域在第一金属层上方并与第一金属层接触；以及阳极氧化物的第二多孔区域，其包围第一多孔区域，该第二多孔区域与同绝缘层的第一部分相邻的绝缘层的第二部分接触并且与第一金属层接触，第二多孔区域形成绝缘区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于形成具有多孔区域和横向包封的产品结构的方法
本专利技术涉及集成领域，并且特别地涉及电子产品、相关半导体产品及其制造方法。本专利技术更准确地涉及包括多孔区域的电子部件。
技术介绍
如今，硅无源集成技术可用于工业设计。例如，由村田集成无源解决方案(MurataIntegratedPassiveSolutions)开发的PICS技术允许将高密度电容性部件集成到硅基板中。根据该技术，可以将数十甚至数百个无源部件有效地集成至硅芯片中。例如，在P.Banerjee等人的题为“Nanotubularmetal-insulator-metalcapacitorarraysforenergystorage(用于能量存储的纳米管金属-绝缘体-金属电容器阵列)”(2009年5月在Naturaltechnology(自然技术)中发表)的研究中，描述了在例如多孔阳极氧化铝(PAA)的多孔阳极材料中形成的金属-绝缘体-金属(MIM)结构。金属的连续层、绝缘体以及金属遵循多孔材料的轮廓，使得MIM结构被嵌入到多孔材料的孔内部。然而，由于可以通过原子层沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种结构，包括：/n-基板(200)，/n-绝缘层(201)，所述绝缘层在所述基板上方，/n-第一金属层(203)，所述第一金属层在所述绝缘层的第一部分(201a)上方，/n-阳极氧化物的第一多孔区域(212)，所述第一多孔区域在所述第一金属层上方并与所述第一金属层接触，以及/n-阳极氧化物的第二多孔区域(213)，包围所述第一多孔区域，所述第二多孔区域与同所述绝缘层的第一部分相邻的所述绝缘层的第二部分(201b)接触并且与所述第一金属层接触，所述第二多孔区域形成绝缘区域。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190108 EP 19305021.81.一种结构，包括：
-基板(200)，
-绝缘层(201)，所述绝缘层在所述基板上方，
-第一金属层(203)，所述第一金属层在所述绝缘层的第一部分(201a)上方，
-阳极氧化物的第一多孔区域(212)，所述第一多孔区域在所述第一金属层上方并与所述第一金属层接触，以及
-阳极氧化物的第二多孔区域(213)，包围所述第一多孔区域，所述第二多孔区域与同所述绝缘层的第一部分相邻的所述绝缘层的第二部分(201b)接触并且与所述第一金属层接触，所述第二多孔区域形成绝缘区域。


2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述绝缘层包括第三部分(201c)和与所述第三部分相邻的第四部分(201d)，所述第三部分和所述第四部分与所述绝缘层的第一部分和第二部分间隔开，
所述第一金属层包括：在所述绝缘层的第一部分上方的第一部分和在所述绝缘层的第四部分上方的第二部分，
所述结构还包括：
-阳极氧化物的第三多孔区域，所述第三多孔区域在所述第一金属层的第二部分上方并且与所述第一金属层的第二部分接触，
-阳极氧化物的第四多孔区域，包围所述第三多孔区域，所述第四多孔区域与所述绝缘层的第三部分接触并且与所述第一金属层的第二部分接触，所述第四多孔区域形成绝缘区域。


3.根据权利要求1或2所述的结构，包括金属区域(207)，所述金属区域与所述第二多孔区域相邻或者在所述第二多孔区域与所述第四多孔区域之间。


4.根据权利要求3所述的结构，包括在所述金属区域上方的第一硬掩模(205)，所述第一硬掩模与所述绝缘层的至少第二部分部分地交叠。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的结构，其中，所述绝缘层包括开口(202a,202c)，所述开口与所述绝缘层的第二部分相邻或者在所述绝缘层的第二部分与所述绝缘层的第三部分之间。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的结构，包括第二硬掩模(208)，所述第二硬掩模在所述第一多孔区域上方具有开口，所述第二硬掩模包围所述第一硬掩模并在所述第一硬掩模上方。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的结构，包括导电通孔(217)，所述导电通孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗雷德里克·瓦龙，布里吉特·苏利耶，久伊·帕拉特，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，原子能与替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：日本;JP